PSR原邊反饋已經(jīng)成為了近年來較為熱門的話題，這主要是因?yàn)槠湓诔杀旧蠐碛薪^對(duì)的優(yōu)勢，并且結(jié)構(gòu)也相對(duì)簡單，因此受到廠家們的歡迎，其中尤以LED照明驅(qū)動(dòng)市場對(duì)其的評(píng)價(jià)最高。在實(shí)際設(shè)計(jì)過程中，PSR的模擬過程原理幾乎相同，但需要注意的是有些參數(shù)則是不相同的。本文將針對(duì)現(xiàn)下小功率電源中流行的PSR控制原理部分的CV操作模式進(jìn)行講解，并列出公式分析。

CV操作模式

不可否認(rèn)的是，現(xiàn)在大部分芯片都是直接取樣輔助線圈上電壓，由于漏感的原因，在MOS關(guān)斷后，也就是次級(jí)二極管導(dǎo)通瞬間，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)尖峰，影響電壓采樣，為了避開個(gè)這個(gè)尖峰，大部分廠家都是采用延時(shí)采機(jī)，也就是在MOS管關(guān)斷一段時(shí)間后再來采樣線圈電壓。從而避開漏感尖峰。

PI是在高壓開關(guān)關(guān)斷2.5μs采樣。這種采樣方式其實(shí)在以前很多芯片上的過壓保護(hù)上也都有應(yīng)用，比如OB2203和UCC28600，NCP1377上都有這樣的應(yīng)用，所以可以得到較高精度的過壓保護(hù)。還有些廠家是在下取樣電阻上并一個(gè)小容量的電容來實(shí)現(xiàn)。

在吸收電路方面，建議大家采用恢復(fù)時(shí)間約只有2us的IN4007，再串一個(gè)百歐左右的電阻作吸收?？梢詼p小漏感產(chǎn)生的振鈴，從而減小取樣誤差。得到較高采樣精度。次級(jí)圈數(shù)固定，輔助繞組固定，取樣精度高。比較器內(nèi)部精度也高，自然可以得到較高的輸出電壓精度。

本文針對(duì)現(xiàn)下小功率電源中流行的PSR控制原理CV操作模式進(jìn)行講解，通過圖文結(jié)合的方式來幫助大家補(bǔ)全這方面的知識(shí)，分析過程來自于達(dá)人經(jīng)驗(yàn)總結(jié)，擁有較高的可參考性，在之后的文章中小編將為大家?guī)砀嗪罄m(xù)內(nèi)容，此類問題在資料當(dāng)中較難獲得答案，希望大家在閱讀過本文后能夠有所收獲。