
加利福尼亞州米爾皮塔斯(MILPITAS,CA) 2016年4月14日 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)推出三路輸出μModule(電源模塊)穩(wěn)壓器LTM4632,用于為新型QDR4和較老式的DDR SRAM之所有三個(gè)電壓軌供電:VDDQ、VTT、VTTR(或VREF)。LTM4632采用一個(gè)微型、輕量和超薄的LGA封裝(6.25mmx6.25mmx1.82mm),其可焊接在PCB的背面,配合采用一個(gè)電阻器和三個(gè)電容器時(shí),占板面積僅為0.5cm2(雙面)或1cm2(單面)。一個(gè)LTM4632能提供3A VDDQ和±3A VTT(=1/2*VDDQ),所以兩個(gè)并聯(lián)的LTM4632能夠?yàn)檩^大的存儲(chǔ)器組提供高達(dá)每電源軌6A。對(duì)于超過(guò)6A的VDDQ,LTM4632可配置為與LTM4630一起給大型SRAM陣列提供介于18A和36A之間的VDDQ。如果VDDQ已經(jīng)可用,則可配置LTM4632以提供一個(gè)高達(dá)6A的兩相單路VTT輸出。
LTM4632可采用一個(gè)3.3V的低輸入電源、以及標(biāo)準(zhǔn)的5V和12V輸入(最高15V)工作。兩個(gè)輸出電壓(VDDQ和VTT)的范圍均為0.6V至2.5V。第三個(gè)輸出是一個(gè)用于SRAM之VTTR的低噪聲10mA緩沖輸出。應(yīng)用包括PCIe、基于云的系統(tǒng)、RAID、視頻處理和采用這些SRAM的網(wǎng)絡(luò):DDR/DDR-II/DDR-III/DDR4/QDR/QDR-II/QDR-II+和QDR4。
LTM4632包含一個(gè)三路輸出DC/DC穩(wěn)壓器、電壓除二電路、電源開(kāi)關(guān)、電感器和支持組件,采用了緊湊和超薄的封裝。LTM4632的額定工作溫度范圍為-40°C至125°C。E級(jí)版本的千片批購(gòu)價(jià)為每片7.35美元,而I級(jí)版本的千片批購(gòu)價(jià)則為每片8.09美元。
用于DDR-QDR4存儲(chǔ)器電源的超薄μModule穩(wěn)壓器
性能概要:LTM4632
·占板面積為1cm2(單面PCB)或0.5cm2(雙面PCB)的完整DDR/QDR4存儲(chǔ)器電源解決方案
·3A VDDQ+3A VTT或兩相單路6A VTT
·寬輸入電壓范圍:3.6V(VIN連接至INTVCC)至15V
·0.6V至2.5V輸出電壓范圍
·±1.5%、±10mA緩沖VTTR=VDDQ/2輸出
·外部頻率同步
·超薄型6.25mmx6.25mmx1.82mm LGA封裝
本文給出的美國(guó)報(bào)價(jià)僅供預(yù)算之用。各地報(bào)價(jià)可能因當(dāng)?shù)仃P(guān)稅、各種稅款、費(fèi)用以及匯率不同而有所分別。
聲明:本內(nèi)容為作者獨(dú)立觀點(diǎn),不代表電源網(wǎng)。本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容,如需轉(zhuǎn)載,請(qǐng)注明出處;本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容(文章、圖片、視頻)等資料版權(quán)歸原作者所有。如我們采用了您不宜公開(kāi)的文章或圖片,未能及時(shí)和您確認(rèn),避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,請(qǐng)電郵聯(lián)系我們,以便迅速采取適當(dāng)處理措施;歡迎投稿,郵箱∶editor@netbroad.com。
微信關(guān)注 | ||
![]() |
技術(shù)專題 | 更多>> | |
![]() |
技術(shù)專題之EMC |
![]() |
技術(shù)專題之PCB |