加州戈利塔 -- (新聞稿)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布，全球電源產(chǎn)品和電動(dòng)汽車充電站供應(yīng)商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術(shù)。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN®第四代技術(shù)，這是一種氮化鎵場效應(yīng)管(FET)平臺(tái)，具有以下優(yōu)點(diǎn)：系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡單，元件數(shù)量少，性能更高，可靠性一流。

飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個(gè)USB-C端口和一個(gè)USB-A端口(2C1A)，可同時(shí)為三臺(tái)設(shè)備充電。這款充電器采用了單個(gè)650V SuperGaN器件TP65H300G4LSG，與采用準(zhǔn)諧振反激模式(QRF)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的硅解決方案相比，功率損失可減少約17%。該適配器還提供高達(dá)65W的USB PD和PPS功能。

TP65H300G4LSG是一款240毫歐、通過JEDEC認(rèn)證的PQFN88表面貼裝器件，具有±18V柵極安全裕度。FET是建立在QRF、有源鉗位反激模式(ACF)或LLC諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)上的150W或以下低功率應(yīng)用的理想選擇。

Transphorm的TP65H300G4LSG具有與硅類似的閾值水平和高柵極擊穿電壓（最大±18 V）。它可以與現(xiàn)成的控制器（包括帶有集成驅(qū)動(dòng)器的控制器）配合使用，無需負(fù)偏置電壓。這些功能可簡化電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)；消除對(duì)額外外圍電路的需求，從而減少元件數(shù)量；同時(shí)還能增加整個(gè)系統(tǒng)的可靠性——這些都是飛宏決定采用Transphorm FET的關(guān)鍵原因。

飛宏生產(chǎn)制造各種備受電子設(shè)備公司信賴的可靠電源解決方案。公司對(duì)氮化鎵功率密度優(yōu)勢(shì)的理解讓其決定打造新的氮化鎵適配器。Transphorm的氮化鎵FET具有簡單可設(shè)計(jì)性和可驅(qū)動(dòng)性，并且具有高柵極魯棒性，因此飛宏很快決定選擇Transphorm作為其氮化鎵器件合作伙伴。

根據(jù)Facts and Factors近期發(fā)布的一份報(bào)告，預(yù)計(jì)到2026年全球交流轉(zhuǎn)直流適配器市場規(guī)模將達(dá)到18.54億美元，年復(fù)合增長率為12.7%。Transphorm最近也在5月份的報(bào)告中稱，其240毫歐器件的發(fā)展勢(shì)頭正在不斷加強(qiáng)，公司獲得了亞洲大型手機(jī)(65W)項(xiàng)目和領(lǐng)先的WW電子零售商(140W)項(xiàng)目的ODM預(yù)生產(chǎn)訂單。此外，該公司的市場份額增長還得益于成功贏得一家《財(cái)富》100強(qiáng)頭部企業(yè)的另一項(xiàng)筆記本適配器設(shè)計(jì)項(xiàng)目，其中包括5萬個(gè)SuperGaN® 240毫歐FET的初始采購訂單。這些FET可以為65W快充適配器應(yīng)用提供更高的效率，而競爭對(duì)手的e-mode氮化鎵FET則需要更大的150毫歐器件來滿足類似應(yīng)用的需求。因此，這些Transphorm SuperGaN® FET使客戶能夠利用更小的器件實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的性能。

Transphorm亞太區(qū)銷售副總裁Kenny Yim表示：“我們的SuperGaN平臺(tái)從一開始就圍繞四大關(guān)鍵原則打造：可靠性、可設(shè)計(jì)性、可驅(qū)動(dòng)性和可重復(fù)性。我們的240毫歐器件也不例外。我們讓適配器制造商能夠設(shè)計(jì)出體積小、重量輕、發(fā)熱少的產(chǎn)品，并提供前沿的先進(jìn)USB充電功能。這些創(chuàng)新正在推動(dòng)全球適配器市場對(duì)氮化鎵的采用，使我們有能力通過大批量生產(chǎn)能力支持高性能的解決方案，從而鞏固我們的市場地位。”

TP65H300G4LSG目前可通過得捷電子和貿(mào)澤電子獲取。