久久久国产精品视频袁燕,99re久久精品国产,亚洲欧美日韩国产综合v,天天躁夜夜躁狠狠久久,激情五月婷婷激情五月婷婷

  • 回復
  • 收藏
  • 點贊
  • 分享
  • 發(fā)新帖

vcore的PWM輸出high side和low side MOSFET的選擇標準

選擇vcore的PWM輸出high side和low side MOSFET的時候有RDS(on),Vgs,Qds這些參數(shù),請問各位選擇high sideMOSFET,和low  side MOSFET分別和什麼參數(shù)有關(guān)?請指點,謝謝!
全部回復(2)
正序查看
倒序查看
alienware
LV.1
2
2019-01-27 06:51
Rdson是導通損耗，Qds是開關(guān)損耗，Vgs是閾值，分呀發(fā)質(zhì)和飽和導通
0
回復
alienware
LV.1
3
2019-01-27 06:53
high side和導通時間占空比，效率，器件離散性有關(guān)系，一般highside大于low
0
回復
立
即
發(fā)
帖