為什么國產(chǎn)的內(nèi)置三極管或者是MOS管的開關(guān)電源IC，不良率高，都說是外圍靜電引起呢？
為什么國產(chǎn)的內(nèi)置三極管或者是MOS管的開關(guān)電源IC，不良率高，都回說是外圍靜電引起呢？那這樣說的話，就是生產(chǎn)條件不是很好的工廠，就沒有可能使用這一類的IC了？
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分兩方面來說：
其一：國產(chǎn)封裝技術(shù)水平不平穩(wěn)，直接導(dǎo)致封裝出來的產(chǎn)品不夠穩(wěn)定，比較典型的參數(shù)就是抗靜電能力，一般國產(chǎn)半導(dǎo)體抗靜電能力人體是4KV，機(jī)械是250V，還有就是穩(wěn)定性。
另國產(chǎn)的IC封裝和測試，包裝不是一條線完成的，要分廠分段流片的，周轉(zhuǎn)中不可避免的會導(dǎo)致IC晶片的損傷，
些都是國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展的絆腳石
其二：工廠的不規(guī)范作業(yè)也會導(dǎo)致一些不良的產(chǎn)生，比如工作臺不接大地，工人不帶靜電手環(huán)，還有就是切角對元器件的損傷。
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@aczg01987
分兩方面來說：其一：國產(chǎn)封裝技術(shù)水平不平穩(wěn)，直接導(dǎo)致封裝出來的產(chǎn)品不夠穩(wěn)定，比較典型的參數(shù)就是抗靜電能力，一般國產(chǎn)半導(dǎo)體抗靜電能力人體是4KV，機(jī)械是250V，還有就是穩(wěn)定性。另國產(chǎn)的IC封裝和測試，包裝不是一條線完成的，要分廠分段流片的，周轉(zhuǎn)中不可避免的會導(dǎo)致IC晶片的損傷， 些都是國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展的絆腳石其二：工廠的不規(guī)范作業(yè)也會導(dǎo)致一些不良的產(chǎn)生，比如工作臺不接大地，工人不帶靜電手環(huán)，還有就是切角對元器件的損傷。
嗯，屬于頭痛的問題……
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@aczg01987
分兩方面來說：其一：國產(chǎn)封裝技術(shù)水平不平穩(wěn)，直接導(dǎo)致封裝出來的產(chǎn)品不夠穩(wěn)定，比較典型的參數(shù)就是抗靜電能力，一般國產(chǎn)半導(dǎo)體抗靜電能力人體是4KV，機(jī)械是250V，還有就是穩(wěn)定性。另國產(chǎn)的IC封裝和測試，包裝不是一條線完成的，要分廠分段流片的，周轉(zhuǎn)中不可避免的會導(dǎo)致IC晶片的損傷， 些都是國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展的絆腳石其二：工廠的不規(guī)范作業(yè)也會導(dǎo)致一些不良的產(chǎn)生，比如工作臺不接大地，工人不帶靜電手環(huán)，還有就是切角對元器件的損傷。
謝謝你的回答。
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@aczg01987
分兩方面來說：其一：國產(chǎn)封裝技術(shù)水平不平穩(wěn)，直接導(dǎo)致封裝出來的產(chǎn)品不夠穩(wěn)定，比較典型的參數(shù)就是抗靜電能力，一般國產(chǎn)半導(dǎo)體抗靜電能力人體是4KV，機(jī)械是250V，還有就是穩(wěn)定性。另國產(chǎn)的IC封裝和測試，包裝不是一條線完成的，要分廠分段流片的，周轉(zhuǎn)中不可避免的會導(dǎo)致IC晶片的損傷， 些都是國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展的絆腳石其二：工廠的不規(guī)范作業(yè)也會導(dǎo)致一些不良的產(chǎn)生，比如工作臺不接大地，工人不帶靜電手環(huán)，還有就是切角對元器件的損傷。
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