參考張工的1500w，自己做了個推挽前級，但是為什么每次上電就會把irf1404的GD端擊穿，驅(qū)動電阻直接燒黑？？
驅(qū)動信號是單片機提供，輸入TPL250轉(zhuǎn)換成12V
求助，推挽升壓，為什么每次都會擊穿mosfet的GD端？？？？
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@daiyue191
你好，推挽我占空比最大不到95%所以應該不需要死區(qū)的.
你的語句有問題。
1.既然叫推挽，一管導通時，另一管截止，一個周期內(nèi)最大的程度應該是各導通一半的時間，亦即是每管的占空比是最大也是50%，何來占空95%之說？難道你做的推挽兩管導通時間都不同的嗎？或者說你兩管相同的，占空比加起來不超過95%？都不重要了，無論你如何，我所說的死區(qū)指的是一個管截止后要延時一定的時間，另一管才能導通。這段時間幾us足以。不需要死區(qū)的說法是錯誤的，不過變壓器設計在2KHZ以下推挽頻率下不加延時語句也不會產(chǎn)生燒管的現(xiàn)象，但不意味著死區(qū)不存在，而是低頻率的驅(qū)動時間自身化解了上下場管共通的避免時間了。像你如果搞幾十KHZ設計的磁芯的話，不加死區(qū)時間意味著實驗的失敗。
2.但單片機上電時刻是不穩(wěn)定的，IO口都有導通的現(xiàn)象，所以單片機IO口應該經(jīng)過門電路和阻容的延時達到避免上電時IO口同時導通的現(xiàn)象。
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