TLP250驅(qū)動MOS出現(xiàn)了問題
我用TLP250直接驅(qū)動MOS管，工作時波形都很正常，也不錯。但當斷掉光藕的15V輔電時意外出現(xiàn)了，發(fā)現(xiàn)一個橋臂的兩個MOS管直通了，用示波器測量斷電瞬間MOS管驅(qū)動GS出現(xiàn)了2V左右的一個尖峰，所以導致直通了。大家分析下為什么會出現(xiàn)這個尖峰啊。我后來在不接MOS管情況下，斷掉光藕的15V輔電時直接測量，光藕的6腳還有尖峰。難道TLP250自身就有這個問題？？？？？？？求證啊，各位高手?。?！怎么能去掉這個尖峰呢？？？？
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當你斷掉輔電，也就是間接斷掉快速泄放回路，單純靠并聯(lián)的10K電阻回路泄放，導致MOS電荷不能及時泄放，而DS仍有較大電流流過，那么G相對S極有個電壓也不足為奇了。再則由于關斷的時間延長，MOS管內(nèi)部多重因素的效應最終導致?lián)p壞。
其實把這思想用在分析IGBT也一樣，IGBT就是一個元件，制造出來本身就有其自身的特性。雖然本人也不能精確知道微觀原因。但宏觀也是知道一些，綜合IGBT的簡介，IGBT由MOS管和PNP管復合，MOS管在前,PNP在后。當功率管的瞬間電流越大，驅(qū)動的保護要求就越明顯。因此也就是為什么IGBT既要驅(qū)動而最好要負壓來達到加速關斷的效果來保證，又要過流保證等多重保證的原因。
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@pppyyy02
當你斷掉輔電，也就是間接斷掉快速泄放回路，單純靠并聯(lián)的10K電阻回路泄放，導致MOS電荷不能及時泄放，而DS仍有較大電流流過，那么G相對S極有個電壓也不足為奇了。再則由于關斷的時間延長，MOS管內(nèi)部多重因素的效應最終導致?lián)p壞。其實把這思想用在分析IGBT也一樣，IGBT就是一個元件，制造出來本身就有其自身的特性。雖然本人也不能精確知道微觀原因。但宏觀也是知道一些，綜合IGBT的簡介，IGBT由MOS管和PNP管復合，MOS管在前,PNP在后。當功率管的瞬間電流越大，驅(qū)動的保護要求就越明顯。因此也就是為什么IGBT既要驅(qū)動而最好要負壓來達到加速關斷的效果來保證，又要過流保證等多重保證的原因。
可是驅(qū)動電路不都是這樣的么？那依照你的說法，這個電路應該如何改進呢？
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@pppyyy02
當你斷掉輔電，也就是間接斷掉快速泄放回路，單純靠并聯(lián)的10K電阻回路泄放，導致MOS電荷不能及時泄放，而DS仍有較大電流流過，那么G相對S極有個電壓也不足為奇了。再則由于關斷的時間延長，MOS管內(nèi)部多重因素的效應最終導致?lián)p壞。其實把這思想用在分析IGBT也一樣，IGBT就是一個元件，制造出來本身就有其自身的特性。雖然本人也不能精確知道微觀原因。但宏觀也是知道一些，綜合IGBT的簡介，IGBT由MOS管和PNP管復合，MOS管在前,PNP在后。當功率管的瞬間電流越大，驅(qū)動的保護要求就越明顯。因此也就是為什么IGBT既要驅(qū)動而最好要負壓來達到加速關斷的效果來保證，又要過流保證等多重保證的原因。
并且依據(jù)樓主的描述，他沒有加驅(qū)動信號，那么按道理推挽輸出應該都是閉合的，也就是說應該沒有對MOS的等效電容沖過電，那這個放電又是怎么來的呢？
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