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RCC頻率再分析

 

rrcc頻率分析

關(guān)于rcc的頻率問題,大家曾經(jīng)討論過不少,我現(xiàn)在回想起以前的理解發(fā)現(xiàn)也有不少錯誤的地方,現(xiàn)在想重新整理一下思路,希望大家多指正。首先有如下關(guān)系:

f=1/T

T=Ton+Toff

首先我們要搞清楚Ton和Toff的轉(zhuǎn)折點(diǎn),影響這個轉(zhuǎn)折點(diǎn)的原因有很多,我們把電路最簡化,有利于分析rcc振蕩原理


1.基極二極管和基極電容,以前我發(fā)過一個帖子分析基極二極管和基極電容,現(xiàn)在看來也有問題,這兩個元件不是影響頻率的比要原因,更基本的rcc電路本身可以沒有這兩個元件,只有一個基極電阻也是可以的,更甚至在小功率里沒有這個基極電阻也是可能的。


2.啟動電阻也不是rcc電路的必須元件,只是沒這個元件可能不容易啟動。


3.反饋環(huán)路,如果不需要穩(wěn)壓,開環(huán)也是可以的,因此開環(huán)也可以去掉。


到現(xiàn)在我們最簡化的rcc電路只剩下了一個開關(guān)管,一個初級線圈,一個次級線圈,一個反饋線圈,一個次級二極管,負(fù)載電阻。


如果開關(guān)管和變壓器是理想元件,這個電路是無法工作的,因?yàn)槔硐朐儔浩鞑粫柡?,開關(guān)管也不會飽和,這樣一直是正反饋,電路根本不會反轉(zhuǎn),但是如果我們讓其中的一些元件現(xiàn)實(shí)化,這個電路就可能工作起來。


首先我們假設(shè)開關(guān)管不是理想的,變壓器是理想的,那么開關(guān)管就可能飽和,飽和后流過開關(guān)管的C極的電流不能繼續(xù)增加,磁通變化率降低到0,反饋線圈的電壓也下降,開關(guān)管驅(qū)動不足,最終可以反轉(zhuǎn)進(jìn)入到關(guān)閉環(huán)節(jié)。


其次我們再假設(shè)開關(guān)管是理想的,變壓器不是理想的,那么變壓器總有一個時刻是飽和的,飽和后磁通變化率也將下降到0,反饋線圈的電壓也下降,開關(guān)管驅(qū)動不足,最終可以反轉(zhuǎn)進(jìn)入到關(guān)閉環(huán)節(jié)。


現(xiàn)實(shí)情況是開關(guān)管和變壓器都不是理想的,因此電路將和木桶理論一樣,最低的短板決定儲水量,開關(guān)管和變壓器哪個先飽和,哪個就起作用促使電路反轉(zhuǎn)。

其他電路都是在最基本的電路基礎(chǔ)上添加各種元件改善基本電路的性能。

因?yàn)橥ㄟ^飽和方式來進(jìn)行反轉(zhuǎn)損耗比較大,因此一般是通過限流的方式來實(shí)現(xiàn)磁通量變化率降低為0的,限流的方式有分為多種,B極限流,E極限流。其中B極限流又分為串電阻和串電容限流或者是兩者結(jié)合。如果通過B極電阻限流,C極最大電流IcMax=Ib*hfe,通過B極電容的方式稍微復(fù)雜,因?yàn)殡娙萃ㄟ^的電流和頻率相關(guān),但是我很喜歡通過B極電容限流這種方式,因?yàn)檫@種方式驅(qū)動損耗大大減小了,但是B極電容限流這種方式有個問題就是在頻率較低的情況下,電流較小,功率難以做大,因此出現(xiàn)了B極電容并二極管的電路,不加二極管的時候B極電容可以限流,加上二極管后電流可能變的很大,一般為了保護(hù)開關(guān)管,一般會配合E極限流一起使用。說了這么多方式最本質(zhì)性的還是一個,使磁通變化率下降到0,反饋線圈電壓下降,驅(qū)動不足,實(shí)現(xiàn)反轉(zhuǎn)。


上面我們分析了Ton到Toff的轉(zhuǎn)變時間點(diǎn),現(xiàn)在再來分析哪些因素影響Ton和Toff。


反激電路本質(zhì)上講就是一個電感,能量轉(zhuǎn)換過程就是對電感充電和放電的過程,充電時間Ton,放電時間Toff,對于開環(huán)電路,這兩個過程是相互獨(dú)立的,彼此不受影響,所以初級條件的變化只影響Ton,次級的變化只影響Toff,T=Ton+Toff一起才影響頻率f。


Ton:不論哪種形式,在磁通變化率下降為0時有個最大安匝數(shù),所有影響達(dá)到安匝數(shù)的因素都會影響Ton的大小,對于給定的變壓器,匝數(shù)是固定的,那么變化的就是電流,也就是初級最大電流IcMax,Ic=Uin*Ton/Lp,IcMax恒定,那么電壓越高,達(dá)到IcMax的時間Ton就越短,如果輸入電壓恒定,那么初級電感越小,達(dá)到IcMax的時間Ton也越短。


Toff:影響Toff的只有次級邊條件的變化,Toff的過程就是一個電感放電的過程,電感放電有個特點(diǎn),遇強(qiáng)則強(qiáng),遇弱則弱,對于電阻負(fù)載,電阻越大,放電電壓越高,功率越大,放電時間越短,極端點(diǎn)兒,電阻為0,就成了超導(dǎo)體儲能電感,電流永久持續(xù)Toff趨向于無窮大,電阻越大,放電時間Toff越短。對于電容負(fù)載,電容上的起始電壓越高,電感放電時間越短。對于輸入電壓恒定,負(fù)載越大,一般次級電容上的電壓也被拉的越低,放電時間Toff越長,這也是普通的Rcc隨負(fù)載頻率降低的原因,實(shí)際上我們可以改進(jìn)一下電路完全可以實(shí)現(xiàn)負(fù)載越重頻率越高,做成頻率正比于輸出功率的一個RCC來,關(guān)鍵點(diǎn)在于我們要做出一個電感放電條件不隨輸出功率變化而變化的一個電路來。


我作為一個電子業(yè)余愛好者,對這個RCC電路很是著迷,一直想搞清楚具體原理,但是搜遍網(wǎng)上,眾說紛紜,難辨真?zhèn)危詈笥米约旱目捶ㄖ匦路治隽艘幌逻@個電路的頻率關(guān)系,希望大家多多指正不足之處,我也知道在IC如此便宜的時代可能這樣一個自激電路適用范圍已經(jīng)大大降低,但是正確理解這個電路的動作模式對于其他電路的制作也有利無害。

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wywa123
LV.1
2
2013-03-16 22:46
頂,學(xué)習(xí)
0
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2013-03-19 11:55
我們假設(shè)如下變量:
-----------------------------------
Up輸入電壓,Us輸出電壓
Ip初級最大電流,Lp初級電感量,Np初級匝數(shù)
Is次級最大電流,Ls次級電感量,Ns次級匝數(shù)
Ton導(dǎo)通時間,Toff關(guān)斷時間,T周期,f頻率

已知:
-----------------------------------
Ip=Up*Ton/Lp
Is=Us*Toff/Ls
Ip*Np=Is*Ns
Np^2/Ns^2=Lp/Ls
T=Ton+Toff
f=1/T

推導(dǎo):
-----------------------------------
Ton=Ip*Lp/Up
Toff=Is*Ls/Us
f=1/(Ip*Lp/Up+Is*Ls/Us)
-----------------------------------

驗(yàn)證:
-----------------------------------
Ip=0.1,Lp=4.5m,Np=200
Is=2.5,Ls=0.18m,Ns=8
Up=300,Us=15
f=1/(Ip*Lp/Up+Is*Ls/Us)
f=1[(0.1*4.5*1e-3)/300+(2.5*0.18*1e-3)/15]
f=31.7k

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suichan
LV.3
4
2013-04-08 14:02
@MicroSound
我們假設(shè)如下變量:-----------------------------------Up輸入電壓,Us輸出電壓Ip初級最大電流,Lp初級電感量,Np初級匝數(shù)Is次級最大電流,Ls次級電感量,Ns次級匝數(shù)Ton導(dǎo)通時間,Toff關(guān)斷時間,T周期,f頻率已知:-----------------------------------Ip=Up*Ton/LpIs=Us*Toff/LsIp*Np=Is*NsNp^2/Ns^2=Lp/LsT=Ton+Tofff=1/T推導(dǎo):-----------------------------------Ton=Ip*Lp/UpToff=Is*Ls/Usf=1/(Ip*Lp/Up+Is*Ls/Us)-----------------------------------驗(yàn)證:-----------------------------------Ip=0.1,Lp=4.5m,Np=200Is=2.5,Ls=0.18m,Ns=8Up=300,Us=15f=1/(Ip*Lp/Up+Is*Ls/Us)f=1[(0.1*4.5*1e-3)/300+(2.5*0.18*1e-3)/15]f=31.7k
不好意思,此驗(yàn)證我算得的值好像是31.75KHz呀?
麻煩您確認(rèn)一下
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2013-05-04 16:29
@suichan
不好意思,此驗(yàn)證我算得的值好像是31.75KHz呀?麻煩您確認(rèn)一下

不好意思,最近我沒有上線,我重新計(jì)算了一下你的計(jì)算是正確的

這個只是我理論的計(jì)算數(shù)值,還是希望能有實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證一下是否正確

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2013-05-24 23:03
@MicroSound
不好意思,最近我沒有上線,我重新計(jì)算了一下你的計(jì)算是正確的這個只是我理論的計(jì)算數(shù)值,還是希望能有實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證一下是否正確

我會跟著大俠好好學(xué)習(xí)的

0
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batteryli
LV.4
7
2013-05-29 23:52
@MicroSound
我們假設(shè)如下變量:-----------------------------------Up輸入電壓,Us輸出電壓Ip初級最大電流,Lp初級電感量,Np初級匝數(shù)Is次級最大電流,Ls次級電感量,Ns次級匝數(shù)Ton導(dǎo)通時間,Toff關(guān)斷時間,T周期,f頻率已知:-----------------------------------Ip=Up*Ton/LpIs=Us*Toff/LsIp*Np=Is*NsNp^2/Ns^2=Lp/LsT=Ton+Tofff=1/T推導(dǎo):-----------------------------------Ton=Ip*Lp/UpToff=Is*Ls/Usf=1/(Ip*Lp/Up+Is*Ls/Us)-----------------------------------驗(yàn)證:-----------------------------------Ip=0.1,Lp=4.5m,Np=200Is=2.5,Ls=0.18m,Ns=8Up=300,Us=15f=1/(Ip*Lp/Up+Is*Ls/Us)f=1[(0.1*4.5*1e-3)/300+(2.5*0.18*1e-3)/15]f=31.7k

小弟對RCC也是非常著迷,看到房主對RCC的理解,想必是花了相當(dāng)長時間的研究吧,在這把自己對RCC的理解也說說:

1、RCC無啟動電阻確實(shí)可以啟動,原因在于BJT的C-B間的結(jié)電容引起,但不是百分百穩(wěn)定啟動。

2、限制Ton的因素有多種,如果沒有反饋來管制時,在給定一個Ib值后,那么根據(jù)BJT的輸出特性曲線,這個Ib所對應(yīng)的Ic曲線就會在腦海中形成,Ic所對應(yīng)的Vce也會在腦海中形成,這時,Ton增加Ip上升,直到上升到Ib*hFE這個拐點(diǎn)之時,BJT進(jìn)入放大區(qū),由此時Ic對應(yīng)的Vce曲線可以清楚地表示出Vce開始增加了,這導(dǎo)致變壓器電壓下降,反饋繞組電壓下降,Ib下降,Ib對應(yīng)的Ic曲線下降,Ic在此一瞬間不能上升而轉(zhuǎn)為下降,電壓極性反轉(zhuǎn),Ton結(jié)束。

在基極串電阻和電容,使得基極電流為指數(shù)下降,這是一個RC時間常數(shù)結(jié)構(gòu),跟Ton同步,當(dāng)Ib下降到Ib1,Ic上升到Ic1,此時Ton結(jié)束,那么必定是Ic1=hFE*Ib1這個時候Ton結(jié)束。

3.穩(wěn)態(tài)時RCC工作于BCM狀態(tài),頻率很容易計(jì)算:fs=0.5*(Vi*D)^2/Lp/Po,當(dāng)然我們很難抓到最低頻率,因?yàn)檫@發(fā)生在最小輸入電壓時,而最小輸入電壓為大電容的谷值電壓,我們抓電壓波形只能抓到大電容的峰值電壓,這個我還沒辦法。

4.相信房主對RCC還有很多理解,希望可以發(fā)表一下,這也挺有思想的。

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2013-06-06 16:15
@batteryli
小弟對RCC也是非常著迷,看到房主對RCC的理解,想必是花了相當(dāng)長時間的研究吧,在這把自己對RCC的理解也說說:1、RCC無啟動電阻確實(shí)可以啟動,原因在于BJT的C-B間的結(jié)電容引起,但不是百分百穩(wěn)定啟動。2、限制Ton的因素有多種,如果沒有反饋來管制時,在給定一個Ib值后,那么根據(jù)BJT的輸出特性曲線,這個Ib所對應(yīng)的Ic曲線就會在腦海中形成,Ic所對應(yīng)的Vce也會在腦海中形成,這時,Ton增加Ip上升,直到上升到Ib*hFE這個拐點(diǎn)之時,BJT進(jìn)入放大區(qū),由此時Ic對應(yīng)的Vce曲線可以清楚地表示出Vce開始增加了,這導(dǎo)致變壓器電壓下降,反饋繞組電壓下降,Ib下降,Ib對應(yīng)的Ic曲線下降,Ic在此一瞬間不能上升而轉(zhuǎn)為下降,電壓極性反轉(zhuǎn),Ton結(jié)束。在基極串電阻和電容,使得基極電流為指數(shù)下降,這是一個RC時間常數(shù)結(jié)構(gòu),跟Ton同步,當(dāng)Ib下降到Ib1,Ic上升到Ic1,此時Ton結(jié)束,那么必定是Ic1=hFE*Ib1這個時候Ton結(jié)束。3.穩(wěn)態(tài)時RCC工作于BCM狀態(tài),頻率很容易計(jì)算:fs=0.5*(Vi*D)^2/Lp/Po,當(dāng)然我們很難抓到最低頻率,因?yàn)檫@發(fā)生在最小輸入電壓時,而最小輸入電壓為大電容的谷值電壓,我們抓電壓波形只能抓到大電容的峰值電壓,這個我還沒辦法。4.相信房主對RCC還有很多理解,希望可以發(fā)表一下,這也挺有思想的。
對于bjt做開關(guān)來講,一個很大的缺點(diǎn)是驅(qū)動損耗,有什么辦法可以降低驅(qū)動損耗呢,我的一個思想就是通過電容的容抗來代替驅(qū)動電阻,因?yàn)殡娙萑菘故菦]有損耗的(理想狀態(tài)下,至少相對電阻來講小了很多),rcc中剛好可以利用這點(diǎn)來減少驅(qū)動損耗,如上個例子,我們通過開環(huán)條件計(jì)算出頻率為31.7k,假設(shè)通過器件手冊查得在0.1A時的hfe=10,根據(jù)Ic=Ib*hfe計(jì)算出Ib=0.1/10=0.01A,根據(jù)匝比一匝300/200=1.5v,取4匝數(shù)反饋繞組,反饋電壓=1.5*4=6v,然后通過Rb=Ub/Ib=6/0.01=600計(jì)算出基極容抗為600歐姆,然后再根據(jù)Xc=1/(2*pi*f*c)求得c=0.008uf我們可以取0.01uf大概是103的電容就可以了,這樣我們的bjt基極就不用串電阻,直接串個103的電容就可以了,如此一來驅(qū)動損耗大大減少了
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batteryli
LV.4
9
2013-06-15 08:16
@MicroSound
對于bjt做開關(guān)來講,一個很大的缺點(diǎn)是驅(qū)動損耗,有什么辦法可以降低驅(qū)動損耗呢,我的一個思想就是通過電容的容抗來代替驅(qū)動電阻,因?yàn)殡娙萑菘故菦]有損耗的(理想狀態(tài)下,至少相對電阻來講小了很多),rcc中剛好可以利用這點(diǎn)來減少驅(qū)動損耗,如上個例子,我們通過開環(huán)條件計(jì)算出頻率為31.7k,假設(shè)通過器件手冊查得在0.1A時的hfe=10,根據(jù)Ic=Ib*hfe計(jì)算出Ib=0.1/10=0.01A,根據(jù)匝比一匝300/200=1.5v,取4匝數(shù)反饋繞組,反饋電壓=1.5*4=6v,然后通過Rb=Ub/Ib=6/0.01=600計(jì)算出基極容抗為600歐姆,然后再根據(jù)Xc=1/(2*pi*f*c)求得c=0.008uf我們可以取0.01uf大概是103的電容就可以了,這樣我們的bjt基極就不用串電阻,直接串個103的電容就可以了,如此一來驅(qū)動損耗大大減少了
我覺得利用容抗是針對電量的有效值在一個周期內(nèi)的損耗有效的,而且你所引用的還是在正弦波時有效值的計(jì)算方式,但我們這個RCC正反饋的RC電路,我覺得還是在Ton時期內(nèi)的時間常數(shù)是重點(diǎn),它提供了一個按指數(shù)下降的基極驅(qū)動電流,如你所述,減少電阻值確實(shí)能提高效率,但是如果不在電阻,僅用一只電容的話,在Ton的瞬間,正反饋電壓會對基極提供一個非常大的驅(qū)動電流,對應(yīng)的Ic值也可以達(dá)到最大,但此時的Ic才從0開始上升呢,所以這時是白白損耗掉了。我做過實(shí)驗(yàn),這個電阻取掉對效率不會有大的提升。
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MicroSound
LV.5
10
2013-06-16 13:50
@batteryli
我覺得利用容抗是針對電量的有效值在一個周期內(nèi)的損耗有效的,而且你所引用的還是在正弦波時有效值的計(jì)算方式,但我們這個RCC正反饋的RC電路,我覺得還是在Ton時期內(nèi)的時間常數(shù)是重點(diǎn),它提供了一個按指數(shù)下降的基極驅(qū)動電流,如你所述,減少電阻值確實(shí)能提高效率,但是如果不在電阻,僅用一只電容的話,在Ton的瞬間,正反饋電壓會對基極提供一個非常大的驅(qū)動電流,對應(yīng)的Ic值也可以達(dá)到最大,但此時的Ic才從0開始上升呢,所以這時是白白損耗掉了。我做過實(shí)驗(yàn),這個電阻取掉對效率不會有大的提升。

"在Ton的瞬間,正反饋電壓會對基極提供一個非常大的驅(qū)動電流"

對于這點(diǎn)我有點(diǎn)疑問,因?yàn)榉答伨€圈和基極限流電容形成一個LC回路,這個電流不會突然增加,反饋線圈本質(zhì)上還是一個電感,不會讓電流突變到一個很大的數(shù)值

我做過實(shí)驗(yàn),這個電阻取掉對效率不會有大的提升

對于rcc電路來講,電阻損耗主要來源于啟動電阻的電阻R1的損耗還有基極電阻R2的電阻損耗,此外次級防止空載泄放電阻R3,R1,R2這兩方面的損耗也很相當(dāng)大一部分,特別是Ic很大而hfe不大的情況下Ib需要一個較大的數(shù)值才能維持平衡

bjt相對于mosfet在開關(guān)電源中處于劣勢一個很主要的原因就是隨著功率的增大無法有效的減小驅(qū)動損耗

當(dāng)然我上面的想法都只是我的一個想法,并沒有切實(shí)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)支撐,如果有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)證明以上想法正確或者錯誤當(dāng)然更好

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batteryli
LV.4
11
2013-06-16 20:27
@MicroSound
"在Ton的瞬間,正反饋電壓會對基極提供一個非常大的驅(qū)動電流"對于這點(diǎn)我有點(diǎn)疑問,因?yàn)榉答伨€圈和基極限流電容形成一個LC回路,這個電流不會突然增加,反饋線圈本質(zhì)上還是一個電感,不會讓電流突變到一個很大的數(shù)值“我做過實(shí)驗(yàn),這個電阻取掉對效率不會有大的提升”對于rcc電路來講,電阻損耗主要來源于啟動電阻的電阻R1的損耗還有基極電阻R2的電阻損耗,此外次級防止空載泄放電阻R3,R1,R2這兩方面的損耗也很相當(dāng)大一部分,特別是Ic很大而hfe不大的情況下Ib需要一個較大的數(shù)值才能維持平衡bjt相對于mosfet在開關(guān)電源中處于劣勢一個很主要的原因就是隨著功率的增大無法有效的減小驅(qū)動損耗當(dāng)然我上面的想法都只是我的一個想法,并沒有切實(shí)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)支撐,如果有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)證明以上想法正確或者錯誤當(dāng)然更好

正反饋的繞組會產(chǎn)生任意大小,任意變化率的電流,正反饋是一個電壓源,其電流僅是由負(fù)載決定,這里不再是電感特性來理解了,我們知道一個變壓器的模型是激磁電感+理想變壓器,理想變壓器可以用有磁模型和無磁模型來理解,正反饋(正激)時,次邊電流會反射到原邊去,跟原邊的激磁電感并聯(lián)在一個電壓源(輸入電壓)上合成總電流,電感電流不突變是事實(shí),但這里的反饋繞組正激(這里的正反饋沒有像正激開關(guān)電源那樣在次邊串一個儲能電感組成Buck電路)沒有電感,所以其電流由匝比電壓源+RC值+BJT的基-射極三者形成驅(qū)動回路,驅(qū)動電流是典型的RC指數(shù)下降波形,此驅(qū)動電流按匝比反射到初級繞組,與BJT的峰值電流相加,即為輸入電流波形。

如你所述RCC損耗產(chǎn)生的元件,我也同意,如果取值不是偏差太大,在相當(dāng)大的一個范圍內(nèi)是合理的,在合理的范圍內(nèi)再調(diào)整取值(啟動電阻再加大、RC支路中的電阻再改小、假負(fù)載再加大)效率不會有明顯的提升,但這是一個提高效率的方向。

BJT做的RCC確實(shí)效率比MOSFET低,特別是開關(guān)頻率不能太高,取40K往上就不敢再加了,但有時候變壓器不夠用,取到80K也用過,BJT發(fā)熱明顯加劇。另外我做實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)峰值電流越小,效率就越好,這個不知道怎么來解釋。目前我調(diào)機(jī)主要有兩個方向:低頻率和小的峰值電流設(shè)計(jì),這形成了心理依賴性,調(diào)一個機(jī)子要花費(fèi)大量的時間精力去反復(fù)分析那些參數(shù)變化導(dǎo)致性能變好,根本原因是什么。

0
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batteryli
LV.4
12
2013-06-16 20:49
@MicroSound
"在Ton的瞬間,正反饋電壓會對基極提供一個非常大的驅(qū)動電流"對于這點(diǎn)我有點(diǎn)疑問,因?yàn)榉答伨€圈和基極限流電容形成一個LC回路,這個電流不會突然增加,反饋線圈本質(zhì)上還是一個電感,不會讓電流突變到一個很大的數(shù)值“我做過實(shí)驗(yàn),這個電阻取掉對效率不會有大的提升”對于rcc電路來講,電阻損耗主要來源于啟動電阻的電阻R1的損耗還有基極電阻R2的電阻損耗,此外次級防止空載泄放電阻R3,R1,R2這兩方面的損耗也很相當(dāng)大一部分,特別是Ic很大而hfe不大的情況下Ib需要一個較大的數(shù)值才能維持平衡bjt相對于mosfet在開關(guān)電源中處于劣勢一個很主要的原因就是隨著功率的增大無法有效的減小驅(qū)動損耗當(dāng)然我上面的想法都只是我的一個想法,并沒有切實(shí)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)支撐,如果有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)證明以上想法正確或者錯誤當(dāng)然更好

  

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MicroSound
LV.5
13
2013-06-18 19:59
@batteryli
正反饋的繞組會產(chǎn)生任意大小,任意變化率的電流,正反饋是一個電壓源,其電流僅是由負(fù)載決定,這里不再是電感特性來理解了,我們知道一個變壓器的模型是激磁電感+理想變壓器,理想變壓器可以用有磁模型和無磁模型來理解,正反饋(正激)時,次邊電流會反射到原邊去,跟原邊的激磁電感并聯(lián)在一個電壓源(輸入電壓)上合成總電流,電感電流不突變是事實(shí),但這里的反饋繞組正激(這里的正反饋沒有像正激開關(guān)電源那樣在次邊串一個儲能電感組成Buck電路)沒有電感,所以其電流由匝比電壓源+RC值+BJT的基-射極三者形成驅(qū)動回路,驅(qū)動電流是典型的RC指數(shù)下降波形,此驅(qū)動電流按匝比反射到初級繞組,與BJT的峰值電流相加,即為輸入電流波形。如你所述RCC損耗產(chǎn)生的元件,我也同意,如果取值不是偏差太大,在相當(dāng)大的一個范圍內(nèi)是合理的,在合理的范圍內(nèi)再調(diào)整取值(啟動電阻再加大、RC支路中的電阻再改小、假負(fù)載再加大)效率不會有明顯的提升,但這是一個提高效率的方向。BJT做的RCC確實(shí)效率比MOSFET低,特別是開關(guān)頻率不能太高,取40K往上就不敢再加了,但有時候變壓器不夠用,取到80K也用過,BJT發(fā)熱明顯加劇。另外我做實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)峰值電流越小,效率就越好,這個不知道怎么來解釋。目前我調(diào)機(jī)主要有兩個方向:低頻率和小的峰值電流設(shè)計(jì),這形成了心理依賴性,調(diào)一個機(jī)子要花費(fèi)大量的時間精力去反復(fù)分析那些參數(shù)變化導(dǎo)致性能變好,根本原因是什么。

另外我做實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)峰值電流越小,效率就越好,這個不知道怎么來解釋

對于這一點(diǎn)我的理解是,峰值電流越小,hfe越大,同樣驅(qū)動電流Ib越小,因此效率越高,對于你說的反饋繞組相當(dāng)于一個電壓源的說法我也贊同,如果我那個方案不可行的話,看來還要尋找其他的減少驅(qū)動損耗的方案來才行,在我的理解bjt在大功率時不能有效降低驅(qū)動損耗,是bjt大功率應(yīng)用限制的一個很關(guān)鍵的因素

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MicroSound
LV.5
14
2013-06-18 20:06
@batteryli
[圖片][圖片]  
我有個方案可以用一個開關(guān)管代替基極二極管VD3,同時去掉基極電阻R1,通過這個開關(guān)管做成橫流驅(qū)動來進(jìn)一步減少驅(qū)動損耗
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batteryli
LV.4
15
2013-06-19 11:14
@MicroSound
我有個方案可以用一個開關(guān)管代替基極二極管VD3,同時去掉基極電阻R1,通過這個開關(guān)管做成橫流驅(qū)動來進(jìn)一步減少驅(qū)動損耗

我對你的恒流驅(qū)動方式很感興趣,能不能發(fā)個示意圖呢?

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MicroSound
LV.5
16
2013-06-19 22:06
@batteryli
我對你的恒流驅(qū)動方式很感興趣,能不能發(fā)個示意圖呢?[圖片]

 

我用手機(jī)拍的不是很清楚,但是大致意思應(yīng)該是可以表達(dá),就是用一個小bjt的三極管代替二極管

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2013-06-19 22:39
先做下記號。。
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batteryli
LV.4
18
2013-06-25 12:29
@MicroSound
[圖片] 我用手機(jī)拍的不是很清楚,但是大致意思應(yīng)該是可以表達(dá),就是用一個小bjt的三極管代替二極管
做成恒流驅(qū)動,在高壓輸入時的驅(qū)動損耗就低多了吧,如果對效率要求很高的話可以試下吧,我還沒有見過這種結(jié)構(gòu)的應(yīng)用呢。
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MicroSound
LV.5
19
2013-06-25 19:43
@batteryli
做成恒流驅(qū)動,在高壓輸入時的驅(qū)動損耗就低多了吧[圖片],如果對效率要求很高的話可以試下吧,我還沒有見過這種結(jié)構(gòu)的應(yīng)用呢。[圖片]
如果說驅(qū)動損耗低還是mosfET,但是用mosfet做開關(guān)管一般會在E極做電阻檢測限流
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batteryli
LV.4
20
2013-06-27 12:35
@MicroSound
如果說驅(qū)動損耗低還是mosfET,但是用mosfet做開關(guān)管一般會在E極做電阻檢測限流
這跟BJT有何不同嗎,我覺得就是驅(qū)動電壓(15V)比BJT(5V)高而已,限制峰電流跟兩種開關(guān)管有何關(guān)系呢。
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MicroSound
LV.5
21
2013-06-27 20:06
@batteryli
這跟BJT有何不同嗎,我覺得就是驅(qū)動電壓(15V)比BJT(5V)高而已,限制峰電流跟兩種開關(guān)管有何關(guān)系呢。[圖片]

因?yàn)閙osfet的DS電流和GS電流沒什么正比關(guān)系,因此在大電流的情況下GS的電流可以比bjt的BE電流小很多

因?yàn)閎jt的CE電流和BE有比例關(guān)系,因此只要能限制住BE電流就能控制住CE電流,mosfet的G極電荷在不釋放的情況下會一直保存,DS就會一直導(dǎo)通

所以一般mosfet電路的RCC電路都會做S極限流

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batteryli
LV.4
22
2013-06-28 12:44
@MicroSound
因?yàn)閙osfet的DS電流和GS電流沒什么正比關(guān)系,因此在大電流的情況下GS的電流可以比bjt的BE電流小很多因?yàn)閎jt的CE電流和BE有比例關(guān)系,因此只要能限制住BE電流就能控制住CE電流,mosfet的G極電荷在不釋放的情況下會一直保存,DS就會一直導(dǎo)通所以一般mosfet電路的RCC電路都會做S極限流
我認(rèn)為兩者是一樣呢,MOS的峰值電流增加到驅(qū)動電壓*放大倍數(shù)(輸出電流與輸入電壓的關(guān)系)后,如果再增加就會進(jìn)入放大區(qū)(MOS叫恒流區(qū)吧),此時Vec增加,變壓器電壓下降,反饋電壓下降,驅(qū)動電壓下降,峰值電流瞬間停止增加,反饋電壓降為0,MOS驅(qū)動電壓為0V,這時MOS的G極對地為短路狀態(tài)了啊,所以我學(xué)得兩者一樣呢。
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MicroSound
LV.5
23
2013-06-28 19:36
@batteryli
我認(rèn)為兩者是一樣呢,MOS的峰值電流增加到驅(qū)動電壓*放大倍數(shù)(輸出電流與輸入電壓的關(guān)系)后,如果再增加就會進(jìn)入放大區(qū)(MOS叫恒流區(qū)吧),此時Vec增加,變壓器電壓下降,反饋電壓下降,驅(qū)動電壓下降,峰值電流瞬間停止增加,反饋電壓降為0,MOS驅(qū)動電壓為0V,這時MOS的G極對地為短路狀態(tài)了啊,所以我學(xué)得兩者一樣呢。
建議你仔細(xì)研究一下mosfet的驅(qū)動原理,和bjt有很大的不同的
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batteryli
LV.4
24
2013-07-06 07:52
@MicroSound
建議你仔細(xì)研究一下mosfet的驅(qū)動原理,和bjt有很大的不同的
這段時間確實(shí)復(fù)習(xí)了下MOS,仍只能區(qū)分它與BJT的區(qū)別是一個為電壓控制,一個為電流控制,關(guān)于控制這里兩者意義相同吧,MOS驅(qū)動電壓變化,其漏極電流曲線就變化,與BJT的控制電流變化導(dǎo)致IC曲線的變化意義相同,其它的本質(zhì)上的區(qū)別在實(shí)想不出來。
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batteryli
LV.4
25
2013-07-06 07:53
@batteryli
[圖片]這段時間確實(shí)復(fù)習(xí)了下MOS,仍只能區(qū)分它與BJT的區(qū)別是一個為電壓控制,一個為電流控制,關(guān)于控制這里兩者意義相同吧,MOS驅(qū)動電壓變化,其漏極電流曲線就變化,與BJT的控制電流變化導(dǎo)致IC曲線的變化意義相同,其它的本質(zhì)上的區(qū)別在實(shí)想不出來。
,上班還早,發(fā)兩個圖標(biāo)玩玩。
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wy87305
LV.1
26
2014-10-31 18:00
@dxsmail
先做下記號。。
mark
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