變壓器二個(gè)繞組，省去外圍少許元器件，芯片采用數(shù)字控制，恒流精度3%。
LIS8611最新方案1-24W LIS8512最新方案4-7W
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@楓情揚(yáng)
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LIS8512 是一款專用于LED恒流控制芯片，通過(guò)采用專有的初級(jí)側(cè)LED恒流控制技術(shù)，使系統(tǒng)架構(gòu)得到了最大程度的精簡(jiǎn)。它不但少去了傳統(tǒng)二次側(cè)控制所需的光耦和431等反饋器件，而且還進(jìn)一步少去傳統(tǒng)初級(jí)側(cè)控制架構(gòu)中用于實(shí)現(xiàn)反饋的輔助繞組，反饋電阻以及為IC供電的整流二極管等無(wú)源器件，使系統(tǒng)成本得到極大程度的降低。
由于采用高壓供電，LIS8512系統(tǒng)的輸出電壓范圍得到極大的拓寬，同一驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)可以驅(qū)動(dòng)1--7顆串聯(lián)LED，方便系列機(jī)種應(yīng)用。
萊士電子科技有限公司 王R QQ：34985126
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@楓情揚(yáng)
LIS8512是一款專用于LED恒流控制芯片，通過(guò)采用專有的初級(jí)側(cè)LED恒流控制技術(shù)，使系統(tǒng)架構(gòu)得到了最大程度的精簡(jiǎn)。它不但少去了傳統(tǒng)二次側(cè)控制所需的光耦和431等反饋器件，而且還進(jìn)一步少去傳統(tǒng)初級(jí)側(cè)控制架構(gòu)中用于實(shí)現(xiàn)反饋的輔助繞組，反饋電阻以及為IC供電的整流二極管等無(wú)源器件，使系統(tǒng)成本得到極大程度的降低。由于采用高壓供電，LIS8512系統(tǒng)的輸出電壓范圍得到極大的拓寬，同一驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)可以驅(qū)動(dòng)1--7顆串聯(lián)LED，方便系列機(jī)種應(yīng)用。萊士電子科技有限公司王RQQ：34985126
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要加把勁哦@楓情揚(yáng)
[圖片]要加把勁哦
目前我司SM7523與其他類似型號(hào)對(duì)比分析：
例如:BP
1、此芯片為雙芯片封裝：在控制及MOS管之間需要打五根線，最后才會(huì)將控制+MOS封成SOP8，雙芯片封裝存在很大的風(fēng)險(xiǎn)，因芯片與芯片之間要打線，在封裝的制程工藝上很復(fù)雜、要求相當(dāng)高，經(jīng)常存在打線不牢，或者輕重不一，在終端客戶使用過(guò)程中經(jīng)過(guò)熱漲冷縮，引起芯片與芯片之間管腳脫層，直接影響芯片的可靠性及良率，雙芯片封裝還會(huì)增加炸機(jī)的風(fēng)險(xiǎn)。
2、MOS管的最高耐壓值為：650V（對(duì)變壓器要求嚴(yán)格）。
3、恒流范圍窄，不能帶單顆紅色燈。
4、會(huì)有燈閃爍的問(wèn)題，需要在原副邊增加Y電容解決該問(wèn)題！
SM7523優(yōu)點(diǎn)如下
1、我司SM7523是單芯片的封裝，對(duì)封裝制程工藝要求低、簡(jiǎn)單、可靠性好！
2、我司SM7523是700V高壓MOS工藝，耐壓值可以做到700V以上，我司的成測(cè)指標(biāo)是：730V的標(biāo)準(zhǔn)。
3. 芯片采用高壓內(nèi)部自啟動(dòng)電路，解決外部高壓電阻啟動(dòng)的弊端（如：失效、炸機(jī)、高壓放電）等不穩(wěn)定的因素。
4. 芯片內(nèi)部VDD智能供電電路，解決VDD外部供電問(wèn)題，對(duì)電容的要求不高（如：電容耐壓、容值、ESR\ESL）。
5、我司SM7523可以做到1-3*1W、3*1W，不管什么顏色的燈珠都可以兼容。
6、我司SM7523在3*1W中，效率高達(dá)80%。
http://www.linkage66.com/?GongSiXinWen/MuQianWoSiSM7523YuQi.html
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@suuny
目前我司SM7523與其他類似型號(hào)對(duì)比分析：例如:BP1、此芯片為雙芯片封裝：在控制及MOS管之間需要打五根線，最后才會(huì)將控制+MOS封成SOP8，雙芯片封裝存在很大的風(fēng)險(xiǎn)，因芯片與芯片之間要打線，在封裝的制程工藝上很復(fù)雜、要求相當(dāng)高，經(jīng)常存在打線不牢，或者輕重不一，在終端客戶使用過(guò)程中經(jīng)過(guò)熱漲冷縮，引起芯片與芯片之間管腳脫層，直接影響芯片的可靠性及良率，雙芯片封裝還會(huì)增加炸機(jī)的風(fēng)險(xiǎn)。2、MOS管的最高耐壓值為：650V（對(duì)變壓器要求嚴(yán)格）。3、恒流范圍窄，不能帶單顆紅色燈。4、會(huì)有燈閃爍的問(wèn)題，需要在原副邊增加Y電容解決該問(wèn)題！SM7523優(yōu)點(diǎn)如下1、我司SM7523是單芯片的封裝，對(duì)封裝制程工藝要求低、簡(jiǎn)單、可靠性好！2、我司SM7523是700V高壓MOS工藝，耐壓值可以做到700V以上，我司的成測(cè)指標(biāo)是：730V的標(biāo)準(zhǔn)。3.芯片采用高壓內(nèi)部自啟動(dòng)電路，解決外部高壓電阻啟動(dòng)的弊端（如：失效、炸機(jī)、高壓放電）等不穩(wěn)定的因素。4.芯片內(nèi)部VDD智能供電電路，解決VDD外部供電問(wèn)題，對(duì)電容的要求不高（如：電容耐壓、容值、ESR\ESL）。5、我司SM7523可以做到1-3*1W、3*1W，不管什么顏色的燈珠都可以兼容。6、我司SM7523在3*1W中，效率高達(dá)80%。http://www.linkage66.com/?GongSiXinWen/MuQianWoSiSM7523YuQi.html
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