1  MOS的幾個(gè)基本參數(shù)，VDS（DS間的耐壓）  VGH（MOS管開(kāi)啟電壓）

 2 作為電源的MOS，選型時(shí)候首先看VDS 與IDS，如果規(guī)格書(shū)給出的VDS 與IDS 有任何一項(xiàng)在你的使用方式以下，那就絕對(duì)不能用。

 3 用你實(shí)際使用的平均電流與實(shí)際MOS管的RDSON，算出產(chǎn)熱，根據(jù)熱阻，判斷你需要的MOS管封裝，選型MOS。

切記，對(duì)于不同的VGH，MOS會(huì)產(chǎn)生不同的RDSON，個(gè)人認(rèn)為，如果IC驅(qū)動(dòng)MOS的能力不夠，更換大MOS與選擇OP來(lái)增大MOS的驅(qū)動(dòng)能力，也許后者性價(jià)比更高，我一直有這個(gè)想法，但是從來(lái)沒(méi)有試過(guò)，哪位兄弟試試看，是否有改善。

 4 MOS損壞的原因有大電壓擊穿，或者大電流產(chǎn)熱，在RDSON不變的情況下，I2R產(chǎn)生熱，此熱完全降落在MOS內(nèi)，根據(jù)MOS管的熱阻，如果產(chǎn)生的熱過(guò)大，將使MOS管溫度過(guò)高，從而進(jìn)入正反饋，溫度越高RDSON越大，導(dǎo)致最終燒壞。

5 在一些高壓MOS中，如PFC線路，常出現(xiàn)MOS燒毀，就是因?yàn)镸OS的VGH沒(méi)有完全啟動(dòng)，MOS在線性區(qū)，導(dǎo)致MOS有過(guò)大的RDS。

   溫度測(cè)試是王道。適當(dāng)降低額度也是王道。