1  MOS的幾個基本參數(shù)，VDS（DS間的耐壓）  VGH（MOS管開啟電壓）

 2 作為電源的MOS，選型時候首先看VDS 與IDS，如果規(guī)格書給出的VDS 與IDS 有任何一項(xiàng)在你的使用方式以下，那就絕對不能用。

 3 用你實(shí)際使用的平均電流與實(shí)際MOS管的RDSON，算出產(chǎn)熱，根據(jù)熱阻，判斷你需要的MOS管封裝，選型MOS。

切記，對于不同的VGH，MOS會產(chǎn)生不同的RDSON，個人認(rèn)為，如果IC驅(qū)動MOS的能力不夠，更換大MOS與選擇OP來增大MOS的驅(qū)動能力，也許后者性價比更高，我一直有這個想法，但是從來沒有試過，哪位兄弟試試看，是否有改善。

 4 MOS損壞的原因有大電壓擊穿，或者大電流產(chǎn)熱，在RDSON不變的情況下，I2R產(chǎn)生熱，此熱完全降落在MOS內(nèi)，根據(jù)MOS管的熱阻，如果產(chǎn)生的熱過大，將使MOS管溫度過高，從而進(jìn)入正反饋，溫度越高RDSON越大，導(dǎo)致最終燒壞。

5 在一些高壓MOS中，如PFC線路，常出現(xiàn)MOS燒毀，就是因?yàn)镸OS的VGH沒有完全啟動，MOS在線性區(qū)，導(dǎo)致MOS有過大的RDS。

   溫度測試是王道。適當(dāng)降低額度也是王道。