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基于UC3842的反激變換器

根據(jù)公式算出變壓器的匝比，但是輸出沒有得到想要的結(jié)果（15V和24V），望指教。附上仿真原理圖。

fanji 

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2013-03-22 19:58
431的基準對地沒有電阻啊
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mj_2426
LV.3
3
2013-03-23 09:47
@漩渦浩子
431的基準對地沒有電阻啊

我之前在基準對地沒有電阻的時候也仿過，是可行的，我覺得只要給反饋電壓就行了，沒必要有對地電阻，那時候輸入比較低只有36伏，我昨天把里面的mosfet換成了IGBT，可以了，但是不知道為什么會這樣。

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2013-03-23 10:54

已改好，見附件。

1、換了個MOSFET模型，并增加GS端電阻；

2、請仿真足夠長時間，比如100ms。

fanji 

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mj_2426
LV.3
5
2013-03-23 13:53
@新月GG
已改好，見附件。1、換了個MOSFET模型，并增加GS端電阻；2、請仿真足夠長時間，比如100ms。[圖片]fanji 

謝謝，剛剛又仿真了一下，確實可以了，之前也試過換成IGBT，也可以，看來還是開關(guān)管模型的問題，不知道是什么原因。

還有關(guān)于在MOSFET的GS端并聯(lián)一個電阻，不知道有什么作用。我知道的只是減小MOSFET在靜電環(huán)境下的損壞，還有在網(wǎng)上看了一種解釋，是關(guān)于在還沒有加驅(qū)動電壓的情況下，防止電壓通過Cgd向Cgs充電，導(dǎo)致DS極導(dǎo)通，燒壞管子，不知道這樣解釋對不對？

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zhenxiang
LV.10
6
2013-03-23 18:24
@mj_2426
謝謝，剛剛又仿真了一下，確實可以了，之前也試過換成IGBT，也可以，看來還是開關(guān)管模型的問題，不知道是什么原因。還有關(guān)于在MOSFET的GS端并聯(lián)一個電阻，不知道有什么作用。我知道的只是減小MOSFET在靜電環(huán)境下的損壞，還有在網(wǎng)上看了一種解釋，是關(guān)于在還沒有加驅(qū)動電壓的情況下，防止電壓通過Cgd向Cgs充電，導(dǎo)致DS極導(dǎo)通，燒壞管子，不知道這樣解釋對不對？
對
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2013-03-25 08:55
@zhenxiang
對
+1
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mj_2426
LV.3
8
2013-03-31 12:59
@新月GG
已改好，見附件。1、換了個MOSFET模型，并增加GS端電阻；2、請仿真足夠長時間，比如100ms。[圖片]fanji 

這位老師，連著上次和你討論的話題，我之后又在變壓器的原邊加上了吸收電路，待會我會附上仿真原理圖，吸收電路的參數(shù)計算我是參考了一篇文章的，待會也會附上，問題是加上了吸收電路后，原理圖報錯了，如圖： 

下面附上仿真原理圖fanji 

吸收電路參數(shù)計算：RCD設(shè)計 

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x16558
LV.2
9
2013-04-11 10:43
@新月GG
已改好，見附件。1、換了個MOSFET模型，并增加GS端電阻；2、請仿真足夠長時間，比如100ms。[圖片]fanji 

問一下，一般的要模仿TR，那個頁面怎么設(shè)置

 

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x16558
LV.2
10
2013-04-11 11:22
@新月GG
已改好，見附件。1、換了個MOSFET模型，并增加GS端電阻；2、請仿真足夠長時間，比如100ms。[圖片]fanji 
模仿好了怎么看是哪個是哪個的波形
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mj_2426
LV.3
11
2013-04-13 11:39
@新月GG
已改好，見附件。1、換了個MOSFET模型，并增加GS端電阻；2、請仿真足夠長時間，比如100ms。[圖片]fanji 
fanji88 仿真出了點小問題，能否幫忙看看。其中開關(guān)管就用ixsh35n120a的，仿真的時候報錯，非線性太多，謝謝。
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