FQP12N60

600V N溝道MOSFET

概述

這些N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專(zhuān)有的

,平面條形,DMOS技術(shù).

這種先進(jìn)的技術(shù)已特別針對(duì)最大限度地減少通態(tài)電阻,提供出色的

開(kāi)關(guān)性能,并能承受高能量脈沖雪崩和換向模式.這些器件非常適

用于高效率開(kāi)關(guān)模式電源.

TM

特點(diǎn)

10.5A, 600V, R

DS(on)

= 0.7

?

@ V

GS

= 10 V

低柵極電荷（典型42 nC的）

低Crss（典型值為25 pF的）

快速開(kāi)關(guān)

100％雪崩測(cè)試

改進(jìn)dv / dt能力