新型600V超快軟恢復(fù)的PFC二極管
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引言
在大功率輸出的開關(guān)電源中,PFC的效率是極其重要的,在輸入電橋中,來自AC端通過大電容的脈沖電流不僅含有基波(50獲60HZ),而且含有各次諧波成分(主要是奇數(shù)倍諧波),這使的功率因數(shù)降低,通常約為0.7.
PFC(功率因數(shù)效正器)電路可解決上述的問題,如圖1所示,在典型的PFC升壓電路中,其優(yōu)點(diǎn)如下:
?體積小
?輸出電壓大于輸入電壓(一般輸入)
?控制過程簡單
?輸入電感對AC端信號(hào)像一個(gè)濾波器
?許多IC控制器可從市場得到
?有0.95或更高的PFC值
在這類電路中主要是用兩種類型,即不連續(xù)電流模式和連續(xù)電流模式,它們的主要區(qū)別是:在不連續(xù)電流模式中的MOSFET管僅在感應(yīng)器電流達(dá)到零值時(shí)導(dǎo)通,而在連續(xù)電流模式中,MOSFET管要在感應(yīng)電流上升到零值以上才導(dǎo)通,因此所有的反向恢復(fù)能量必須在MOSFET中被釋放.
不連續(xù)電流模式
這種控制方法對工作于200W以下的PFC電路較適用,其主要優(yōu)點(diǎn)是控制過程極其簡單,電路組成簡單.其較大的峰值電流使之不適用于200W以上的電路,在不連續(xù)電流模式中,二極管的開關(guān)損耗是可以忽略的,因此可 用快速二極管代替超快二極管.
連續(xù)電流模式
這種控制形式普遍用于1.5kW以上的電路中,當(dāng)二極管被斷開時(shí),它的前向電流可能是幾個(gè)安培,而電流斜率 {dI_{f}}\over{dt}很高({100 250A}\over{ms}),另外,MOSFET管及寄生元件組成的輸出回路像一個(gè)調(diào)諧電路(濾波器),諧振頻率由反向二極管電容量及輸出電容器的寄生參量決定.典型的諧振頻率大約為100MHz,而這將引起EMI輻射.
在這種電路中,升壓二極管是最關(guān)鍵的部件,為了避免大功率損耗及EMI(電磁干擾),必須謹(jǐn)慎地選擇它.
PHLIIPS公司推出超快軟恢復(fù)二極管解決了這個(gè)問題,這種新型二極管的推出使PFC電路的性能大大改善了.
結(jié)束語
在離線式開關(guān)電源的連續(xù)電流模式PFC升壓電路中,采用Philips公司的600V超塊軟恢復(fù)二極管,配合相應(yīng)的功率管MOSFET使用,可以得到較高的PFC效率,減小了超過30%功率損耗,并降低了EMI而使電路的可靠性得到提高,同時(shí)減少了系統(tǒng)成本,使其應(yīng)用得到有效的推廣.
快恢復(fù)二極管
BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,8A/600V TO220
BYC8X-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,8A/600V TO220塑封
BYC10-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,10A/600V TO220
BYV10X-500 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,10A/500V 塑封
BYV29X-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)55ns,9A/600V塑封
BYT79-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)55ns,15A/600V TO220
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PHILIPS 超牛PCF二級(jí)管 Trr<19ns
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@snowxu
哥哥,是否能留下你的聯(lián)系方式?
本公司代理的CREE產(chǎn)品,是由政府出資的,開發(fā)的產(chǎn)品SiC材料提供給美國軍方,同時(shí)近幾年也買給Osram,英飛凌,ROHM等本導(dǎo)體廠家.可以用來生產(chǎn)LED,RF,LIGHTING, power Switching等,近幾年現(xiàn)在我們的一些產(chǎn)品也可以轉(zhuǎn)為民品在市場上銷售,并得到廣大知名電源的廠家的關(guān)注,本公司可以為廣大大功率電源廠家提供在300V下的20A和10A,在600V的1A,2A,4A,6A,10A和20A,在1200V下的5A,10A,20A 的肖特基二極管,在附件中有肖特基二極管的選擇相關(guān)資料供大家參考.
由于SiC的勢壘為3.3EV,Si的勢壘為1.1EV,這是SiC和Si本身特性的差異．這種特性導(dǎo)致他們的物理特性不一樣,如SiC的導(dǎo)電率是Si的3倍,致使能承受更大的電流,能帶隙是Si的3倍,致使能承受更高的溫度;10倍于Si的潰崩電壓,在相同的電壓時(shí),有更低的內(nèi)阻,更快的響應(yīng)速度．1160660508.pdf 回復(fù)第10帖 編輯 好評 差評
colinzhou0504: 第11帖 [今天 22:36] 一
由于這些特點(diǎn),加上肖特基本身的特性,是單極性的N極．故在高溫,高壓時(shí)都保持良好的電氣特性．致使它更適合在高壓高溫的條件下使用,如大功率的電路中PFC的電路中,有人認(rèn)為SiC的價(jià)格高,實(shí)際上并不是這樣,首先,他可以用來代替大電流的快恢復(fù)二極管,如CSD010600的1A的SiC在200W中可以代替8A/600vSi-3產(chǎn)品.由于肖特基本身的特性,可以增加電路的頻率,減少開關(guān)損耗,由于高能帶隙,能降低系統(tǒng)的溫度,能夠減少磁環(huán)的磁通量,減少電容值,降低Mosfet的負(fù)載,減少電路的EMI,使電路更容易的通過EMI測試．減小PCB的面積．基于以上優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)在已經(jīng)為最大的電源廠家臺(tái)達(dá),TYCO等單位使用,應(yīng)用于200W以上的電路尤為明顯,降低了系統(tǒng)的溫度20~40度,功耗,成本．
如須更多的了解和服務(wù),請與我聯(lián)系:周祥林 13817906430 colinzhou0504@126.com
同時(shí)我們還代理SUPERTEX/OSRAM/SSC的產(chǎn)品,涉及LED驅(qū)動(dòng),LED,IR,LASER,OLED的產(chǎn)品．
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由于這些特點(diǎn),加上肖特基本身的特性,是單極性的N極．故在高溫,高壓時(shí)都保持良好的電氣特性．致使它更適合在高壓高溫的條件下使用,如大功率的電路中PFC的電路中,有人認(rèn)為SiC的價(jià)格高,實(shí)際上并不是這樣,首先,他可以用來代替大電流的快恢復(fù)二極管,如CSD010600的1A的SiC在200W中可以代替8A/600vSi-3產(chǎn)品.由于肖特基本身的特性,可以增加電路的頻率,減少開關(guān)損耗,由于高能帶隙,能降低系統(tǒng)的溫度,能夠減少磁環(huán)的磁通量,減少電容值,降低Mosfet的負(fù)載,減少電路的EMI,使電路更容易的通過EMI測試．減小PCB的面積．基于以上優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)在已經(jīng)為最大的電源廠家臺(tái)達(dá),TYCO等單位使用,應(yīng)用于200W以上的電路尤為明顯,降低了系統(tǒng)的溫度20~40度,功耗,成本．
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@emalasa
炭化硅的價(jià)錢是快恢復(fù)的10幾倍,
要看方案的總成本,不可以看一個(gè)點(diǎn).留個(gè)資料供大家參考!1A的SIC可以代替8A的快恢復(fù)二極管,可以用在高達(dá)300W的電路上,還是要多學(xué)點(diǎn)知識(shí)! 如須更多資料或樣品,歡迎與我聯(lián)系:周祥林 13817906430 colinzhou0504@126.com1160667484.pdf
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