如題,1158763128.doc
芯片用法跟下圖的單相Boost PFC一樣,只是采用無橋拓?fù)鋾r,采樣電流比較麻煩,我用一個LEM采樣輸入電流,然后經(jīng)過一個由兩個運(yùn)放組成的絕對值電路,然后輸入到芯片電流采樣腳(3腳).
開機(jī)時,驅(qū)動電路電阻冒煙,然后發(fā)現(xiàn)1150芯片也已經(jīng)燒壞,百思不得其解,而且這已經(jīng)是我第二次燒芯片.懂的DX來指點(diǎn)指點(diǎn),看看我的原因出在哪.
IR1150做無橋PFC燒芯片求救.
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@cnpower
無橋的似乎在三相上用的多吧?
目前炸管的現(xiàn)象已經(jīng)得到解決,但是輸入電流還是不好.
我一直在做,但是沒做出來,在一些資料上看到說由于管子受熱有了分擔(dān),功率能比單boost大一倍,我現(xiàn)在在做的是300w.
現(xiàn)在我的問題是:輸入電流呈現(xiàn)限流狀態(tài),空載時輸出380v,功率 60w時就掉到320,再往上加輸出電壓繼續(xù)下降,輸入電流沒什么大變化.我一直覺得自己會不會PI有問題,試了好多次都沒得到解決.大家來指點(diǎn)指點(diǎn),幫我把問題找出來.
我一直在做,但是沒做出來,在一些資料上看到說由于管子受熱有了分擔(dān),功率能比單boost大一倍,我現(xiàn)在在做的是300w.
現(xiàn)在我的問題是:輸入電流呈現(xiàn)限流狀態(tài),空載時輸出380v,功率 60w時就掉到320,再往上加輸出電壓繼續(xù)下降,輸入電流沒什么大變化.我一直覺得自己會不會PI有問題,試了好多次都沒得到解決.大家來指點(diǎn)指點(diǎn),幫我把問題找出來.
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@enji2000
我電感采用兩個,300w用兩個400uH的電感.取樣電流我用過兩個:一個是采樣輸入電流,經(jīng)絕對值電路和反相比例,第二個是分別采樣兩開關(guān)管電流,分別經(jīng)過一二極管,輸出點(diǎn)相同,再經(jīng)反相比例.兩種效果都不好,我感覺可能是運(yùn)放對電感紋波有失真.不知道有什么高見.
我以前有用1150做過無橋的實(shí)驗(yàn),沒什麼問題,1150的LAYOUT要非常小心,它對干擾是非常敏感的,查查板子是不是畫的合理.還有一點(diǎn)就是仔細(xì)檢查你的電流取樣電感的相位是不是對的.
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@enji2000
我電感采用兩個,300w用兩個400uH的電感.取樣電流我用過兩個:一個是采樣輸入電流,經(jīng)絕對值電路和反相比例,第二個是分別采樣兩開關(guān)管電流,分別經(jīng)過一二極管,輸出點(diǎn)相同,再經(jīng)反相比例.兩種效果都不好,我感覺可能是運(yùn)放對電感紋波有失真.不知道有什么高見.
這種采樣方法有以下問題:
1、 絕對值電路的速度不夠,想采樣出線電流的紋波困難.
2、反向比例引入了相移,反饋環(huán)路無法按照常規(guī)設(shè)計(jì).
采用1150 就需要利用他峰值電流采樣的功能.也就是只需要MOSFET電流信號而不需要電感電流信號來實(shí)現(xiàn)電流采樣.
在無橋拓?fù)渲惺褂?個電流互感器或者帶有中心抽頭的電流互感器采樣MOSFET電流 組合到采樣電阻上實(shí)現(xiàn)電流采樣.
無橋控制的最關(guān)鍵的電流采樣就解決了.
但是由此引起的問題是:峰值電流采樣的抗干擾能力較差.在無橋拓?fù)渲袝容^明顯.但是經(jīng)過調(diào)解應(yīng)該是可以達(dá)到很好效果的.
還有一種使用二極管的電流導(dǎo)向采樣法.損耗大.沒實(shí)用價(jià)值.
1、 絕對值電路的速度不夠,想采樣出線電流的紋波困難.
2、反向比例引入了相移,反饋環(huán)路無法按照常規(guī)設(shè)計(jì).
采用1150 就需要利用他峰值電流采樣的功能.也就是只需要MOSFET電流信號而不需要電感電流信號來實(shí)現(xiàn)電流采樣.
在無橋拓?fù)渲惺褂?個電流互感器或者帶有中心抽頭的電流互感器采樣MOSFET電流 組合到采樣電阻上實(shí)現(xiàn)電流采樣.
無橋控制的最關(guān)鍵的電流采樣就解決了.
但是由此引起的問題是:峰值電流采樣的抗干擾能力較差.在無橋拓?fù)渲袝容^明顯.但是經(jīng)過調(diào)解應(yīng)該是可以達(dá)到很好效果的.
還有一種使用二極管的電流導(dǎo)向采樣法.損耗大.沒實(shí)用價(jià)值.
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@jurda
這種采樣方法有以下問題:1、絕對值電路的速度不夠,想采樣出線電流的紋波困難.2、反向比例引入了相移,反饋環(huán)路無法按照常規(guī)設(shè)計(jì).采用1150就需要利用他峰值電流采樣的功能.也就是只需要MOSFET電流信號而不需要電感電流信號來實(shí)現(xiàn)電流采樣.在無橋拓?fù)渲惺褂?個電流互感器或者帶有中心抽頭的電流互感器采樣MOSFET電流組合到采樣電阻上實(shí)現(xiàn)電流采樣.無橋控制的最關(guān)鍵的電流采樣就解決了.但是由此引起的問題是:峰值電流采樣的抗干擾能力較差.在無橋拓?fù)渲袝容^明顯.但是經(jīng)過調(diào)解應(yīng)該是可以達(dá)到很好效果的.還有一種使用二極管的電流導(dǎo)向采樣法.損耗大.沒實(shí)用價(jià)值.
jurda兄,我想兩個電流互感器是可以做到采樣電流的,但是怎么把兩個不同的電流組合在一起呢,應(yīng)該只能分別經(jīng)過一個二極管來組合啊,因?yàn)樵谳斎虢涣髡胫軙r,一個管子開關(guān)工作,另一個管子則一直處于續(xù)流狀態(tài)的,而且電流與管子電流方向是相反的.你這個組合能說明確點(diǎn)嗎?
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@enji2000
1159365063.doc
這種方法是IR提出的采樣方法.實(shí)際中是可以使用的.但是在原理分析上這種方法并不是采樣了開關(guān)管的實(shí)際電流波形.
仔細(xì)研究電流互感器的原理可發(fā)現(xiàn),不能將電流互感器當(dāng)成電流成比例的理想變壓器.電流互感器是因?yàn)槌跫夒娏饕鸬拇磐▽?dǎo)致了副邊有電流,需要考慮到磁通變化的實(shí)際方向.這樣的話,IR提出的這種方法會將反向流過體二極管的MOSFET電流也檢測出來.
不過巧妙的是這種電流即使疊加到了最終的電流檢測結(jié)果上,并不會改變電流的峰值.所以1150依然可以使用這種方法工作.
一種中心抽頭的電流互感器在L4981的應(yīng)用文檔中提出來,這種結(jié)構(gòu)的電流互感器可以解決無橋采樣的問題.
你可以去ST的網(wǎng)站DOWN下來L4981做無橋的方法.里面有詳細(xì)說明.
仔細(xì)研究電流互感器的原理可發(fā)現(xiàn),不能將電流互感器當(dāng)成電流成比例的理想變壓器.電流互感器是因?yàn)槌跫夒娏饕鸬拇磐▽?dǎo)致了副邊有電流,需要考慮到磁通變化的實(shí)際方向.這樣的話,IR提出的這種方法會將反向流過體二極管的MOSFET電流也檢測出來.
不過巧妙的是這種電流即使疊加到了最終的電流檢測結(jié)果上,并不會改變電流的峰值.所以1150依然可以使用這種方法工作.
一種中心抽頭的電流互感器在L4981的應(yīng)用文檔中提出來,這種結(jié)構(gòu)的電流互感器可以解決無橋采樣的問題.
你可以去ST的網(wǎng)站DOWN下來L4981做無橋的方法.里面有詳細(xì)說明.
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@jurda
這種方法是IR提出的采樣方法.實(shí)際中是可以使用的.但是在原理分析上這種方法并不是采樣了開關(guān)管的實(shí)際電流波形.仔細(xì)研究電流互感器的原理可發(fā)現(xiàn),不能將電流互感器當(dāng)成電流成比例的理想變壓器.電流互感器是因?yàn)槌跫夒娏饕鸬拇磐▽?dǎo)致了副邊有電流,需要考慮到磁通變化的實(shí)際方向.這樣的話,IR提出的這種方法會將反向流過體二極管的MOSFET電流也檢測出來.不過巧妙的是這種電流即使疊加到了最終的電流檢測結(jié)果上,并不會改變電流的峰值.所以1150依然可以使用這種方法工作.一種中心抽頭的電流互感器在L4981的應(yīng)用文檔中提出來,這種結(jié)構(gòu)的電流互感器可以解決無橋采樣的問題.你可以去ST的網(wǎng)站DOWN下來L4981做無橋的方法.里面有詳細(xì)說明.
多謝,我看看去.
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@jurda
實(shí)際中不太有這種問題.電流互感器是電流型的磁性元件.后邊由于二極管的壓差不會導(dǎo)致失真的.應(yīng)該不會有什么問題.
接觸了一些關(guān)于bridgeless PFC,感覺確實(shí)對提高效率有很大優(yōu)勢,我想問各位高手得問題是:由傳統(tǒng)PFC改進(jìn)到無橋后效率確實(shí)提高了, 但是有兩個致命得缺點(diǎn)
1.在過EMI時很困難,會不會因?yàn)橐^EMI(對EMI改進(jìn))而使增加的效率被拉下來,從而得不償失呢?
2.控制比較復(fù)雜,電路的可靠性降低
基于這兩個方面,我一直對這個技術(shù)的先進(jìn)性很猶豫,而且目前很沒有那家公司真正導(dǎo)入產(chǎn)品,主要原因還是EMI的問題.
1.在過EMI時很困難,會不會因?yàn)橐^EMI(對EMI改進(jìn))而使增加的效率被拉下來,從而得不償失呢?
2.控制比較復(fù)雜,電路的可靠性降低
基于這兩個方面,我一直對這個技術(shù)的先進(jìn)性很猶豫,而且目前很沒有那家公司真正導(dǎo)入產(chǎn)品,主要原因還是EMI的問題.
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@aileen888
接觸了一些關(guān)于bridgelessPFC,感覺確實(shí)對提高效率有很大優(yōu)勢,我想問各位高手得問題是:由傳統(tǒng)PFC改進(jìn)到無橋后效率確實(shí)提高了,但是有兩個致命得缺點(diǎn)1.在過EMI時很困難,會不會因?yàn)橐^EMI(對EMI改進(jìn))而使增加的效率被拉下來,從而得不償失呢?2.控制比較復(fù)雜,電路的可靠性降低 基于這兩個方面,我一直對這個技術(shù)的先進(jìn)性很猶豫,而且目前很沒有那家公司真正導(dǎo)入產(chǎn)品,主要原因還是EMI的問題.
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