1158902740.pdf
該電路除了過流保護(hù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)外,其他的保護(hù)都可以實(shí)現(xiàn).其中TSW1和TSW2是放電和充電溫度保護(hù)用的溫度開關(guān).考慮到MOSFET的發(fā)熱量,放電電流只流過封裝比較大的放電MOSFET.充電時(shí)同時(shí)流過兩個(gè)MOSFET.現(xiàn)在存在的問題是,放電電流很大的時(shí)候,放電MOSFET不關(guān)斷,測(cè)試VCC和CS之間的壓降,遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于0.15V.如果去掉放電MOSFET,在其位置上面連接一個(gè)電阻,放電時(shí),在檢測(cè)到VCC與CS端壓降大于0.15V時(shí)則DCHG端輸出高電平.原理圖中使用的AOD403內(nèi)阻在7.8毫歐,更換成內(nèi)阻較大的IRF7424和SI4435,都不能夠?qū)崿F(xiàn)過流保護(hù).現(xiàn)在百思不得其解.希望能夠得到高人指點(diǎn)啊!
MM1414過流無(wú)保護(hù)原因探求
全部回復(fù)(4)
正序查看
倒序查看
@xjh203
"如果去掉放電MOSFET,在其位置上面連接一個(gè)電阻,放電時(shí),在檢測(cè)到VCC與CS端壓降大于0.15V時(shí)則DCHG端輸出高電平"你要求的過流保護(hù)是多少?是用電阻代替mosfet嗎?多大的電阻?如果是電阻可行的話,應(yīng)該用4435應(yīng)該也可以的.用4435的話,根據(jù)你的內(nèi)阻,一般在8-10A左右的一個(gè)保護(hù)值.你的7.8mo的內(nèi)阻的mos,保護(hù)的電流是很大的.
我是新手請(qǐng)教這位朋友,MM1414過流保護(hù)是怎樣設(shè)置的呀,比如說(shuō)我要求過流是5A,那MM1414的CS腳要檢測(cè)到多少伏電壓才能保護(hù)呢?是不是改變CS腳的檢測(cè)電阻呢?
0
回復(fù)
@xjh203
"如果去掉放電MOSFET,在其位置上面連接一個(gè)電阻,放電時(shí),在檢測(cè)到VCC與CS端壓降大于0.15V時(shí)則DCHG端輸出高電平"你要求的過流保護(hù)是多少?是用電阻代替mosfet嗎?多大的電阻?如果是電阻可行的話,應(yīng)該用4435應(yīng)該也可以的.用4435的話,根據(jù)你的內(nèi)阻,一般在8-10A左右的一個(gè)保護(hù)值.你的7.8mo的內(nèi)阻的mos,保護(hù)的電流是很大的.
正常工作電流在10A左右.過流值大于10A就可以.比較很多型號(hào)的MOSFET后,覺得AOD403可以滿足要求.單就是測(cè)試的時(shí)候不行.不知道為何啊
0
回復(fù)
@滄海一粟
正常工作電流在10A左右.過流值大于10A就可以.比較很多型號(hào)的MOSFET后,覺得AOD403可以滿足要求.單就是測(cè)試的時(shí)候不行.不知道為何啊
你說(shuō)的過流保護(hù)具體怎么講?
根據(jù)你的mos的內(nèi)阻來(lái)計(jì)算的話,你的保護(hù)電流在18A左右(計(jì)算值).實(shí)際可能會(huì)有一點(diǎn)偏差. 還是沒有短路保護(hù)功能?
個(gè)人認(rèn)為你只要有短路保護(hù)功能就可以了(短路的瞬間的電流是很大的).要過流保護(hù)的話需要另外的保護(hù)開關(guān),想溫度開關(guān),保險(xiǎn)絲什么的.根據(jù)你的輸出電流的要求,另外加一過流保護(hù)是很必要的.否則,假如你的芯片的保護(hù)電流是18A,萬(wàn)一你的負(fù)載加大到17A在一直工作,那你的mos不燒毀嗎?
根據(jù)你的mos的內(nèi)阻來(lái)計(jì)算的話,你的保護(hù)電流在18A左右(計(jì)算值).實(shí)際可能會(huì)有一點(diǎn)偏差. 還是沒有短路保護(hù)功能?
個(gè)人認(rèn)為你只要有短路保護(hù)功能就可以了(短路的瞬間的電流是很大的).要過流保護(hù)的話需要另外的保護(hù)開關(guān),想溫度開關(guān),保險(xiǎn)絲什么的.根據(jù)你的輸出電流的要求,另外加一過流保護(hù)是很必要的.否則,假如你的芯片的保護(hù)電流是18A,萬(wàn)一你的負(fù)載加大到17A在一直工作,那你的mos不燒毀嗎?
0
回復(fù)
