MOSFET中RDS、PD、VDSS之間的關(guān)系!

MOSFET中RDS、PD、VDSS之間的關(guān)系!
各位:最近看了幾份MOSFET的datasheet,有幾個問題感到非常疑惑:RDS與PD之間究竟存在什么關(guān)系?請大家發(fā)表高見.

全部回復(fù)(19)

只看樓主

正序查看

倒序查看

LV.8

2003-09-19 13:38

譬如:
譬如:TOSHIBA的2SK2837,它VDSS=500V,RDS(ON)=0.21Ω,PD=150W.再看IR的IRFP460A,VDSS=500V,RDS(ON)=0.27Ω,而PD=280W.所以我就感到非常疑惑,它們之間究竟有什么聯(lián)系,請賜教!!!

回復(fù)

老狼

LV.8

2003-09-19 13:41

請“乞力馬扎羅的雪”和“CMG”賜教!
請“乞力馬扎羅的雪”和“CMG”賜教!謝謝!!!

回復(fù)

老狼

LV.8

2003-09-19 13:48

“shuyun、諾亞方舟、Tiny、我年輕,但我不菜”幾位也發(fā)表一下意見
“shuyun、諾亞方舟、Tiny、我年輕,但我不菜”幾位也發(fā)表一下意見.

回復(fù)

老狼

LV.8

2003-09-19 14:00

附 DATASHEET
1063951190.pdf 1063951235.pdf

回復(fù)

乞力馬扎羅的雪

LV.9

2003-09-19 14:24

@老狼

譬如:譬如:TOSHIBA的2SK2837,它VDSS=500V,RDS(ON)=0.21Ω,PD=150W.再看IR的IRFP460A,VDSS=500V,RDS(ON)=0.27Ω,而PD=280W.所以我就感到非常疑惑,它們之間究竟有什么聯(lián)系,請賜教!!!

個人觀點,僅供參考.
RDS(on)是指MOS的導(dǎo)通電阻.
而PD是指MOS的耗散功率.
PD主要是受管芯對外殼的熱阻限制,這與封裝和內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān).
RDS(on)與PN結(jié)的面積、厚度、載流子的濃度等有關(guān).

回復(fù)

老狼

LV.8

2003-09-19 15:18

@乞力馬扎羅的雪

個人觀點,僅供參考.RDS(on)是指MOS的導(dǎo)通電阻.而PD是指MOS的耗散功率.PD主要是受管芯對外殼的熱阻限制,這與封裝和內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān).RDS(on)與PN結(jié)的面積、厚度、載流子的濃度等有關(guān).

感謝
RDS(ON)、PD概念非常明白,不明白的是同樣247封裝的管子,PD怎么相差這么大,將近1倍關(guān)系了.

回復(fù)

乞力馬扎羅的雪

LV.9

2003-09-19 15:32

@老狼

感謝RDS(ON)、PD概念非常明白,不明白的是同樣247封裝的管子,PD怎么相差這么大,將近1倍關(guān)系了.

從DATASHEET中可以看出,
管芯對外殼的熱阻二者相差近一倍.
所以,不要用日本鬼子的爛東西.

回復(fù)

老狼

LV.8

2003-09-19 15:46

@乞力馬扎羅的雪

從DATASHEET中可以看出,管芯對外殼的熱阻二者相差近一倍.所以,不要用日本鬼子的爛東西.

哦
是嗎?我倒是沒注意,來看看.

回復(fù)

老狼

LV.8

2003-09-19 15:51

@乞力馬扎羅的雪

從DATASHEET中可以看出,管芯對外殼的熱阻二者相差近一倍.所以,不要用日本鬼子的爛東西.

謝謝
是這樣,非常感謝!支持你的觀點!!!

回復(fù)

szrg

LV.7

2003-09-19 16:56

@乞力馬扎羅的雪

個人觀點,僅供參考.RDS(on)是指MOS的導(dǎo)通電阻.而PD是指MOS的耗散功率.PD主要是受管芯對外殼的熱阻限制,這與封裝和內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān).RDS(on)與PN結(jié)的面積、厚度、載流子的濃度等有關(guān).

MOS的耗散功率
‘MOS的耗散功率PD’能不能理解為‘MOS管的輸出功率’?換言之:當我電源輸出功率為100瓦時,選擇MOS 的PD指標必須大于100瓦,另外請問其PD值的選擇與效率也有很大的關(guān)系吧?謝先!

回復(fù)

gwwater

LV.6

2003-09-19 16:58

@乞力馬扎羅的雪

個人觀點,僅供參考.RDS(on)是指MOS的導(dǎo)通電阻.而PD是指MOS的耗散功率.PD主要是受管芯對外殼的熱阻限制,這與封裝和內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān).RDS(on)與PN結(jié)的面積、厚度、載流子的濃度等有關(guān).

個人意見
Rds(on)還和單元的大小和形狀有關(guān).單元越多,RDSON越小.

回復(fù)

gwwater

LV.6

2003-09-19 16:59

@szrg

MOS的耗散功率‘MOS的耗散功率PD’能不能理解為‘MOS管的輸出功率’?換言之:當我電源輸出功率為100瓦時,選擇MOS的PD指標必須大于100瓦,另外請問其PD值的選擇與效率也有很大的關(guān)系吧?謝先!

不行,
原因下星期說.

回復(fù)

老狼

LV.8

2003-09-19 17:13

@gwwater

個人意見Rds(on)還和單元的大小和形狀有關(guān).單元越多,RDSON越小.

下星期見
下星期恭候你的到來!!!

回復(fù)

乞力馬扎羅的雪

LV.9

2003-09-19 17:20

@szrg

MOS的耗散功率‘MOS的耗散功率PD’能不能理解為‘MOS管的輸出功率’?換言之:當我電源輸出功率為100瓦時,選擇MOS的PD指標必須大于100瓦,另外請問其PD值的選擇與效率也有很大的關(guān)系吧?謝先!

不對.
耗散功率是指在MOS上損耗的功率.不是什么“MOS的輸出功率”.例如我曾用兩個IRF460做了個1000W半橋串聯(lián)諧振電源.

回復(fù)

xspang

LV.4

2003-09-19 20:56

@szrg

MOS的耗散功率‘MOS的耗散功率PD’能不能理解為‘MOS管的輸出功率’?換言之:當我電源輸出功率為100瓦時,選擇MOS的PD指標必須大于100瓦,另外請問其PD值的選擇與效率也有很大的關(guān)系吧?謝先!

在開關(guān)電源中,一般受RDS和PD的限制多而ID幾乎沒用
要滿足:
VDS飽和*RDS*Imax+開關(guān)損耗《PD

回復(fù)

xspang

LV.4

2003-09-19 21:08

@乞力馬扎羅的雪

不對.耗散功率是指在MOS上損耗的功率.不是什么“MOS的輸出功率”.例如我曾用兩個IRF460做了個1000W半橋串聯(lián)諧振電源.

你半橋的供電電壓要多高呀?兩只460太懸了點吧?
最起碼要用4只;即每兩只并聯(lián)起來用

回復(fù)

乞力馬扎羅的雪

LV.9

2003-09-19 22:02

@xspang

你半橋的供電電壓要多高呀?兩只460太懸了點吧?最起碼要用4只;即每兩只并聯(lián)起來用

400VDC供電,頻率120K----50K,風冷.
.

回復(fù)

zhangjunfuabc

LV.5

2007-08-23 10:45

最近我發(fā)現(xiàn)了同一品牌同一型號的mosfet居然Rds(ON)有很大差異,因為是低壓大電流輸入,所以這個就體現(xiàn)的很明顯,我懷疑性能差的那個是假的,但又不知道從何證明他是假的,所以請大家指點一下:如何去測試mosfet的特性?比如:Rds(on)之類的參數(shù).謝謝!

回復(fù)