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求教:M57962AL正常工作,保護(hù)異常?

用M57962AL驅(qū)動(dòng)IGBT,沒有進(jìn)行短路測(cè)試時(shí)能夠正常工作.短路測(cè)試時(shí),8腳只在瞬間跌落到低電平,短暫振蕩后回到高電平,中間并沒有1.5ms的延時(shí),每個(gè)工作周期均出現(xiàn)相同的情況,一直沒有想通是什么原因,感覺是不是芯片內(nèi)部的定時(shí)電路壞了,但又覺的不像,希望哪位高手能夠指點(diǎn)一二!
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zli
LV.7
2
2006-12-31 17:32
你是如何進(jìn)行IGBT短路測(cè)試的?你沒有測(cè)一下在短路時(shí)驅(qū)動(dòng)器的輸出端5腳能否觀測(cè)到約為2US,周期為1.3MS的脈沖信號(hào)呢?如果沒有,看是不是短路測(cè)試有問題,要不就是M57962本身是否壞了.
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yyhuiboy
LV.2
3
2007-01-03 18:26
@zli
你是如何進(jìn)行IGBT短路測(cè)試的?你沒有測(cè)一下在短路時(shí)驅(qū)動(dòng)器的輸出端5腳能否觀測(cè)到約為2US,周期為1.3MS的脈沖信號(hào)呢?如果沒有,看是不是短路測(cè)試有問題,要不就是M57962本身是否壞了.
我是在實(shí)驗(yàn)室中,用低壓直流電源供電,IGBT集電極接了上拉電阻.當(dāng)給電阻短路時(shí),IGBT應(yīng)該是處于短路過流狀態(tài)的.
后來我檢查了驅(qū)動(dòng)芯片,果然是芯片壞掉了.
但還有一些問題存在.我的試驗(yàn)電路中沒有接穩(wěn)壓管,在短路測(cè)試時(shí)的波形中,為什么在1腳為高電平以后,要5us的時(shí)間才進(jìn)行短路保護(hù)(此時(shí)2腳沒有外接電容)?感覺這個(gè)時(shí)間很長(zhǎng)啊?其他的5腳2us,1.3ms的信號(hào)倒是正常出現(xiàn).
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zli
LV.7
4
2007-01-03 23:24
@yyhuiboy
我是在實(shí)驗(yàn)室中,用低壓直流電源供電,IGBT集電極接了上拉電阻.當(dāng)給電阻短路時(shí),IGBT應(yīng)該是處于短路過流狀態(tài)的.后來我檢查了驅(qū)動(dòng)芯片,果然是芯片壞掉了.但還有一些問題存在.我的試驗(yàn)電路中沒有接穩(wěn)壓管,在短路測(cè)試時(shí)的波形中,為什么在1腳為高電平以后,要5us的時(shí)間才進(jìn)行短路保護(hù)(此時(shí)2腳沒有外接電容)?感覺這個(gè)時(shí)間很長(zhǎng)啊?其他的5腳2us,1.3ms的信號(hào)倒是正常出現(xiàn).
你所指的1腳為高電平是多少伏電壓呢?驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部設(shè)定了一個(gè)門限電壓,和你所用的二極管壓降也有關(guān)系.
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yyhuiboy
LV.2
5
2007-01-04 13:11
@zli
你所指的1腳為高電平是多少伏電壓呢?驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部設(shè)定了一個(gè)門限電壓,和你所用的二極管壓降也有關(guān)系.
1腳的高電平在短路測(cè)試時(shí)到底是多少還真沒有測(cè)量過,但在給上拉電阻短路時(shí),出現(xiàn)保護(hù)現(xiàn)象應(yīng)該是高電平了,根據(jù)資料上所說應(yīng)該是12伏左右吧.
另外,在實(shí)測(cè)波形中,當(dāng)給上拉電阻短路時(shí),5us的時(shí)間里IGBT的集射極電壓上升到12伏左右后產(chǎn)生短路保護(hù),此后有振蕩電壓波形產(chǎn)生.
我用的二極管是1N4148.
但資料上說這個(gè)短路保護(hù)延遲時(shí)間大約也就應(yīng)該在2us左右,不知道是不是我的實(shí)驗(yàn)電路有問題?能夠通過什么方法進(jìn)行改進(jìn)呢?
在實(shí)際電路中,二極管后面再串接一個(gè)穩(wěn)壓管是不是能夠減少驅(qū)動(dòng)芯片的保護(hù)延遲時(shí)間?
謝謝!
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zli
LV.7
6
2007-01-04 22:09
@yyhuiboy
1腳的高電平在短路測(cè)試時(shí)到底是多少還真沒有測(cè)量過,但在給上拉電阻短路時(shí),出現(xiàn)保護(hù)現(xiàn)象應(yīng)該是高電平了,根據(jù)資料上所說應(yīng)該是12伏左右吧.另外,在實(shí)測(cè)波形中,當(dāng)給上拉電阻短路時(shí),5us的時(shí)間里IGBT的集射極電壓上升到12伏左右后產(chǎn)生短路保護(hù),此后有振蕩電壓波形產(chǎn)生.我用的二極管是1N4148.但資料上說這個(gè)短路保護(hù)延遲時(shí)間大約也就應(yīng)該在2us左右,不知道是不是我的實(shí)驗(yàn)電路有問題?能夠通過什么方法進(jìn)行改進(jìn)呢?在實(shí)際電路中,二極管后面再串接一個(gè)穩(wěn)壓管是不是能夠減少驅(qū)動(dòng)芯片的保護(hù)延遲時(shí)間?謝謝!
IGBT在發(fā)生短路時(shí)其內(nèi)問等效PNP管會(huì)退出飽和區(qū),進(jìn)入放大區(qū),VCE電壓升高,通常用這個(gè)電壓值來檢測(cè)IGBT是否過流.具體的過流判定門限電壓可以用外接的二極管數(shù)量或加穩(wěn)壓管等方式來調(diào)節(jié),資料上所寫的短路保護(hù)延遲時(shí)間是指為了防止IGBT在開通初始階段由于VCE電壓下降需要時(shí)間,所以在此時(shí)間內(nèi)不能讓保護(hù)電路有效,所以驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部設(shè)計(jì)了延遲盲區(qū),大概為2.5US,與你所測(cè)到的5US不是一個(gè)概念.為了減小保護(hù)時(shí)間可以多串幾個(gè)二極管或加一個(gè)穩(wěn)壓管.其實(shí)質(zhì)也是降低測(cè)出的VCE電壓門限.
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zli
LV.7
7
2007-01-04 23:53
@yyhuiboy
我是在實(shí)驗(yàn)室中,用低壓直流電源供電,IGBT集電極接了上拉電阻.當(dāng)給電阻短路時(shí),IGBT應(yīng)該是處于短路過流狀態(tài)的.后來我檢查了驅(qū)動(dòng)芯片,果然是芯片壞掉了.但還有一些問題存在.我的試驗(yàn)電路中沒有接穩(wěn)壓管,在短路測(cè)試時(shí)的波形中,為什么在1腳為高電平以后,要5us的時(shí)間才進(jìn)行短路保護(hù)(此時(shí)2腳沒有外接電容)?感覺這個(gè)時(shí)間很長(zhǎng)啊?其他的5腳2us,1.3ms的信號(hào)倒是正常出現(xiàn).
問一下你用低壓直流電源來測(cè)試IGBT短路,直流電源輸出電流有多大呢?你測(cè)試用的IGBT是多大電流,電壓的呢?
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yyhuiboy
LV.2
8
2007-01-06 14:32
@zli
問一下你用低壓直流電源來測(cè)試IGBT短路,直流電源輸出電流有多大呢?你測(cè)試用的IGBT是多大電流,電壓的呢?
非常感謝你的指點(diǎn),讓我受益匪淺啊.
我用的直流電源,最大輸出電流是3A的.
我用IGBT測(cè)試時(shí),用的是1200V200A的管子,但此時(shí)低壓電源總是過流保護(hù).就改用MOSFET測(cè)試,型號(hào)是IRFP460LC,得到了以上的測(cè)試結(jié)果.
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zli
LV.7
9
2007-01-07 11:06
@yyhuiboy
非常感謝你的指點(diǎn),讓我受益匪淺啊.我用的直流電源,最大輸出電流是3A的.我用IGBT測(cè)試時(shí),用的是1200V200A的管子,但此時(shí)低壓電源總是過流保護(hù).就改用MOSFET測(cè)試,型號(hào)是IRFP460LC,得到了以上的測(cè)試結(jié)果.
你用這么小電流的電源來測(cè)試短路,當(dāng)然會(huì)保護(hù),而你用MOSFET來代替,也可能有問題,因?yàn)镸OS管的短路特性與IGBT是不同的,因此出現(xiàn)你以上所說的情況也是正常的了.你可以用大一點(diǎn)電流源試一下.
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yyhuiboy
LV.2
10
2007-01-08 12:29
@zli
你用這么小電流的電源來測(cè)試短路,當(dāng)然會(huì)保護(hù),而你用MOSFET來代替,也可能有問題,因?yàn)镸OS管的短路特性與IGBT是不同的,因此出現(xiàn)你以上所說的情況也是正常的了.你可以用大一點(diǎn)電流源試一下.
向你請(qǐng)教一下,MOS管與IGBT的短路特性有哪些不同呢?保護(hù)的原理有什么不同?如果對(duì)MOS管保護(hù)應(yīng)該采取哪些措施呢?
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zli
LV.7
11
2007-01-08 21:14
@yyhuiboy
向你請(qǐng)教一下,MOS管與IGBT的短路特性有哪些不同呢?保護(hù)的原理有什么不同?如果對(duì)MOS管保護(hù)應(yīng)該采取哪些措施呢?
MOS管一般是通過串聯(lián)電阻來檢測(cè)漏極電流的值,而不是用IGBT所用的檢測(cè)VCE欠飽和的方式.
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yyhuiboy
LV.2
12
2007-01-09 17:14
@zli
MOS管一般是通過串聯(lián)電阻來檢測(cè)漏極電流的值,而不是用IGBT所用的檢測(cè)VCE欠飽和的方式.
手冊(cè)上說,芯片的負(fù)電壓推薦是-10V,最大是-15V.但實(shí)際電路中已經(jīng)有-15V的電源,又不想增加新的-10V的電源,如果直接用-15V的電源給芯片供電,不知是否可行呢?其可靠性如何呢?
或者用-15V的電源分壓獲得-10V的電源是否可行呢?
在這樣的方式下對(duì)電路的性能會(huì)產(chǎn)生什么影響呢?
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zli
LV.7
13
2007-01-10 21:52
@yyhuiboy
手冊(cè)上說,芯片的負(fù)電壓推薦是-10V,最大是-15V.但實(shí)際電路中已經(jīng)有-15V的電源,又不想增加新的-10V的電源,如果直接用-15V的電源給芯片供電,不知是否可行呢?其可靠性如何呢?或者用-15V的電源分壓獲得-10V的電源是否可行呢?在這樣的方式下對(duì)電路的性能會(huì)產(chǎn)生什么影響呢?
-15V也是可以的,只要電壓穩(wěn)定,負(fù)壓的作用是保證可靠關(guān)斷,不受干擾影響而出現(xiàn)誤通,電壓高低對(duì)其它性能沒有影響,只是不要太高而擊穿柵源絕緣層就行.
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xiao427wen
LV.1
14
2011-05-23 11:26
@yyhuiboy
我是在實(shí)驗(yàn)室中,用低壓直流電源供電,IGBT集電極接了上拉電阻.當(dāng)給電阻短路時(shí),IGBT應(yīng)該是處于短路過流狀態(tài)的.后來我檢查了驅(qū)動(dòng)芯片,果然是芯片壞掉了.但還有一些問題存在.我的試驗(yàn)電路中沒有接穩(wěn)壓管,在短路測(cè)試時(shí)的波形中,為什么在1腳為高電平以后,要5us的時(shí)間才進(jìn)行短路保護(hù)(此時(shí)2腳沒有外接電容)?感覺這個(gè)時(shí)間很長(zhǎng)啊?其他的5腳2us,1.3ms的信號(hào)倒是正常出現(xiàn).

您好!

  大哥,我現(xiàn)在正在做m57962AL的測(cè)試,我測(cè)出5腳的輸出端總是mv級(jí)的,不知道為什么,您能不能給我指點(diǎn)一下?我的qq:544171815,渴望與您取得聯(lián)系。

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xiyan
LV.1
15
2013-07-23 08:39
@zli
-15V也是可以的,只要電壓穩(wěn)定,負(fù)壓的作用是保證可靠關(guān)斷,不受干擾影響而出現(xiàn)誤通,電壓高低對(duì)其它性能沒有影響,只是不要太高而擊穿柵源絕緣層就行.

用M57962AL驅(qū)動(dòng)IGBT的電路圖中為何要給M57962AL的4,6腳間加上電容?這些電容器什么作用?謝謝

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