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電源技術(shù)綜合區(qū)
急尋“電源帶載能力太差,占空比太小”的原因
急尋“電源帶載能力太差,占空比太小”的原因
我用top222y制作了一開關(guān)電源.算出85v交流輸出時(shí)直流電壓最小值為97V,一次繞組反射電壓 取135V,得出最大占空比Dmax=Vor/【Vor+Vmin-Vds(on)】=0.53,Vds(on) 是top222y導(dǎo)通期間漏極-源極的平均電壓值 ,取10V
原邊用AWG30導(dǎo)線繞57匝,+5V、+12V、±15V及反饋繞組用AWG24導(dǎo)線分別饒3匝、7匝、9匝、7匝.
從實(shí)測(cè)波形可以看出(1)從85v輸入,滿載的波形看出Dmax約8%,太小(2)空載時(shí)主輸出約5.2v,帶滿載時(shí)輸出電壓太低,約1.2V
電路原理圖和波形圖見附件.
1168918715.doc
全部回復(fù)(2)
只看樓主
正序查看
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現(xiàn)在還沒有回復(fù)呢,說說你的想法
chery_man
LV.2
2
2007-01-16 11:40
1168918828.doc
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chery_man
LV.2
3
2007-01-16 11:47
@chery_man
1168918828.doc
從Vds波形可以看出開關(guān)周期約10us,開關(guān)頻率約100kHZ,但是占空比太小,是不是和MOSFET關(guān)斷時(shí)振蕩太大有關(guān)系呢?我測(cè)過整流平波后的直流電壓比較平滑,振蕩只能是MOSFET關(guān)斷時(shí)一次繞組和鉗位電路續(xù)流形成的,那到底是怎么形成的呢?又怎么解決呢?
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