我不知道你那功率管的柵電容是多少,用IR2110或IR2106加輸出MOS緩沖(峰值電流可大于8A,視輸出管而定)行嗎?我用過上升下降沿可小于100ns.還有TC系列的驅(qū)動(dòng)器也有些大電流的.

你指的MOS緩沖是什么?是不是加MOS構(gòu)成的圖騰結(jié)構(gòu).有電路給我瞧瞧嗎?不勝感謝啊!急死了!我用的MOS是ixys公司的,一個(gè)管子輸入的結(jié)電容有21nF啊!!

給這個(gè)你瞧瞧,不知是否、你有用.1098797782.pdf

這個(gè)資料我也有!我那個(gè)管子容是比較大,不知仁兄還有沒有其他方法.我們老板還要我三管并聯(lián)!難煞我也!

你的MOS緩沖是二級(jí)MOS圖騰,上管兩MOS接成達(dá)林頓結(jié)構(gòu)嗎?

這是一大晶片的FET,晶片上的柵是網(wǎng)裝的鋁線;有寄生電阻,FET有寄生的電容.這天生參數(shù)決定了你不可能快速驅(qū)動(dòng)它.你用兩階段法,高壓強(qiáng)驅(qū)動(dòng),9-15V維持,負(fù)脈沖強(qiáng)關(guān)斷才能有限提高速度.

具體電路什么呢?高壓強(qiáng)驅(qū)動(dòng)是什么?不懂啊!請(qǐng)賜教啊!

FET驅(qū)動(dòng)初期用+20V以上電壓驅(qū)動(dòng),保持約0.5-1us,再降到9-15V維持.

我希望上升沿在400ns以內(nèi),不知可不可以啊?

有沒有具體電路圖啊?能不能傳給小弟,不勝感激啊!我現(xiàn)在都快被我們導(dǎo)師逼瘋了

400ns沒問題,用電容對(duì)電容的RC套(字母我不知咋寫上去)形電路試試,在電工基礎(chǔ)上有C對(duì)RC電路的充電分析,你根據(jù)時(shí)間效應(yīng)還可以寫片論文.不過,最好把網(wǎng)博墜上.哈哈.

nuaa的兄弟啊,別急啊,APSC不是剛開過啊,你應(yīng)該去問問Fred.c LEE啊,要不然問問alpha Zhang 也可以啊,呵呵.

XKW兄,你傳給我的圖中輸入是接什么信號(hào)啊?電源嗎?

未指示的是電源輸入.

就是你所說的高壓強(qiáng)迫(大于20V),是吧?

是,但;不能超過廠家要求的GS最高耐壓.

我現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)三管230A100V的管子上升沿為400n(0-10V),下降沿為280n(10V-0),希望還能有所改進(jìn).

TC系列驅(qū)動(dòng)器大電流的有什么型號(hào)的,容易買嗎?

到這里看看:http://www.goldenchip.com.cn/icinfo/interface/MOSFET.asp

有個(gè)問題哦!你給我的文檔中說輸出MOS緩沖能輸出8A的峰值電流.但圖中IRFD9110和IRFD110的通態(tài)電流都小于1A,能行嗎?

好東東,兄弟先謝了!!我想問一下,容易購(gòu)買嗎?還有的工作溫度范圍怎樣?麻煩仁兄了

如果你覺得有問題,可以換電流更大的管嘛,且峰值與平均值不一樣的.

我在深圳,器件還不難購(gòu)買.參數(shù)上的問題看DATASHEET嘛.

外掛一負(fù)載測(cè)實(shí)際的上下沿,按的的脈沖數(shù)據(jù),開關(guān)速度已超過了200nS.你現(xiàn)在是幾伏驅(qū)動(dòng)的?

我現(xiàn)在是20V驅(qū)動(dòng),負(fù)5V的負(fù)壓!

我有200塊驅(qū)動(dòng)板  2單元  在高品加熱電源上用2年多沒事
過流保戶是一流的

號(hào)有好多級(jí)了,我說個(gè)方法吧,這個(gè)方法驅(qū)動(dòng)683的電容關(guān)是70NS,開是80NS.不過前提是它本身也要一定和驅(qū)動(dòng). 2806351230716188.pdf

還有好多沒有說就回了,我沒有真正驅(qū)動(dòng)過MOS,只是拿它驅(qū)動(dòng)了一下683的電容,也就是你想要的容值,上升是70NS,下降是60NS,前面的電容是102,二級(jí)管用4148,三極管用8550和8050.測(cè)試電壓是15V,前面的PWM信號(hào)是UC3825,想要再快就加8550和8050吧,沒錢人就用便宜貨堆.不過做好退耦,開始時(shí)我用它驅(qū)動(dòng)103電容,頻率開到600KHZ,一開就掛三極管,搞了好久才知道是電容沒有加好.

電路是面包板試的.

WR481 足夠用了.