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反激初級(jí)線圈匝數(shù)是否越少越好?

輸入電壓范圍170V~250VDC計(jì)算出來(lái)的初級(jí)匝數(shù)是100圈,

如果輸入電壓范圍變寬,即最小輸入電壓變低,比如50V,計(jì)算出的初級(jí)匝數(shù)50圈,

這樣我設(shè)計(jì)的電源不但輸入電壓范圍變寬,而且初級(jí)匝數(shù)變少。

一定有弊端吧?想不出,請(qǐng)教大家。

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2013-05-03 10:04

Bm=(L*Ip)/(N0*Ae)

初級(jí)線圈匝數(shù)N0越小,最大磁感應(yīng)強(qiáng)度Bm越大,磁芯越容易飽和。

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2013-05-03 17:42
@新月GG
Bm=(L*Ip)/(N0*Ae)初級(jí)線圈匝數(shù)N0越小,最大磁感應(yīng)強(qiáng)度Bm越大,磁芯越容易飽和。

初級(jí)匝數(shù)越少,初級(jí)電流越大,容易飽和,但是我降低占空比啊

我是根據(jù)輸入電壓和磁芯飽和磁通計(jì)算出初級(jí)匝數(shù)

降低輸入電壓,就會(huì)減少初級(jí)匝數(shù),飽和磁通不變。

所以我不覺(jué)得磁芯容易飽和。

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2013-05-03 20:04
@jiangping2007
初級(jí)匝數(shù)越少,初級(jí)電流越大,容易飽和,但是我降低占空比啊我是根據(jù)輸入電壓和磁芯飽和磁通計(jì)算出初級(jí)匝數(shù)降低輸入電壓,就會(huì)減少初級(jí)匝數(shù),飽和磁通不變。所以我不覺(jué)得磁芯容易飽和。

IP會(huì)增大。。。線徑要變粗。。。

溫度也會(huì)上去。。。而且氣隙變小,因?yàn)椋愕脑褦?shù)少,那么要保持L不變)。。。

也會(huì)導(dǎo)致你的變壓器容易飽和。。

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2013-05-04 08:43
@jiangping2007
初級(jí)匝數(shù)越少,初級(jí)電流越大,容易飽和,但是我降低占空比啊我是根據(jù)輸入電壓和磁芯飽和磁通計(jì)算出初級(jí)匝數(shù)降低輸入電壓,就會(huì)減少初級(jí)匝數(shù),飽和磁通不變。所以我不覺(jué)得磁芯容易飽和。

2貼的公式,哪個(gè)參數(shù)和占空比有關(guān)?

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rockyy
LV.6
6
2013-05-04 08:58
@dxsmail
IP會(huì)增大。。。線徑要變粗。。。溫度也會(huì)上去。。。而且氣隙變小,因?yàn)椋愕脑褦?shù)少,那么要保持L不變)。。。也會(huì)導(dǎo)致你的變壓器容易飽和。。

師長(zhǎng)好,其實(shí)我也一直搞不懂,按照你所說(shuō)的線徑變粗,導(dǎo)線橫截面就變粗,圈數(shù)又變少,應(yīng)該是損耗變小,溫升應(yīng)該會(huì)更好的吧,另外你所說(shuō)的飽和問(wèn)題,可以降低變壓器的感量解決,個(gè)人覺(jué)得還是應(yīng)該減少初級(jí)線圈,不知道這樣分析有沒(méi)有問(wèn)題,請(qǐng)指教,謝謝!

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2013-05-04 09:52
@rockyy
師長(zhǎng)好,其實(shí)我也一直搞不懂,按照你所說(shuō)的線徑變粗,導(dǎo)線橫截面就變粗,圈數(shù)又變少,應(yīng)該是損耗變小,溫升應(yīng)該會(huì)更好的吧,另外你所說(shuō)的飽和問(wèn)題,可以降低變壓器的感量解決,個(gè)人覺(jué)得還是應(yīng)該減少初級(jí)線圈,不知道這樣分析有沒(méi)有問(wèn)題,請(qǐng)指教,謝謝!

銅損會(huì)變小,由于Bm變大了,所以鐵損會(huì)變大。4貼可能是按經(jīng)驗(yàn)得出的總損耗變大,溫度上升。

如果保持電感量不變,自然氣隙變??;氣隙變小,自然容易飽和。

如果保持氣隙不變,則電感量減少,這樣的話,峰值電流Ip會(huì)上升,自然容易飽和。所以一般設(shè)計(jì)變壓器,都會(huì)根據(jù)最大磁感應(yīng)強(qiáng)度Bm,有個(gè)最小原邊繞組N0的計(jì)算公式。

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rockyy
LV.6
8
2013-05-04 10:11
@新月GG
2貼的公式,哪個(gè)參數(shù)和占空比有關(guān)?

他的意思是由IPK=2*PIN/(D*VIN)說(shuō)的吧,想保證初級(jí)pk電流不變,輸入電壓降低,從而增加它的占空比吧

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rockyy
LV.6
9
2013-05-04 10:14
@新月GG
銅損會(huì)變小,由于Bm變大了,所以鐵損會(huì)變大。4貼可能是按經(jīng)驗(yàn)得出的總損耗變大,溫度上升。如果保持電感量不變,自然氣隙變??;氣隙變小,自然容易飽和。如果保持氣隙不變,則電感量減少,這樣的話,峰值電流Ip會(huì)上升,自然容易飽和。所以一般設(shè)計(jì)變壓器,都會(huì)根據(jù)最大磁感應(yīng)強(qiáng)度Bm,有個(gè)最小原邊繞組N0的計(jì)算公式。

高手,在銅損和鐵損方面如何來(lái)均衡,比如如果變壓器溫升高了,怎么判斷是銅損引起還是鐵損引起的,謝謝!

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2013-05-04 10:47
@rockyy
他的意思是由IPK=2*PIN/(D*VIN)說(shuō)的吧,想保證初級(jí)pk電流不變,輸入電壓降低,從而增加它的占空比吧

3貼說(shuō)的是減小占空比。

而且沒(méi)列出公式,讓偶們費(fèi)神去猜他的公式。

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2013-05-04 10:53
@rockyy
高手,在銅損和鐵損方面如何來(lái)均衡,比如如果變壓器溫升高了,怎么判斷是銅損引起還是鐵損引起的,謝謝!

用兩組溫度測(cè)試。。。一組測(cè)磁芯溫度,一組測(cè)線包溫度。。。。

但正常的設(shè)計(jì),就只測(cè)磁芯。。。

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2013-05-04 11:04
@dxsmail
IP會(huì)增大。。。線徑要變粗。。。溫度也會(huì)上去。。。而且氣隙變小,因?yàn)椋愕脑褦?shù)少,那么要保持L不變)。。。也會(huì)導(dǎo)致你的變壓器容易飽和。。

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btclass
LV.7
13
2013-05-04 11:20

呵呵,我來(lái)告訴你真相。如果你100T都沒(méi)飽和,那么50T是絕不會(huì)飽和的。

受影響的是次級(jí)二極管的反壓會(huì)更高,給二極管留30%余量就好。

匝比越小,需要占空比就越小,越容易靠近DCM模式,需要考慮的是環(huán)路的設(shè)計(jì)。

峰值電流上去了,但是電感量下降了,所以根本不會(huì)飽和,從一定意義上講會(huì)更加安全。


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2013-05-04 20:29
@btclass
呵呵,我來(lái)告訴你真相。如果你100T都沒(méi)飽和,那么50T是絕不會(huì)飽和的。受影響的是次級(jí)二極管的反壓會(huì)更高,給二極管留30%余量就好。匝比越小,需要占空比就越小,越容易靠近DCM模式,需要考慮的是環(huán)路的設(shè)計(jì)。峰值電流上去了,但是電感量下降了,所以根本不會(huì)飽和,從一定意義上講會(huì)更加安全。

謝謝回復(fù),

我覺(jué)得您的回復(fù)靠譜。

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wwsshh_88
LV.1
15
2013-05-05 13:51
@jiangping2007
謝謝回復(fù),我覺(jué)得您的回復(fù)靠譜。

誰(shuí)用過(guò)SX60-D12S5武漢盛翔的高溫電源,支一聲??纯葱Ч绾?,我們也準(zhǔn)備用了。

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2013-05-05 16:18
@新月GG
Bm=(L*Ip)/(N0*Ae)初級(jí)線圈匝數(shù)N0越小,最大磁感應(yīng)強(qiáng)度Bm越大,磁芯越容易飽和。

初級(jí)線圈匝數(shù)越小、峰值磁通密度越大、而磁芯就越容易飽和、磁損也增加,但也不是說(shuō)匝數(shù)越多就越好、銅損也會(huì)增加的嘛,還是要取折、大概計(jì)算出后根據(jù)骨架尺寸選擇銅線線徑

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2013-05-06 08:59
@btclass
呵呵,我來(lái)告訴你真相。如果你100T都沒(méi)飽和,那么50T是絕不會(huì)飽和的。受影響的是次級(jí)二極管的反壓會(huì)更高,給二極管留30%余量就好。匝比越小,需要占空比就越小,越容易靠近DCM模式,需要考慮的是環(huán)路的設(shè)計(jì)。峰值電流上去了,但是電感量下降了,所以根本不會(huì)飽和,從一定意義上講會(huì)更加安全。
無(wú)語(yǔ)。。。
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2013-05-06 09:37
@jiangping2007
謝謝回復(fù),我覺(jué)得您的回復(fù)靠譜。
試試才知道哪種方法靠譜。。。。。。。
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rockyy
LV.6
19
2013-05-06 21:25
@dxsmail
用兩組溫度測(cè)試。。。一組測(cè)磁芯溫度,一組測(cè)線包溫度。。。。但正常的設(shè)計(jì),就只測(cè)磁芯。。。
恍然大悟,我有見(jiàn)過(guò)我們這里工程師這樣測(cè)試過(guò),當(dāng)時(shí)覺(jué)得應(yīng)該溫度差不多,畢竟磁芯跟線包是在一起的,現(xiàn)在才明白是測(cè)試銅損和磁損
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2013-05-07 08:07
@btclass
呵呵,我來(lái)告訴你真相。如果你100T都沒(méi)飽和,那么50T是絕不會(huì)飽和的。受影響的是次級(jí)二極管的反壓會(huì)更高,給二極管留30%余量就好。匝比越小,需要占空比就越小,越容易靠近DCM模式,需要考慮的是環(huán)路的設(shè)計(jì)。峰值電流上去了,但是電感量下降了,所以根本不會(huì)飽和,從一定意義上講會(huì)更加安全。
低于芯片要求的最少匝數(shù)。連啟動(dòng)都啟動(dòng)不了。。。。
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2013-05-07 09:31
@btclass
呵呵,我來(lái)告訴你真相。如果你100T都沒(méi)飽和,那么50T是絕不會(huì)飽和的。受影響的是次級(jí)二極管的反壓會(huì)更高,給二極管留30%余量就好。匝比越小,需要占空比就越小,越容易靠近DCM模式,需要考慮的是環(huán)路的設(shè)計(jì)。峰值電流上去了,但是電感量下降了,所以根本不會(huì)飽和,從一定意義上講會(huì)更加安全。

“如果你100T都沒(méi)飽和,那么50T是絕不會(huì)飽和的”,那照這樣說(shuō)我10T都沒(méi)飽和、那么5T也是絕對(duì)不會(huì)飽和嗎? 理論大家都 有所了解的  有時(shí)還是要經(jīng)過(guò)實(shí)踐的

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fastion
LV.1
22
2020-01-09 17:12
@rockyy
師長(zhǎng)好,其實(shí)我也一直搞不懂,按照你所說(shuō)的線徑變粗,導(dǎo)線橫截面就變粗,圈數(shù)又變少,應(yīng)該是損耗變小,溫升應(yīng)該會(huì)更好的吧,另外你所說(shuō)的飽和問(wèn)題,可以降低變壓器的感量解決,個(gè)人覺(jué)得還是應(yīng)該減少初級(jí)線圈,不知道這樣分析有沒(méi)有問(wèn)題,請(qǐng)指教,謝謝!

反激式開(kāi)關(guān)電源是利用電感儲(chǔ)能,而非純工頻變壓器主要靠匝數(shù)線降升壓,同一磁芯下,線圈匝數(shù)少了,電感量會(huì)變少,要儲(chǔ)相應(yīng)功率的電量,電流就是變大了。電流變大,會(huì)帶來(lái)更多的線損與開(kāi)關(guān)管損耗。

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