我的電路原理圖中,P2口加入12V電源和一個負載電阻,通過驅(qū)動芯片MAX4429輸出信號驅(qū)動mosfet,mosfet的導通速度很快,ns級,但是關(guān)斷速度卻很慢,us級,而且通過測試,發(fā)現(xiàn)在不同負載下例如1k和500歐,負載電阻越小,開關(guān)速度變快了,真是有些不明白了
我現(xiàn)在需要把開關(guān)速度都提升到ns級,我這個電路參數(shù)是否需要修改,請大家?guī)椭?,謝謝?。?/p>
CL去掉,并上反向二極管,效果不明顯,我將P2口輸入電壓抬高至24V,MOS關(guān)斷時間下降到800ns,但是還是不夠快,技術(shù)手冊上可以達到
我怎么沒看明白這個ID=4A是個什么意思?RL不是應該串在回路中嗎?
不好意思,菜鳥請求幫忙指教下啊,謝謝!
可以再Rg上并聯(lián)一個103或104的電容試試!
柵極沒有泄放回路呵!
要更快的的話,和IGBT一樣加反偏。