P-FET LDO穩(wěn)壓器的另一個優(yōu)點，是通過調(diào)整場效應(yīng)管（FET）的導通阻抗（ON-resistance）可以使穩(wěn)壓器的跌落電壓更低。 對于集成的穩(wěn)壓器而言，在單位面積上制造的場效應(yīng)功率管（FET power transistors）的導通阻抗會比雙極型開關(guān)管（Bipolar ONP Devices）的導通阻抗低。這就可以在更小封裝（Packages）下輸出更大的電流。