剛剛寫了好多，點(diǎn)錯(cuò)了關(guān)閉頁面，沒有保存。。。只能重新繼續(xù)了。。。

于是點(diǎn)開LM3478的方案，電路圖、效率曲線、工作參數(shù)和BOM清單都出來了。對(duì)于這種大電流的DCDC，我比較在意的是電感的選取，因?yàn)橐x到價(jià)格合適，貨源不錯(cuò)的電感，確實(shí)有不小的難度。點(diǎn)開電路圖，鼠標(biāo)放在電感上，參考設(shè)計(jì)中電感的詳細(xì)規(guī)格就出來了。

一看是coilcraft的，基本不用考慮了，一是價(jià)格貴，二是貨源不好找。于是點(diǎn)開BOM清單，發(fā)現(xiàn)右側(cè)有一個(gè)select alternate part，找到電感，點(diǎn)開一看，都是些很眼熟的國外品牌，他們有一個(gè)共同特點(diǎn)，就是價(jià)格太高，所以不予考慮了，還是根據(jù)參數(shù)，去國產(chǎn)電感里面選吧。有人問：為什么不用磁環(huán)電感？回答是，這么高頻率下，要用到鐵硅鋁或者紅灰磁環(huán)，這兩者價(jià)格都不低，并且還要定制。 

返回到主頁面，點(diǎn)dv/dt選項(xiàng)，出來的就是各個(gè)器件的工作參數(shù)。對(duì)于電感，最重要的參數(shù)就是峰值電流和RMS電流，要確保峰值電流小于飽和電流，然后根據(jù)RMS電流看電感的銅線電流密度是否合適。參數(shù)表格里面給出了我們希望的各項(xiàng)參數(shù)，只需要對(duì)照電感規(guī)格書選擇就是了。一開始我選擇了常見的12*12*7mm的方形貼片功率電感，根據(jù)某廠商的規(guī)格書，對(duì)于輸入6.8uH的輸入電感，該電感額定電流（手冊(cè)標(biāo)稱是取飽和電流和溫升電流中小的一項(xiàng)）6.6A，大于工作峰值電流5.29A（webebch計(jì)算值，和自己算的基本符合），銅線電阻19mR，按照計(jì)算得到的4.67A的RMS電流，銅線損耗0.4W，似乎是可以接受的。對(duì)于輸出22uH的電感，額定電流只有3.6A，小于工作峰值電流3.8A，如果電感量能夠降低到15uH的話，額定電流能夠達(dá)到4.5A，銅線阻抗27mR，按軟件計(jì)算得到的3.35A的RMS電流，0.3W的銅線損耗也是沒有問題的。理論上說，直接用15uH的代替22uH的不會(huì)有什么問題，因?yàn)榄h(huán)路帶寬很窄，即使電感大范圍變化，也不會(huì)對(duì)穩(wěn)定性有多大影響，無非是紋波電流大了些。但是既然有這個(gè)軟件，我想還是可以優(yōu)化一下，畢竟是舉手之勞。

如何讓這個(gè)電感從22uH變到15uH呢？在webench左側(cè)有一個(gè)user preferred frequency，我們勾選這個(gè)選項(xiàng)，然后試著將頻率提高一點(diǎn)的話，那么這個(gè)電感就有望減小了。

當(dāng)然，頻率提高，可能會(huì)影響效率，但是只要變化不大，效率也不會(huì)有大的起伏的。我們?cè)噲D從默認(rèn)的430KHz改為450KHz，然后點(diǎn)擊update，新的設(shè)計(jì)參數(shù)就出來了。

非常幸運(yùn)，僅僅提高20KHz的頻率，就讓電感量降低到了我們想要的值。然后再次點(diǎn)擊dv/dt項(xiàng)，查看電感規(guī)格是否符合更新后的工作參數(shù)要求。沒有問題的話，電感就選型就完了。當(dāng)然，此時(shí)的輸入電感也降低到了5.6uH。

接下來還有幾個(gè)重要的器件要選：MOSFET、二極管、輸出電容。為什么我們沒有說輸入電容？因?yàn)閷?duì)于sepic和boost這兩種拓?fù)?，輸入端直接接電感，電容上的電流是連續(xù)的，輸入電容不那么重要。

首先是mosfet，參考方案用的AON7246，查看一下它的損耗，2.13W，當(dāng)時(shí)我有點(diǎn)疑慮，這么小的封裝（大約DFN3*3mm)，如何能夠耗散2W多的功率？但是由于比較趕時(shí)間，也沒有多想，只是在布板時(shí)將漏極銅箔盡可能地布的比較大。

接下來查看一下二極管的平均電流，其實(shí)也沒什么好查的，等于輸出電流3.5A錯(cuò)不了。那么暫且選用兩個(gè)SMC封裝的SS34，室溫下，溫度應(yīng)該控制在100度以內(nèi)沒問題吧。

最后的輸出電容，計(jì)算得到的容量約100uF，這個(gè)參數(shù)我們不要隨便改動(dòng)它，至少不要大范圍改動(dòng)它，因?yàn)樯婕暗江h(huán)路問題。如果希望得到較小的ESR來降低電容的發(fā)熱，那么只能在不改變?nèi)萘康那闆r下選擇更大體積的封裝了。由于國產(chǎn)的電容實(shí)在是很難查到什么有用的參數(shù)，只好摸著石頭過橋，放一個(gè)大點(diǎn)封裝的，到時(shí)候根據(jù)情況調(diào)整吧。

就這樣，第一個(gè)版本的電路很快做出來了，不幸的是，這個(gè)方案是徹底失敗的。負(fù)載調(diào)整率、動(dòng)態(tài)響應(yīng)都不錯(cuò)，但是效率只有84%的樣子。滿載跑了幾分鐘，MOSFET溫度已經(jīng)超過110度了，電感和二極管溫度也超過了100度??！并且，這還是開放的情況下！

改板肯定是必須的，但是改之前可以利用這個(gè)“廢板”盡量做一些有價(jià)值的測(cè)試。首先換個(gè)MOSFET試試。手頭有英飛凌的BSC050N04（補(bǔ)充說明下，對(duì)于sepic拓?fù)?，MOSFET最大耐壓接近輸入輸出電壓之和，在這里也就是14+12=26V，在這里，選取40V耐壓的比較合適）這個(gè)管子不管是Rdson還是Qg都比AON7246低得多，當(dāng)然，它的價(jià)格也要高不少，我沒打算用它，只是做做實(shí)驗(yàn)。換上這個(gè)管子，重新測(cè)試一下，效率果然提升了將近一個(gè)點(diǎn)，但是沒有散熱器，溫度管子溫度仍然下不來。想想，要找到比這個(gè)參數(shù)更牛的管子幾乎是不可能了，那是不是LM3478的驅(qū)動(dòng)能力不行呢？本想用示波器測(cè)，但是示波器太爛，測(cè)出的驅(qū)動(dòng)波形根本無法讓我看出準(zhǔn)確的上升下降沿。于是回頭查LM3478的datasheet，真是不該，連這個(gè)datasheet都沒看一遍就做出樣板了，這要怪webench，呵呵。

一查，有點(diǎn)心灰了，驅(qū)動(dòng)管的內(nèi)阻確實(shí)有點(diǎn)大，再回頭看webench的計(jì)算結(jié)果，驅(qū)動(dòng)損耗1.36W，占了MOSFET總損耗的2/3?？磥?，要降低MOSFET溫升，外加圖騰柱是沒有辦法避免的了。

再看LM3478的datasheet，驅(qū)動(dòng)電路是經(jīng)過內(nèi)部穩(wěn)壓器供電的，IC供電電壓高于7.2V時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路供電電壓固定在7.2V。因此，單獨(dú)加一個(gè)圖騰柱還不行，還得另外給芯片加一個(gè)穩(wěn)壓電路，穩(wěn)定電壓小于等于7.2V但又要盡可能接近7.2V。這樣一來，電路看似確實(shí)復(fù)雜不少，不過增加的成本還不算多，無非是圖騰柱兩個(gè)sot23的BJT，穩(wěn)壓電路用一個(gè)SOT23的BJT，一個(gè)齊納二極管，幾個(gè)電容和電阻。于是，我最后設(shè)計(jì)完成的電路就成了下面的樣子。 

對(duì)了，忘了和大家說，webench最讓我感覺驚喜的是，他可以直接導(dǎo)出設(shè)計(jì)軟件相應(yīng)格式的原理圖文件，點(diǎn)擊export，就會(huì)彈出以下可選格式，我上面的圖就是在導(dǎo)出文件的基礎(chǔ)上修改的。

現(xiàn)在，電路既然加了圖騰柱，對(duì)于一般的管子而言，驅(qū)動(dòng)能力就不在話下了，所以下面選MOSFET就可以只考慮低的Rdson，基本不考慮Qg了。當(dāng)然，我們必須注意的是，由于驅(qū)動(dòng)電壓比較低，必須選用邏輯電平的低閾值mosfet。最后綜合考慮，我選了性價(jià)比極高的AOD240，它有極低的Rdson，并且TO252的封裝很適合在上面加散熱器，這樣也節(jié)省了銅箔散熱的面積，同時(shí)減小了漏極輻射干擾。還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是，二極管也可以選擇這種封裝的，這樣，就可以使用同一個(gè)散熱器，兩個(gè)發(fā)熱的大頭溫升問題就很好解決了。最后，二極管選擇了STPS1045B。

最后沒有定下來的剩下電感了。之前的電感，肯定是不能用了，在封裝接近的選項(xiàng)中，我找到了國產(chǎn)的一體成型大電流電感，這種電感額定電流和導(dǎo)通電阻都比之前的要小很多，價(jià)格幾乎是之前的兩倍。不過問題不大，總bom成本還有余量。最后的布板什么的，這里就不說了，直接上實(shí)物圖，這個(gè)圖在我另一個(gè)帖子里面也是有的。

實(shí)物出來之后，仍然沒那么順利。焊接好后，開始上電測(cè)試。負(fù)載緩慢增加到最大一切正常，滿載效率快89%了，比參考設(shè)計(jì)還略微高一點(diǎn)點(diǎn)。滿載跑了半個(gè)小時(shí)，最熱的是輸入電感，快70度了，似乎一切都是可以接受的。

但是，最后一項(xiàng)測(cè)試問題就暴露出來了。。。滿載上電，突然輸出掉了，整版所有功率器件巨熱，再測(cè)輸入電壓，跌倒只有8V（測(cè)試用的12V/5A 開關(guān)電源）。應(yīng)該是上電瞬間電流過大，把開關(guān)電源電壓拉低了，導(dǎo)致輸入電流進(jìn)一步增大，這算是LM3478一個(gè)硬傷，沒有軟啟動(dòng)功能。

作為車充，電源是電池的話可能不會(huì)出現(xiàn)這個(gè)問題，但是不解決這個(gè)問題畢竟是心里不踏實(shí)的，于是想起了外部增加軟啟動(dòng)的方法。方法也很簡單，就是在輸出電壓采樣電阻上并聯(lián)一個(gè)電容和一個(gè)二極管，如下面最后的圖。上電瞬間，電容上電壓為零，然后通過采樣電阻給電容充電，電壓緩慢上升，實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)。于是在板子上飛了條線，重新滿載測(cè)試，一切正常了！ 

很不錯(cuò)！ 　　

IC 貴了點(diǎn)，其實(shí)有便宜的選擇。像 FP5139（有軟啟動(dòng)），不到 1塊錢 ~

其實(shí)SEPIC，相對(duì)來說比較好設(shè)計(jì)。。。。

如果帶不了很大的負(fù)載。就只需要加大電感量和加大耦合電容量來解決。。。

所以相對(duì)其它來說。。。比較容易解決。。。

其實(shí)電路可以更簡單些，比如我上傳的附件電路。

小題大作了。

內(nèi)置功率管的，基本上不可能做到這個(gè)功率。內(nèi)置功率管的，功率管電流5A基本算是很大了，但是在這里還不夠，并且，功率管損耗極大，效率極低

沒看錯(cuò)的話，你圖用的上海芯龍的XL600什么的，做12V，2A差不多，再大就夠嗆，效率到不了85%

關(guān)注，樓主好貼啊，很詳細(xì)了！贊一個(gè)?。?/p>

限流比較器可以用互感器來減少功耗，或者加一個(gè)運(yùn)放，三極管都可以，整體還是更簡單的

不過要說簡單還是集成了mos的boost更方便些

互感器不大，但是價(jià)格是問題

集成mos的性價(jià)比不好，但是簡單方便

做這個(gè)性價(jià)比最好的還是3845，電路也不復(fù)雜，估算下來成本可以更低一些，效率有可能更高，畢竟少用一級(jí)圖騰，而且mos可以用高gs的

限流不一定用互感器，限流有很多解決方案的，成本都不高的

高門限的mos對(duì)于效率相當(dāng)重要，常見40v耐壓的mos可以做到2-3mr的

真的嗎

將你做的實(shí)驗(yàn)貼出來，大家看看。

sepic的效率比boost低很多，xl600系列效率在這個(gè)應(yīng)用中確實(shí)很難上80%

不過現(xiàn)在帖子里面出現(xiàn)的電路對(duì)于短路看上去都有不小的風(fēng)險(xiǎn)，不知道做sepic的都是怎么解決的