輸入電壓：直流電壓54V~68V變化

輸出：5V,2A

指標(biāo)：效率，0.75.精準(zhǔn)電壓5V輸出

器件：芯片TNY275PN（TNY275管子內(nèi)部電流最大不允許超過0.56A，內(nèi)部MOS漏極電壓700V）

設(shè)計過程：首先，先確定工作在什么模式下，看到網(wǎng)上都稱贊DCM好，我就假設(shè)能全部工作在DCM下

那么最小電壓最大功率輸出的時候，初級平均電流IA=10/(0.75*54)=0.245A，

那么在最大功率輸出的時候有初級最大峰值電流IP=IA/（0.5*DMAX），因?yàn)槌跫壸畲蠓逯惦娏鞑荒軣o限增長，

小弟認(rèn)為最大峰值電流受兩個因素限制：第一是峰值電流不能超過開關(guān)管允許的峰值電流，第二是峰值電流不能使得變壓器磁芯飽和。

由于對磁芯知識欠缺，所以小弟就考慮前一個因素為主，設(shè)峰值電流為0.9*Ilimt（留10%的余量）

那么峰值電流最大控制在0.56*0.9=0.504A。所以若要工作在DCM模式下，則DMAX>=0.97，顯然不可能。

所以可以設(shè)計成工作在CCM模式，或者輕載時候是DCM,重載是CCM混合模式

由于設(shè)計在CCM模式下，我輸出功率很小的時候所需電感量特別大，所以不予考慮

所以設(shè)計在DCM和CCM混合模式下

那么 可以確定DMAX=0.4(都推薦0.4~0.5)

計算得反射電壓VOR=36V，此時的反射電壓對開關(guān)管開關(guān)應(yīng)力微不足道。

由ip=VIN*TON/LP，可知，在最小輸入，最大占空比的時候，LP有個極限值，當(dāng)取的電感量較小時，峰值電流會超過我所要控制的值，所以LP有個極限值，計算得lp=324uH,

匝數(shù)具體值不會算，打算初級實(shí)際繞制72匝，次級10匝。然后不斷磨氣息，用電橋測量初級電感量，使之達(dá)到350uH

綜上：最大占空比定0.4，反射電壓取36V,匝比取7.2.lp取350uH，初級線圈72匝，次級線圈10匝。骨架取EFD15。TL431反饋

然后實(shí)際調(diào)試，提高效率。

請各位前輩指點(diǎn)下這個設(shè)計過程和所得參數(shù)是否合理（先不用PI的軟件計算，因?yàn)槲也皇呛芮宄@些參數(shù)是如何得出的）