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輻射30M-到50M間過不了。

 最近調(diào)了一款單路輸出，電壓可調(diào)12V、18V、24V /3A 采用的磁心為PQ3230  匝比： NP：NS：NB=28：7：10 。使用芯片是OB2269。反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。功能和傳導(dǎo)都OK，就是12V和18V輸出時(shí)輻射30M-到50M整不過，MOS D腳加過磁朱，DS間加100PF 1KV瓷片電容，驅(qū)動(dòng)也加大了，就是整不下。  
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zhenxiang
LV.10
2
2013-08-21 19:28
不是很懂挺感興趣幫你頂下。
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tonyleu
LV.7
3
2013-08-21 19:35
@zhenxiang
不是很懂挺感興趣幫你頂下。
驅(qū)動(dòng)該大，變壓器屏蔽，瓷片電容再加大
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2013-08-21 20:17
上pcb圖
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2013-08-21 21:02
@bumper_163
上pcb圖

變壓器加Y電容試試？

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2013-08-22 17:22
@zhenxiang
不是很懂挺感興趣幫你頂下。
 
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2013-08-22 17:28
  
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2013-08-22 18:35
@yangxuecheng
[圖片]  

主要是30MHZ 到50MHZ。

100MHZ 到200MHZ基本上是能過的。

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2013-08-22 18:39
@bumper_163
上pcb圖
 
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2013-08-22 18:42
@tonyleu
驅(qū)動(dòng)該大，變壓器屏蔽，瓷片電容再加大

驅(qū)動(dòng)電阻已經(jīng)增大到470歐姆了。

變壓器屏蔽已經(jīng)加過，就是起不什么用。

“瓷片電容加大“如果繼續(xù)加大會(huì)不會(huì)對(duì)MOS 管有危險(xiǎn)？我用的是10N60

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2013-08-22 18:44
@chenyankun
變壓器加Y電容試試？

你是指在初級(jí)高壓端到 次級(jí)的地加Y電容嗎？

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zhenxiang
LV.10
12
2013-08-22 20:10
@yangxuecheng
主要是30MHZ到50MHZ。100MHZ到200MHZ基本上是能過的。
輸入布線有問題呀 第一個(gè)共模起的作用很有限
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2013-08-22 21:22
@zhenxiang
輸入布線有問題呀第一個(gè)共模起的作用很有限

PCB板的面積有限，沒辦法。

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chenyankun
LV.8
14
2013-08-22 22:56
@yangxuecheng
你是指在初級(jí)高壓端到次級(jí)的地加Y電容嗎？
NS：NB的地與地之間
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2013-08-23 08:40
@yangxuecheng
主要是30MHZ到50MHZ。100MHZ到200MHZ基本上是能過的。

剛把那AC線割開了，漆包線跳了下線，還是沒有改尚。

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2013-08-23 09:03
輸出加共模電感。。。應(yīng)該能整下來吧？？？
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2013-08-23 09:03
@dxsmail
輸出加共模電感。。。應(yīng)該能整下來吧？？？
MOS管驅(qū)動(dòng)加大電阻。。。
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2013-08-23 10:06
@dxsmail
MOS管驅(qū)動(dòng)加大電阻。。。

之前把驅(qū)動(dòng)電阻由330歐姆變?yōu)?70歐姆，沒有多大的改善。

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2013-08-23 11:06
@yangxuecheng
之前把驅(qū)動(dòng)電阻由330歐姆變?yōu)?70歐姆，沒有多大的改善。
怎么樣了?樓主!怎么看上去MOSFET沒接地呀
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2013-08-23 11:39
@雪花梅花
怎么樣了?樓主!怎么看上去MOSFET沒接地呀

MOS管和肖特基沒接地。。。

確實(shí)會(huì)影響輻射。。。

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2013-08-23 17:30
@dxsmail
MOS管和肖特基沒接地。。。確實(shí)會(huì)影響輻射。。。

謝謝大的幫助。我剛把變壓的三明的饒法改成層饒，一初級(jí)改為31TS屏蔽層包初級(jí)、另一個(gè)初級(jí)改成32TS屏蔽層包反饋和次級(jí)。兩個(gè)結(jié)果是30——35MHZ 至少了10DB。但是，我的輻射測試是用公司的設(shè)備測試，如果到安規(guī)公司，至少要降到我測試的設(shè)備 為：50DB攔下。

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zhenxiang
LV.10
22
2013-08-23 19:25
@yangxuecheng
謝謝大的幫助。我剛把變壓的三明的饒法改成層饒，一初級(jí)改為31TS屏蔽層包初級(jí)、另一個(gè)初級(jí)改成32TS屏蔽層包反饋和次級(jí)。兩個(gè)結(jié)果是30——35MHZ至少了10DB。但是，我的輻射測試是用公司的設(shè)備測試，如果到安規(guī)公司，至少要降到我測試的設(shè)備為：50DB攔下。
功率不大的話變壓器改成普通的初級(jí) 次級(jí) 反饋 順序繞法，減少了分布電容，EMI能改善點(diǎn)的。
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chenyankun
LV.8
23
2013-08-23 21:31
@tonyleu
驅(qū)動(dòng)該大，變壓器屏蔽，瓷片電容再加大
你說的變壓器屏蔽是怎么屏蔽法？
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李明吉
LV.1
24
2013-08-24 13:25

把輸出端的電感量增大，

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2013-08-27 19:42
@dxsmail
輸出加共模電感。。。應(yīng)該能整下來吧？？？

輸出端的共摸電感試過，也調(diào)和多不同大小的電感，沒有起到任何作用，估計(jì)是三段電壓范圍太廣了引起MOS 彌勒效應(yīng)的問提的諧振。

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2013-08-27 19:43
@雪花梅花
怎么樣了?樓主!怎么看上去MOSFET沒接地呀
考屏的時(shí)候，沒考出來，那條線是有連接的。
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zdr665
LV.4
27
2013-08-28 15:15
MOS管的散熱片有沒有接地？  輸出整流二極管回路電路做些修改，試試看.
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2013-08-28 22:36
@zdr665
MOS管的散熱片有沒有接地？ 輸出整流二極管回路電路做些修改，試試看.

有接地。這個(gè)已經(jīng)解決了。主要是MOS米勒電容引起的，在RCD 的二極管串了個(gè)10MM磁珠，搞定。

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75482758
LV.6
29
2013-08-30 07:37
這個(gè)頻段是MOS引起的，在周邊吸收、驅(qū)動(dòng)，想辦法
1
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mnight
LV.4
30
2014-08-14 22:16
@yangxuecheng
驅(qū)動(dòng)電阻已經(jīng)增大到470歐姆了。變壓器屏蔽已經(jīng)加過，就是起不什么用。“瓷片電容加大“如果繼續(xù)加大會(huì)不會(huì)對(duì)MOS管有危險(xiǎn)？我用的是10N60
從沒見過驅(qū)動(dòng)電阻能整到470歐姆的
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xaingming
LV.1
31
2019-08-19 14:45
@75482758
這個(gè)頻段是MOS引起的，在周邊吸收、驅(qū)動(dòng)，想辦法
請(qǐng)求幫忙，能留個(gè)郵箱或者微信聯(lián)系嗎？
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