一種非隔離MOS管驅動電路-模仿電源管理芯片驅動結構
我是根據電源管理芯片內部MOSFET驅動結構修改的。
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原理圖附件:Protel 99 SE 版本: 99 SE [2013-9-2更新]
Altium Desiger summer 09 版本:AD 09 [2013-9-2更新]
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解釋說明:
『主功率管Q1截止時』:LX端為零電位,此時BS端(C5的左端)為12V-0.3V,此時如果PWM為低則有Q2 P管導通,Q3 N管截止,則主功率管Q1的柵極為11.7V高于源極LX,管子導通,同時C5充電至11.7V。
『主功率管Q1導通后』:LX端的值為Vin,這里假設為40V,此時BS端(C5的左端)就變?yōu)?1.7+Vin=51.7V,此時仍保持主功率管Q1的柵極高于源極LX 11.7V,Q1保持導通。由于二極管D2的單向導電性,BS端不會向+12V電源灌電流,保證+12V安全。
當PWM為高時,比較簡單,不做詳細分析,大家都懂得。
這也是該設計的巧妙之處,用于『非隔離』的驅動。所以這里的『C5』是非常重要的(D2也是必須的),并不是簡單的濾波這些的。但同時也有一個問題就是,C5 的容值需要根據開關頻率進行選擇。如果開關頻率低,C5 容值小的情況可能造成C5放電使柵極源極壓差小于導通電壓而使主功率管Q1提前關斷,所以如果開關頻率低則選擇大點的C5,如果開關頻率高則選擇小點的C5節(jié)約成本。