一種非隔離MOS管驅(qū)動電路-模仿電源管理芯片驅(qū)動結(jié)構(gòu)
我是根據(jù)電源管理芯片內(nèi)部MOSFET驅(qū)動結(jié)構(gòu)修改的。
大家看看!
原理圖附件:Protel 99 SE 版本: 99 SE [2013-9-2更新]
Altium Desiger summer 09 版本:AD 09 [2013-9-2更新]
歡迎大家提意見,吐槽!
解釋說明:
『主功率管Q1截止時』:LX端為零電位,此時BS端(C5的左端)為12V-0.3V,此時如果PWM為低則有Q2 P管導(dǎo)通,Q3 N管截止,則主功率管Q1的柵極為11.7V高于源極LX,管子導(dǎo)通,同時C5充電至11.7V。
『主功率管Q1導(dǎo)通后』:LX端的值為Vin,這里假設(shè)為40V,此時BS端(C5的左端)就變?yōu)?1.7+Vin=51.7V,此時仍保持主功率管Q1的柵極高于源極LX 11.7V,Q1保持導(dǎo)通。由于二極管D2的單向?qū)щ娦?,BS端不會向+12V電源灌電流,保證+12V安全。
當(dāng)PWM為高時,比較簡單,不做詳細(xì)分析,大家都懂得。
這也是該設(shè)計的巧妙之處,用于『非隔離』的驅(qū)動。所以這里的『C5』是非常重要的(D2也是必須的),并不是簡單的濾波這些的。但同時也有一個問題就是,C5 的容值需要根據(jù)開關(guān)頻率進(jìn)行選擇。如果開關(guān)頻率低,C5 容值小的情況可能造成C5放電使柵極源極壓差小于導(dǎo)通電壓而使主功率管Q1提前關(guān)斷,所以如果開關(guān)頻率低則選擇大點的C5,如果開關(guān)頻率高則選擇小點的C5節(jié)約成本。
您好!abccba 團(tuán)長,我不太認(rèn)同您的觀點,詳情請您看我的2帖解釋,你看看是否有道理!
我這里設(shè)計的是『非隔離式』的,如果按照您的畫法則+12V的地必須與主功率電路的地隔離(不共地),否則二極管被地短路。我的電路是可以共地的,所以才需要C5以及D2的。
我的驅(qū)動電路的GND與主功率的GND圖標(biāo)不同是為了畫PCB時提醒自己分開布線減小干擾最后一點相接,并不是GND標(biāo)錯了。
嗯!我也把Q2 倒了一下,并仿真,是可以的!您也提到“交叉導(dǎo)通”的問題,確實是存在的! 在驅(qū)動對管臨界導(dǎo)通點,P管認(rèn)為是低而導(dǎo)通,同時N管認(rèn)為是高也導(dǎo)通。
您說“需要加電平提升電路”,我想問的是“電平提升電路是怎樣的,可否告知,能有圖示最好了”。還有我想問的是“是否還有其他的解決方案?”
電平提升電路是我說的,不知道專業(yè)說法是什么。就是前級的PWM低電平參考是對地的,而后級圖上的PWM輸入,低電平參考是對Q1Q3源極的,后者比前者有時候電壓高很多,有時候又是接近地,需要將PWM高低電平從地提升到較高的Q1Q3源極電壓,而不影響電路正常工作。