PQ2620做12V 5A偏小，但看效率和溫度電路上應(yīng)該還有問(wèn)題，初級(jí)32T 會(huì)不會(huì)太少了，沒(méi)說(shuō)電感多大，漏感也沒(méi)提，反饋0.3一根線就夠了干嘛要3根。你這個(gè)電路中MOC溫度不應(yīng)該這么高，建議上原理圖更好說(shuō)。
哦，看到原理圖了，除C4太小外（加100uf吧）沒(méi)啥建議，主要看來(lái)還是變壓器上。還有，你用的啥芯片？還有，你怎樣測(cè)的效率，我懷疑不到85%。
你這個(gè)變壓器設(shè)計(jì)的也是中規(guī)中矩的，反射電壓80V，0.45的占空比,對(duì)于OPEN的應(yīng)該沒(méi)問(wèn)題,但是這樣的適配器恐怕溫度夠戧,你的效率上不來(lái).230V估計(jì)也就0.86左右吧.只有提高匝比提高反射電壓.看你的初級(jí)已經(jīng)32Ts了,2620的BOBBIN估計(jì)0.5的線你連1匝也加不進(jìn)去了,所以將次級(jí)去掉一圈,這個(gè)時(shí)候占空比會(huì)比較大,計(jì)算一下如果磁心沒(méi)有接近飽和
磁通,那么初級(jí)也可適當(dāng)減少1、2圈。這樣整流管就可以選小點(diǎn)的耐壓如80V的，看你的電壓范圍是到220V，那么60V的蕭特基都可以考慮使用，效率肯定會(huì)提高，但前提是管子不要太垃圾,大概90V時(shí)0.84,220V時(shí)0.87左右,你的好象是固定頻率硬開(kāi)關(guān),電感量適當(dāng)大一點(diǎn),可以工作在CCM下,效率應(yīng)該會(huì)更高一點(diǎn),基本上220V時(shí)0.89應(yīng)該不是太費(fèi)勁。但是這個(gè)時(shí)候你的MOS耐壓就要注意了，要留足夠的余量，最好打8折，同時(shí)吸收再處理一下。這樣做你的MOS和變壓器應(yīng)該溫度能解決，但是電容還是危險(xiǎn)。祝你好運(yùn)
大師如果占空比變大，反射電壓就高，肖特基如何能使用60V的管。也要用大于100V的管子吧
占空比、反射電壓都是根據(jù)你的MOS耐壓來(lái)決定的，所以你的MOS耐壓如果足夠，比如600V或650V，打8折，這個(gè)時(shí)候計(jì)算你的反射電壓，盡可能高一點(diǎn)，考慮SPIKE不要超過(guò)8折，當(dāng)然可靠性要求不高時(shí)可打9折，同時(shí)注意占空比不要超過(guò)0.5(除非加補(bǔ)償)。這個(gè)時(shí)候匝比肯定會(huì)大,那么次級(jí)整流管電壓會(huì)變低的.如:220*1.414=311V,匝比由6.5改為8,那么次級(jí)電壓為311/8=39,39+12=51V,用60V蕭特基打9折也有54V,所以沒(méi)問(wèn)題,如果是
264Vac,那就要用80V的了.
提高反射電壓是為了減低初級(jí)電流,減少M(fèi)OS的損耗,降低了次級(jí)電壓那么可以選擇更底耐壓整流管從而降低Vf,選擇相對(duì)好一點(diǎn)整流管,比如ST的60V、80V等，至于MOS，沒(méi)必要選擇太好畢竟只有60W，因?yàn)榈揭欢ǔ潭仍俅蟮碾娏饕?guī)格對(duì)損耗的降低已沒(méi)有多大實(shí)際意義了，因?yàn)镽dson雖降了但是由于電容的增大，開(kāi)關(guān)損耗也會(huì)大了，對(duì)于這種適配器產(chǎn)品來(lái)說(shuō)更不要提什么COOL MOS這種餿主意了，除非你的老板太有錢了沒(méi)地花了；
對(duì)于變壓器2620只要磁芯溫度不要超過(guò)太高，常規(guī)的類PC40材料應(yīng)該足夠了，如果成本沒(méi)有太大影響，也可以調(diào)整更換但要注意Ae不要變小了以防飽和。在變壓器不飽和的前提下增大一點(diǎn)感量。祝你成功。
我客戶的12V5A
MOS管 12N65 普通MOS管
芯片用NE1105C 高壓?jiǎn)?dòng)芯片
用PQ2620
肖特基是PFR30V60CT 一個(gè)
輸出線1.5M 18號(hào) 線端效率是87.3%只能過(guò)5級(jí)
感謝大師的指點(diǎn)，如今變壓器，MOS溫度解決。就是大電解溫度過(guò)不了
不好意思，我概述不清楚。是輸入電解電容的溫度高，輸出電解電容溫度不高。如今輸入電解沒(méi)法加大，尺寸限制。120UF\400V.18*31.5 ，高頻低阻的 。我的想法是把變壓器和MOS溫度再降低，能否使電解溫度降低。請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)。如今我將變壓器改成PQ2623的骨架
