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幫忙分析一下反激式電源如何利用MOS的內(nèi)阻實(shí)現(xiàn)限流

電路如圖，目的：實(shí)現(xiàn)MOS管的內(nèi)阻電壓反應(yīng)到3843的cs pin實(shí)現(xiàn)限流 ;實(shí)際使用發(fā)現(xiàn)：在MOS截止時(shí)有10v的電壓傳遞到3pin）；請(qǐng)大家看看該如何修改電路。

 

全部回復(fù)(27)
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abccba
LV.9
2
2013-09-28 19:00
輸入電壓過(guò)高可能損壞芯片，P3腳最高工作電壓是1V，可以考慮并聯(lián)一個(gè)2V左右的穩(wěn)壓管解決。但是，使用三極管射隨器取樣似乎有點(diǎn)問(wèn)題，PN結(jié)電壓有零點(diǎn)幾V的電壓，且隨結(jié)電流變化，這樣一來(lái)，檢流電壓到P3腳電壓失真較大?？刹豢梢匀サ羧龢O管和R8R33，在R3后面并個(gè)穩(wěn)壓管和濾波電容。另外既然用Ron代替檢流電阻，那么MOS的選購(gòu)就需要考慮Ron參數(shù)了。（不知道樓主現(xiàn)在這個(gè)電路試驗(yàn)結(jié)果如何？）
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abccba
LV.9
3
2013-09-28 19:10
@abccba
輸入電壓過(guò)高可能損壞芯片，P3腳最高工作電壓是1V，可以考慮并聯(lián)一個(gè)2V左右的穩(wěn)壓管解決。但是，使用三極管射隨器取樣似乎有點(diǎn)問(wèn)題，PN結(jié)電壓有零點(diǎn)幾V的電壓，且隨結(jié)電流變化，這樣一來(lái)，檢流電壓到P3腳電壓失真較大。可不可以去掉三極管和R8R33，在R3后面并個(gè)穩(wěn)壓管和濾波電容。另外既然用Ron代替檢流電阻，那么MOS的選購(gòu)就需要考慮Ron參數(shù)了。（不知道樓主現(xiàn)在這個(gè)電路試驗(yàn)結(jié)果如何？）
還有一個(gè)時(shí)序問(wèn)題，當(dāng)P3腳電壓高過(guò)當(dāng)前檢流比較閾值時(shí)，P6輸出被鎖定，也就是沒(méi)有輸出，所以，可能要對(duì)P3輸入信號(hào)進(jìn)行短時(shí)間消隱。
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t.t.lee
LV.5
4
2013-09-29 09:27
要用2個(gè)MOS管才行的。一個(gè)大功率MOS管S直接接地，另一個(gè)小功率MOS管S接電阻，從電阻上取CS信號(hào)。
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st.you
LV.10
5
2013-09-29 13:15

三極管的截止時(shí)間比較長(zhǎng)。

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abccba
LV.9
6
2013-09-29 13:29
@t.t.lee
要用2個(gè)MOS管才行的。一個(gè)大功率MOS管S直接接地，另一個(gè)小功率MOS管S接電阻，從電阻上取CS信號(hào)。
并聯(lián)分流，適合大電流檢測(cè)。（說(shuō)錯(cuò)了，不是并聯(lián)分流目的，是為了同步電壓取樣）
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abccba
LV.9
7
2013-09-29 13:34
也不知道同一型號(hào)的MOS管的導(dǎo)通電阻分散性如何？
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hary_wu01
LV.3
8
2013-09-30 15:21
@abccba
也不知道同一型號(hào)的MOS管的導(dǎo)通電阻分散性如何？
反復(fù)思考覺(jué)得應(yīng)該改為如下圖，將基極與集電極對(duì)換：可是實(shí)驗(yàn)的結(jié)果還是不理想；看大俠是否可以幫忙修改一下 
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hary_wu01
LV.3
9
2013-09-30 15:23
@abccba
輸入電壓過(guò)高可能損壞芯片，P3腳最高工作電壓是1V，可以考慮并聯(lián)一個(gè)2V左右的穩(wěn)壓管解決。但是，使用三極管射隨器取樣似乎有點(diǎn)問(wèn)題，PN結(jié)電壓有零點(diǎn)幾V的電壓，且隨結(jié)電流變化，這樣一來(lái)，檢流電壓到P3腳電壓失真較大?？刹豢梢匀サ羧龢O管和R8R33，在R3后面并個(gè)穩(wěn)壓管和濾波電容。另外既然用Ron代替檢流電阻，那么MOS的選購(gòu)就需要考慮Ron參數(shù)了。（不知道樓主現(xiàn)在這個(gè)電路試驗(yàn)結(jié)果如何？）
所有MOS為：HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S,
HUF75639S3
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel
UltraFET Power MOSFETs
These N-Channel power MOSFETs
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abccba
LV.9
10
2013-09-30 15:38
@hary_wu01
反復(fù)思考覺(jué)得應(yīng)該改為如下圖，將基極與集電極對(duì)換：可是實(shí)驗(yàn)的結(jié)果還是不理想；看大俠是否可以幫忙修改一下[圖片] 

Q3換成小功率MOS如何？沒(méi)有PN結(jié)電壓降在里攪合。就是4帖t.t.lee連長(zhǎng)所建議的。

（想想你這個(gè)圖Q3發(fā)射極電壓跟的是哪個(gè)？）

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hary_wu01
LV.3
11
2013-09-30 16:06
@abccba
Q3換成小功率MOS如何？沒(méi)有PN結(jié)電壓降在里攪合。就是4帖t.t.lee連長(zhǎng)所建議的。（想想你這個(gè)圖Q3發(fā)射極電壓跟的是哪個(gè)？）

是這個(gè)接法嗎？這樣應(yīng)該是主動(dòng)控制PWM的duty吧！似乎沒(méi)有用到電流反饋控制的思想啊。 

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abccba
LV.9
12
2013-09-30 16:25
@hary_wu01
是這個(gè)接法嗎？這樣應(yīng)該是主動(dòng)控制PWM的duty吧！似乎沒(méi)有用到電流反饋控制的思想啊。[圖片] 

不是，我給你畫(huà)圖。（以后截圖之前最好先把網(wǎng)格網(wǎng)點(diǎn)關(guān)掉）

 如果試驗(yàn)成了，要感謝t.t.lee連長(zhǎng)。

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hary_wu01
LV.3
13
2013-09-30 16:34
@abccba
不是，我給你畫(huà)圖。（以后截圖之前最好先把網(wǎng)格網(wǎng)點(diǎn)關(guān)掉）[圖片] 如果試驗(yàn)成了，要感謝t.t.lee連長(zhǎng)。
麻煩學(xué)長(zhǎng)了！！
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hary_wu01
LV.3
14
2013-09-30 16:43
@abccba
不是，我給你畫(huà)圖。（以后截圖之前最好先把網(wǎng)格網(wǎng)點(diǎn)關(guān)掉）[圖片] 如果試驗(yàn)成了，要感謝t.t.lee連長(zhǎng)。
原來(lái)是采取并聯(lián)方式；按比例縮小電流-->再利用大電阻I-V轉(zhuǎn)換
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abccba
LV.9
15
2013-09-30 16:47
@hary_wu01
原來(lái)是采取并聯(lián)方式；按比例縮小電流-->再利用大電阻I-V轉(zhuǎn)換
不是這樣理解的，Q5就是個(gè)同步電壓取樣開(kāi)關(guān)，R5是為了抗擾降低線(xiàn)路阻抗，同時(shí)讓Q5的VGS能有效工作。R5大小和取樣電流沒(méi)有關(guān)系。（我先前說(shuō)的并聯(lián)分流是不對(duì)的）
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hary_wu01
LV.3
16
2013-09-30 16:53
@abccba
不是這樣理解的，Q5就是個(gè)同步電壓取樣開(kāi)關(guān)，R5是為了抗擾降低線(xiàn)路阻抗，同時(shí)讓Q5的VGS能有效工作。R5大小和取樣電流沒(méi)有關(guān)系。（我先前說(shuō)的并聯(lián)分流是不對(duì)的）
難道不是理解為Ir5*(R5+Rq5)=Iq6*Rq6  I=Ir5+Iq6嗎？
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abccba
LV.9
17
2013-09-30 18:04
@hary_wu01
難道不是理解為Ir5*(R5+Rq5)=Iq6*Rq6 I=Ir5+Iq6嗎？
別往復(fù)雜想，難為自己。R5 >> Ron，分流效果可以忽略了，當(dāng)成同步取樣更簡(jiǎn)單。
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t.t.lee
LV.5
18
2013-10-01 15:44
@abccba
不是，我給你畫(huà)圖。（以后截圖之前最好先把網(wǎng)格網(wǎng)點(diǎn)關(guān)掉）[圖片] 如果試驗(yàn)成了，要感謝t.t.lee連長(zhǎng)。

這個(gè)電路對(duì)主MOS內(nèi)阻一致性要求高，必須要用質(zhì)量好的。

量產(chǎn)過(guò)的。

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hary_wu01
LV.3
19
2013-10-04 16:38
@t.t.lee
這個(gè)電路對(duì)主MOS內(nèi)阻一致性要求高，必須要用質(zhì)量好的。量產(chǎn)過(guò)的。
那小功率的mos采用沒(méi)特殊要求吧。
datasheet  FAIRCHILD
可以嗎
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abccba
LV.9
20
2013-10-04 17:01
@hary_wu01
那小功率的mos采用沒(méi)特殊要求吧。[圖片]datasheet FAIRCHILD可以嗎
做試驗(yàn)可以用和Q6一樣的管，成了再選小管，這樣不耽誤進(jìn)度。選小管時(shí)只考慮VDS耐壓就可以。
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hary_wu01
LV.3
21
2013-10-07 16:49
@abccba
做試驗(yàn)可以用和Q6一樣的管，成了再選小管，這樣不耽誤進(jìn)度。選小管時(shí)只考慮VDS耐壓就可以。

實(shí)驗(yàn)了兩天多種方式都不行！同事不知從哪里弄了這個(gè)圖結(jié)果好了；電壓還上升還很快。就是不太穩(wěn)定；可是原理大家看不懂啊。cs電流檢測(cè)。RT RC震蕩pin 。pwmout輸出pin

 

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abccba
LV.9
22
2013-10-07 16:57
@hary_wu01
實(shí)驗(yàn)了兩天多種方式都不行！同事不知從哪里弄了這個(gè)圖結(jié)果好了；電壓還上升還很快。就是不太穩(wěn)定；可是原理大家看不懂啊。cs電流檢測(cè)。RTRC震蕩pin。pwmout輸出pin[圖片] 

這個(gè)電路有什么問(wèn)題，你的試驗(yàn)結(jié)果怎樣？

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hary_wu01
LV.3
23
2013-10-07 17:07
@abccba
[圖片]這個(gè)電路有什么問(wèn)題，你的試驗(yàn)結(jié)果怎樣？

實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，電流太大直接將電源供應(yīng)器的電壓拉了下來(lái)。cs pin是有無(wú)序的大跳變

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abccba
LV.9
24
2013-10-07 17:13
@hary_wu01
實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，電流太大直接將電源供應(yīng)器的電壓拉了下來(lái)。cspin是有無(wú)序的大跳變
兩個(gè)MOS的D極上面不是通過(guò)初級(jí)繞組接到電源的嗎？
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hary_wu01
LV.3
25
2013-10-07 17:16
@abccba
兩個(gè)MOS的D極上面不是通過(guò)初級(jí)繞組接到電源的嗎？

是的：12v----變壓器初級(jí)----MOS管 D極

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abccba
LV.9
26
2013-10-07 17:26
@hary_wu01
是的：12v----變壓器初級(jí)----MOS管D極

開(kāi)關(guān)管一個(gè)周期內(nèi)的導(dǎo)通時(shí)間ton、變壓器初級(jí)電感L、以及三角波的峰值電流Ip都是多大？有CS波形嗎？傳上來(lái)看一下。

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hary_wu01
LV.3
27
2013-10-07 17:35
@abccba
開(kāi)關(guān)管一個(gè)周期內(nèi)的導(dǎo)通時(shí)間ton、變壓器初級(jí)電感L、以及三角波的峰值電流Ip都是多大？有CS波形嗎？傳上來(lái)看一下。
開(kāi)關(guān)頻率400k duty=33% 初級(jí)線(xiàn)圈為3uh IPK=10A  IAVE=3.3A(33~35W的輸出)
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abccba
LV.9
28
2013-10-07 21:11
@hary_wu01
開(kāi)關(guān)頻率400kduty=33%初級(jí)線(xiàn)圈為3uhIPK=10A IAVE=3.3A(33~35W的輸出)

我算的Ipk是3.3A。

24帖“電流太大直接將電源供應(yīng)器的電壓拉了下來(lái)”——懷疑①.電源輸入帶載能力；②.長(zhǎng)線(xiàn)過(guò)來(lái)或加L濾波后電容去耦是否理想；

“cs pin是有無(wú)序的大跳變”——懷疑兩只MOS柵極驅(qū)動(dòng)不力、MOS通斷不利落。（不在現(xiàn)場(chǎng)，只能幫忙懷疑）

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