小弟菜鳥(niǎo)，用iw1710做36V 500mA的電源，老化中發(fā)現(xiàn)有一個(gè)樣品燒了mos管 電阻R13 R14 橋堆 保險(xiǎn)絲 IC，求前輩們指點(diǎn)一下應(yīng)該從哪里下手找原因呢？
IW1710燒mos管，求指點(diǎn)
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@381896371
初步分析,同意樓上的說(shuō)法,兩點(diǎn)入手,第一,排除是不是MOS本身質(zhì)量不過(guò)關(guān),第二,測(cè)試MOS的電壓波形,上圖來(lái)看看
感謝樓上兩位前輩指點(diǎn)，剛剛測(cè)試了波形如下：
1.Vds電壓波形
2.Vcc電壓波形
.
3.輸出電壓波形
總結(jié)：
1.Vds-pp為444V，mos管為7n60，耐壓應(yīng)該夠吧？
2.VCC和輸出的紋波確實(shí)是大，有1V多
這樣看燒管的問(wèn)題會(huì)是尖峰過(guò)大造成的嗎？
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@l2k999
感謝樓上兩位前輩指點(diǎn)，剛剛測(cè)試了波形如下：1.Vds電壓波形[圖片] 2.Vcc電壓波形.[圖片] 3.輸出電壓波形[圖片] 總結(jié)：1.Vds-pp為444V，mos管為7n60，耐壓應(yīng)該夠吧？ 2.VCC和輸出的紋波確實(shí)是大，有1V多這樣看燒管的問(wèn)題會(huì)是尖峰過(guò)大造成的嗎？
這兩個(gè)尖峰都不至于產(chǎn)生問(wèn)題。兩個(gè)電流采樣電流用的好像是1206，溫度肯定會(huì)很高，建議改大封裝試試。不過(guò)這個(gè)應(yīng)該不至于導(dǎo)致你mos管損壞
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發(fā)現(xiàn)這個(gè)電路圖至少有一個(gè)問(wèn)題：R6放的位置不對(duì)，不應(yīng)該放在R2這一邊，而應(yīng)該放在D3這一側(cè)。目前R6的位置，將導(dǎo)致IC工作在巨大的噪音中，記住這個(gè)是開(kāi)關(guān)電源，IC需要從電容C9取電，快速的很大的電流通過(guò)R6就產(chǎn)生了噪音。在大噪聲的干擾下，IC可能有失控的危險(xiǎn)。
當(dāng)然，不排出功率管的品質(zhì)問(wèn)題，現(xiàn)在功率管假貨太多，一般小廠很難確保拿到有品質(zhì)保證的真貨。
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@dsic
發(fā)現(xiàn)這個(gè)電路圖至少有一個(gè)問(wèn)題：R6放的位置不對(duì)，不應(yīng)該放在R2這一邊，而應(yīng)該放在D3這一側(cè)。目前R6的位置，將導(dǎo)致IC工作在巨大的噪音中，記住這個(gè)是開(kāi)關(guān)電源，IC需要從電容C9取電，快速的很大的電流通過(guò)R6就產(chǎn)生了噪音。在大噪聲的干擾下，IC可能有失控的危險(xiǎn)。當(dāng)然，不排出功率管的品質(zhì)問(wèn)題，現(xiàn)在功率管假貨太多，一般小廠很難確保拿到有品質(zhì)保證的真貨。
關(guān)注中
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@dsic
發(fā)現(xiàn)這個(gè)電路圖至少有一個(gè)問(wèn)題：R6放的位置不對(duì)，不應(yīng)該放在R2這一邊，而應(yīng)該放在D3這一側(cè)。目前R6的位置，將導(dǎo)致IC工作在巨大的噪音中，記住這個(gè)是開(kāi)關(guān)電源，IC需要從電容C9取電，快速的很大的電流通過(guò)R6就產(chǎn)生了噪音。在大噪聲的干擾下，IC可能有失控的危險(xiǎn)。當(dāng)然，不排出功率管的品質(zhì)問(wèn)題，現(xiàn)在功率管假貨太多，一般小廠很難確保拿到有品質(zhì)保證的真貨。
正解~
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@l2k999
感謝樓上兩位前輩指點(diǎn)，剛剛測(cè)試了波形如下：1.Vds電壓波形[圖片] 2.Vcc電壓波形.[圖片] 3.輸出電壓波形[圖片] 總結(jié)：1.Vds-pp為444V，mos管為7n60，耐壓應(yīng)該夠吧？ 2.VCC和輸出的紋波確實(shí)是大，有1V多這樣看燒管的問(wèn)題會(huì)是尖峰過(guò)大造成的嗎？
VDS 400多V 不可能燒壞7N60，你用的是品牌MOS管，還是？？？
這是在老化中出現(xiàn)的狀況，除非僅僅是這一個(gè)7N60本身就有問(wèn)題。就當(dāng)成個(gè)案處理吧
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