驅(qū)動(dòng)電流太大了

MOS 雖然是電平驅(qū)動(dòng)的元件，但因?yàn)榘雽?dǎo)體工藝的問題，GS 間會(huì)存在電容 Qg，MOS 的導(dǎo)通是將 Qg 充至一定電荷以后，才會(huì)打開；關(guān)斷也是將 Qg 放至一定電荷以后才會(huì)關(guān)斷

強(qiáng)驅(qū)的結(jié)果，不是 MOS 壞，就是 PWM IC 壞；如果你有驅(qū)動(dòng)級(jí)的話，多數(shù)是 MOS 壞

弱驅(qū)的結(jié)果，MOS 會(huì)經(jīng)過一個(gè)很長(zhǎng)的線性區(qū)，也會(huì)損壞

是真的嗎？

謝謝。也就是說MOS管G端電阻太小，D.S端上升速率太快導(dǎo)致?lián)p壞對(duì)吧。但在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，在Gate端電阻上并聯(lián)二極管開機(jī)也會(huì)出現(xiàn)損壞MOS的現(xiàn)象。也是這個(gè)道理吧，請(qǐng)指教。

基本上是這樣， Gate 的 di/dt 上升或下降太快，都會(huì)造成損傷

就象電容充電一個(gè)原理，如果電流的變化率太大，就會(huì)造成電容損壞一樣

謝謝。

IGmax

驅(qū)動(dòng)電流取多大合適?或者怎么通過驅(qū)動(dòng)波形判斷是否全適?我在一款MOS的PDF資料上沒看到有IGmax的參數(shù).

MOSFET 是電壓控制器件，如果驅(qū)動(dòng)電阻比較小，MOSFET 受控能力減弱；G端驅(qū)動(dòng)電阻有抑制GS 振蕩的作用，如果GS振蕩過大，VGSP-P超過額定值，GS擊穿，MOSFET 失效;最好捉取VDS,VGS，IDS信號(hào)波形分析。

問個(gè)問題:減小電容充放電電流變化率一般采用什么手段?