先上電路圖，詳細問題在跟貼里說明。
整體電路：
控制芯片部分：
變壓器及整流部分：
變壓器結(jié)構(gòu)：
（變壓器的實際氣隙為 1.2mm，得到電感量為 1150uH）
求助：雙管反激輸出電壓不足，百思不得其解。附電路圖、檢查分析步驟。
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問題在于，起動時不斷打嗝。分兩種情況：
1. 完全空載時起動打嗝
兩路輸出都完全不接任何負載。電源兩路輸出均為 32V，但不斷打嗝起動。查得原因是由于沒有負載，輸出電壓過沖后（高于431設(shè)定的電壓）長時間不能回落，反饋回路使控制芯片長時間處于 0 占空輸出狀態(tài)，因此輔助電源無電壓輸出而使控制芯片掉電，從而引起打嗝。我想這個情況應(yīng)該屬于正常現(xiàn)象。
2. 有負載時起動打嗝（負載不重）
僅在其中一路輸出上接一個150歐電阻作為負載，假如電源正常，則此電阻應(yīng)該流過 0.2A 電流，消耗 6.4W 功率。而本電源設(shè)計目標功率為 90W，每路輸出最大 1.5A。
但事實上，接上這個電阻后，電源仍然起動打嗝，原因與第一條完全是另一碼事。經(jīng)檢查，電源的兩路輸出和輔助電源輸出的電壓均極低，輔助電源只有 4V 不到、主輸出只有 8V 不到。因為輔助電源不能提供足夠電壓，造成芯片欠壓而打嗝。
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我想知道是什么原因造成輸出電壓如此低！
檢查項目有：
A 芯片振蕩正常，輸出脈沖頻率 75KHz。
B 兩功率管的驅(qū)動正常。驅(qū)動相位是正確的，兩管同步開通和關(guān)斷，上升、下降速度均屬正常范圍。
C 變壓器的各繞組相位正確，波形是正確的反激波形。
D 測量電流傳感電阻上的電壓波形很好，起動占空比約 40%，最高點電流峰值約 1.25A。
E 由漏感引起的初級繞組反射電壓（經(jīng)D8 D9反饋到主電容）被正確鉗位，D8 D9 的導(dǎo)通時間短于 150ns（電流峰值1.2A）。證明此部分能量是很小的，沒有造成太多的能量反饋回電源電容。
================
好了，經(jīng)過以上檢查，我的疑問是：
功率管開通期間確實是儲存了能量（第 D 檢查項），而且占空時間是 40%、電流峰值 1.2A，說明儲存的能量應(yīng)該不小。但功率管關(guān)斷后，釋放到次級只有 8V 不到的電壓，在 150歐電阻上只流過了 0.05A 的電流。（事實觀測反激期間的次級波形，確實只有8V左右的平直波形，而且持續(xù)時間比較長，大約 50% 占空比，是 DCM 工作模式）
磁芯中儲存的能量那里去了？是根本沒有儲存足夠能量么？電路有問題還是變壓器有問題？
我第一次做雙管反激。單管反激、單管正激都做過的，基礎(chǔ)的東西懂一點，但經(jīng)驗還是不足。謝各位指正指正，感激不盡。
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@tinge
問題在于，起動時不斷打嗝。分兩種情況：1.完全空載時起動打嗝 兩路輸出都完全不接任何負載。電源兩路輸出均為32V，但不斷打嗝起動。查得原因是由于沒有負載，輸出電壓過沖后（高于431設(shè)定的電壓）長時間不能回落，反饋回路使控制芯片長時間處于0占空輸出狀態(tài)，因此輔助電源無電壓輸出而使控制芯片掉電，從而引起打嗝。我想這個情況應(yīng)該屬于正?，F(xiàn)象。2.有負載時起動打嗝（負載不重） 僅在其中一路輸出上接一個150歐電阻作為負載，假如電源正常，則此電阻應(yīng)該流過0.2A電流，消耗6.4W功率。而本電源設(shè)計目標功率為90W，每路輸出最大1.5A。 但事實上，接上這個電阻后，電源仍然起動打嗝，原因與第一條完全是另一碼事。經(jīng)檢查，電源的兩路輸出和輔助電源輸出的電壓均極低，輔助電源只有4V不到、主輸出只有8V不到。因為輔助電源不能提供足夠電壓，造成芯片欠壓而打嗝。=============我想知道是什么原因造成輸出電壓如此低！檢查項目有：A芯片振蕩正常，輸出脈沖頻率75KHz。B兩功率管的驅(qū)動正常。驅(qū)動相位是正確的，兩管同步開通和關(guān)斷，上升、下降速度均屬正常范圍。C變壓器的各繞組相位正確，波形是正確的反激波形。D測量電流傳感電阻上的電壓波形很好，起動占空比約40%，最高點電流峰值約1.25A。E由漏感引起的初級繞組反射電壓（經(jīng)D8D9反饋到主電容）被正確鉗位，D8D9的導(dǎo)通時間短于150ns（電流峰值1.2A）。證明此部分能量是很小的，沒有造成太多的能量反饋回電源電容。================好了，經(jīng)過以上檢查，我的疑問是：功率管開通期間確實是儲存了能量（第D檢查項），而且占空時間是40%、電流峰值1.2A，說明儲存的能量應(yīng)該不小。但功率管關(guān)斷后，釋放到次級只有8V不到的電壓，在150歐電阻上只流過了0.05A的電流。（事實觀測反激期間的次級波形，確實只有8V左右的平直波形，而且持續(xù)時間比較長，大約50%占空比，是DCM工作模式）磁芯中儲存的能量那里去了？是根本沒有儲存足夠能量么？電路有問題還是變壓器有問題？我第一次做雙管反激。單管反激、單管正激都做過的，基礎(chǔ)的東西懂一點，但經(jīng)驗還是不足。謝各位指正指正，感激不盡。
3845是否可以不用斜坡補償？C29
“經(jīng)檢查，電源的兩路輸出和輔助電源輸出的電壓均極低，輔助電源只有 4V 不到、……”——輔電VCC這么低，按理說3845是欠壓閉鎖的，不會有占空比輸出。
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@abccba
3845是否可以不用斜坡補償？C29“經(jīng)檢查，電源的兩路輸出和輔助電源輸出的電壓均極低，輔助電源只有4V不到、……”——輔電VCC這么低，按理說3845是欠壓閉鎖的，不會有占空比輸出。[圖片]
就是因為 VCC 的原因才打嗝的。芯片起動前主電容經(jīng)過 R25 對 C26 充電，達到 8.5V 左右芯片開始輸出，由于輔助電源電壓不足，C26 的電壓逐漸被消耗，當電壓下降到 7.4V 左右芯片欠壓保護，然后重新開始對 C26 充電。如此重復(fù)就形成打嗝。
從 8.5V 下降到 7.4V 這段期間，芯片可輸出數(shù)百個脈沖，如果電源正常，則此期間輔助電源早就提供了足夠的電壓給 VCC，就不會發(fā)生這情況了。可惜了，輔助電源電壓太低，不滿足條件。
（補充一下，主電容沒有出現(xiàn)在圖中，是 33uF/700V 電解電容）
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@tinge
就是因為VCC的原因才打嗝的。芯片起動前主電容經(jīng)過R25對C26充電，達到8.5V左右芯片開始輸出，由于輔助電源電壓不足，C26的電壓逐漸被消耗，當電壓下降到7.4V左右芯片欠壓保護，然后重新開始對C26充電。如此重復(fù)就形成打嗝。從8.5V下降到7.4V這段期間，芯片可輸出數(shù)百個脈沖，如果電源正常，則此期間輔助電源早就提供了足夠的電壓給VCC，就不會發(fā)生這情況了。可惜了，輔助電源電壓太低，不滿足條件。（補充一下，主電容沒有出現(xiàn)在圖中，是33uF/700V電解電容）
MOS的柵極驅(qū)動波形是怎樣的，正負峰值電壓分別多少？
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@abccba
MOS的柵極驅(qū)動波形是怎樣的，正負峰值電壓分別多少？
是這樣，由于 C22 的存在，MOS 柵極只有 +5V -4V 左右，MOS 開通速度比較慢，波形不好，但主變壓器還是有輸出的。
基于此情況，我短接了 C22，因此 MOS 柵極沒有負壓，開通時 +9V 左右。開通速度和關(guān)斷速度均很好。由于此驅(qū)動變壓器體積比較大，取消 C22 也沒有飽和現(xiàn)象。檢查了柵極波形，波頂平直，確實沒有驅(qū)動變壓器磁芯飽和的情況出現(xiàn)。
（補充：MOS 柵極電壓很是詭異，芯片輸出脈沖電壓只有 6V-6.5V 左右，但經(jīng)過驅(qū)動變壓器后就變成了 6V-9V 不等，且有時是正負對稱波形，有時只有正脈沖波形。）
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@tinge
是這樣，由于C22的存在，MOS柵極只有+5V-4V左右，MOS開通速度比較慢，波形不好，但主變壓器還是有輸出的。基于此情況，我短接了C22，因此MOS柵極沒有負壓，開通時+9V左右。開通速度和關(guān)斷速度均很好。由于此驅(qū)動變壓器體積比較大，取消C22也沒有飽和現(xiàn)象。檢查了柵極波形，波頂平直，確實沒有驅(qū)動變壓器磁芯飽和的情況出現(xiàn)。（補充：MOS柵極電壓很是詭異，芯片輸出脈沖電壓只有6V-6.5V左右，但經(jīng)過驅(qū)動變壓器后就變成了6V-9V不等，且有時是正負對稱波形，有時只有正脈沖波形。）
（眼還是比我手快，
）
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我的想法也傾向這個結(jié)論，但問題是我不知道應(yīng)該怎樣改變壓器！按照以前的計算方式，反復(fù)計算也只能得到相似的變壓器結(jié)構(gòu)。最多只能改變一點變比，將次級 8T 改為 10T，輔助 4T 改為 5T。@tinge
問題在于，起動時不斷打嗝。分兩種情況：1.完全空載時起動打嗝 兩路輸出都完全不接任何負載。電源兩路輸出均為32V，但不斷打嗝起動。查得原因是由于沒有負載，輸出電壓過沖后（高于431設(shè)定的電壓）長時間不能回落，反饋回路使控制芯片長時間處于0占空輸出狀態(tài)，因此輔助電源無電壓輸出而使控制芯片掉電，從而引起打嗝。我想這個情況應(yīng)該屬于正?，F(xiàn)象。2.有負載時起動打嗝（負載不重） 僅在其中一路輸出上接一個150歐電阻作為負載，假如電源正常，則此電阻應(yīng)該流過0.2A電流，消耗6.4W功率。而本電源設(shè)計目標功率為90W，每路輸出最大1.5A。 但事實上，接上這個電阻后，電源仍然起動打嗝，原因與第一條完全是另一碼事。經(jīng)檢查，電源的兩路輸出和輔助電源輸出的電壓均極低，輔助電源只有4V不到、主輸出只有8V不到。因為輔助電源不能提供足夠電壓，造成芯片欠壓而打嗝。=============我想知道是什么原因造成輸出電壓如此低！檢查項目有：A芯片振蕩正常，輸出脈沖頻率75KHz。B兩功率管的驅(qū)動正常。驅(qū)動相位是正確的，兩管同步開通和關(guān)斷，上升、下降速度均屬正常范圍。C變壓器的各繞組相位正確，波形是正確的反激波形。D測量電流傳感電阻上的電壓波形很好，起動占空比約40%，最高點電流峰值約1.25A。E由漏感引起的初級繞組反射電壓（經(jīng)D8D9反饋到主電容）被正確鉗位，D8D9的導(dǎo)通時間短于150ns（電流峰值1.2A）。證明此部分能量是很小的，沒有造成太多的能量反饋回電源電容。================好了，經(jīng)過以上檢查，我的疑問是：功率管開通期間確實是儲存了能量（第D檢查項），而且占空時間是40%、電流峰值1.2A，說明儲存的能量應(yīng)該不小。但功率管關(guān)斷后，釋放到次級只有8V不到的電壓，在150歐電阻上只流過了0.05A的電流。（事實觀測反激期間的次級波形，確實只有8V左右的平直波形，而且持續(xù)時間比較長，大約50%占空比，是DCM工作模式）磁芯中儲存的能量那里去了？是根本沒有儲存足夠能量么？電路有問題還是變壓器有問題？我第一次做雙管反激。單管反激、單管正激都做過的，基礎(chǔ)的東西懂一點，但經(jīng)驗還是不足。謝各位指正指正，感激不盡。
再頂一頂，有經(jīng)驗的朋友請不吝指教呀。感激不盡，感激不盡。
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@laijinsong
個人感覺是你前級欠激造成的EE19提供不夠足夠電流給后面的2個功率管工作你試試加一個三極管推動EE19試試你就靠本事頻率推動EE19根本出不了足夠電流給后面正常工作 C22的位置改一個三極管看看
多謝。我剛找到了問題所在，正如你所說的情況。
多謝 abccba，其實他應(yīng)該一開始就發(fā)現(xiàn)了此問題，只是被我的前提說明給忽悠了。
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我將 Q1 去掉并加上了 RCD 鉗位，臨時改成了單管反激，并跳過了 EE19 以芯片直推 Q2，電路馬上就正常工作了。
在維持單管反激的拓樸下，重新經(jīng)過 EE19 推動 Q2，立即恢復(fù)到原本的打嗝狀態(tài)。證明是因為經(jīng)過 EE19 后不能可靠推動功率管而引起此問題。
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我詳細對比了直推和經(jīng)過 EE19 推動兩種電路下的波形。經(jīng)過 EE19 后 MOS 開通延時了大約 250ns，漏極電壓總下降時間接近 500ns（已包括開通延時在內(nèi)），但 MOS 確實是開通了足夠長的時間。單從漏電壓波形和源電流波形確實不能分析出問題的本質(zhì)。
我重新查看了 FQP9N90C 的手冊，并對比波形，確認了 MOS 可靠開通的柵壓不應(yīng)低于 6V。在柵壓低于 4V 時 MOS 不能開通，4V-5.5V 之間通態(tài)電阻比較大。從波形看我的電路在起動期間柵壓在 5V-6V 之間不斷變動，所以應(yīng)該是柵壓不足引起的問題。（芯片直推可一直維持柵壓在 6.5V）
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因此我判斷將 UC3845 換成 UC3844 應(yīng)該就能解決問題。待我買到件換上后試一試就可以作出定論。
另外我估計芯片不外加圖騰而直接驅(qū)動 EE19 應(yīng)該不是大問題，因為在多個板上應(yīng)用了這個方法都是正常的。它最多是引起功率管增加點熱量，我的散熱器足夠大，這個不是問題。
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@tinge
多謝。我剛找到了問題所在，正如你所說的情況。[圖片]多謝abccba，其實他應(yīng)該一開始就發(fā)現(xiàn)了此問題，只是被我的前提說明給忽悠了。[圖片]===============我將Q1去掉并加上了RCD鉗位，臨時改成了單管反激，并跳過了EE19以芯片直推Q2，電路馬上就正常工作了。在維持單管反激的拓樸下，重新經(jīng)過EE19推動Q2，立即恢復(fù)到原本的打嗝狀態(tài)。證明是因為經(jīng)過EE19后不能可靠推動功率管而引起此問題。================我詳細對比了直推和經(jīng)過EE19推動兩種電路下的波形。經(jīng)過EE19后MOS開通延時了大約250ns，漏極電壓總下降時間接近500ns（已包括開通延時在內(nèi)），但MOS確實是開通了足夠長的時間。單從漏電壓波形和源電流波形確實不能分析出問題的本質(zhì)。我重新查看了FQP9N90C的手冊，并對比波形，確認了MOS可靠開通的柵壓不應(yīng)低于6V。在柵壓低于4V時MOS不能開通，4V-5.5V之間通態(tài)電阻比較大。從波形看我的電路在起動期間柵壓在5V-6V之間不斷變動，所以應(yīng)該是柵壓不足引起的問題。（芯片直推可一直維持柵壓在6.5V）===============因此我判斷將UC3845換成UC3844應(yīng)該就能解決問題。待我買到件換上后試一試就可以作出定論。另外我估計芯片不外加圖騰而直接驅(qū)動EE19應(yīng)該不是大問題，因為在多個板上應(yīng)用了這個方法都是正常的。它最多是引起功率管增加點熱量，我的散熱器足夠大，這個不是問題。
用于驅(qū)動的脈沖變壓器，次級輸出可看做是交流，正負壓的面積相等，隨著占空比變化，正負峰值也發(fā)生變化，占空比越大，正峰值越小-負峰值越大。而柵極驅(qū)動時，我們希望正峰值穩(wěn)定以確保安全和可靠，負峰值防范柵源過壓擊穿。
在想，可否考慮增添元件，改善柵極驅(qū)動電路，以彌補正負峰值隨占空比變化的不利？
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@abccba
用于驅(qū)動的脈沖變壓器，次級輸出可看做是交流，正負壓的面積相等，隨著占空比變化，正負峰值也發(fā)生變化，占空比越大，正峰值越小-負峰值越大。而柵極驅(qū)動時，我們希望正峰值穩(wěn)定以確保安全和可靠，負峰值防范柵源過壓擊穿。在想，可否考慮增添元件，改善柵極驅(qū)動電路，以彌補正負峰值隨占空比變化的不利？[圖片]
有 C22 時驅(qū)動變壓器工作在交流變壓器狀態(tài)，從我觀察的波形來看正如你所說，占空比越大負峰值越大。
但有個怪異的情況，正峰值沒變小。無論芯片輸出占空比是多少，次級波形總是 50% 占空比的波形，但正脈沖部分是個階梯波。例如假設(shè)芯片輸出脈沖占空比為 20%，脈沖電壓為 7V，那么次級正脈沖 0-20% 部分電壓為 7V、20-50%部分大約 4V、50-100%部分為 -4V。差不多就是這樣。
無 C22 時驅(qū)動變壓器工作在正激變換器狀態(tài)（雙向），次級波形大致與初級相同，關(guān)斷部分有很小的一個負壓。
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@tinge
有C22時驅(qū)動變壓器工作在交流變壓器狀態(tài)，從我觀察的波形來看正如你所說，占空比越大負峰值越大。但有個怪異的情況，正峰值沒變小。無論芯片輸出占空比是多少，次級波形總是50%占空比的波形，但正脈沖部分是個階梯波。例如假設(shè)芯片輸出脈沖占空比為20%，脈沖電壓為7V，那么次級正脈沖0-20%部分電壓為7V、20-50%部分大約4V、50-100%部分為-4V。差不多就是這樣。無C22時驅(qū)動變壓器工作在正激變換器狀態(tài)（雙向），次級波形大致與初級相同，關(guān)斷部分有很小的一個負壓。
驅(qū)動變壓器的電感量要大些，改用磁導(dǎo)率大的磁芯可以降低驅(qū)動電流要求。最好用磁環(huán)。
驅(qū)動變壓器的結(jié)構(gòu)對驅(qū)動波形的好壞有較大影響，用三明治打法會好些，如：
1/2Np:Ns1//Ns2:1/2Np
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@abccba
C10不僅有加速作用，與二極管配合，可自舉直流工作點。
那么 C10 和 R30 的值應(yīng)該選擇多大呢？
如果 R30 用我電路里的 33 歐，我怕 C10 上存不了多少電壓，那它的自舉作用就不大了。畢竟初級的隔直電容在脈沖輸出期間存不了多少電量，僅稍大于 MOS 的柵電容電量。在脈沖關(guān)斷期間，這些電量以負脈沖傳輸?shù)酱渭?，那?D12 和 R30 組成的負載已經(jīng)消耗掉大部分這些電量，在 C10 上應(yīng)該存不了多少。
另外 Q6 應(yīng)該選擇什么型號？Q6 的 E 極直連柵極，中間沒有柵電阻，柵電容的電量要全部在 Q6 內(nèi)消耗掉，如果 Q6 容量太小，我怕它不耐用。
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