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測(cè)試OPP或短路損壞MOS原因

在制程中測(cè)試OPP或在做負(fù)載短路時(shí)MOS管出現(xiàn)損壞原因一定是MOS電流不夠嗎，請(qǐng)各位高人指教。
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zvszcs
LV.12
2
2013-11-13 10:33

應(yīng)該是初級(jí)過流點(diǎn)沒有設(shè)置好

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2013-11-13 14:37
用示波器錄到波形，就知道了。
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2013-11-14 09:35
@zvszcs
應(yīng)該是初級(jí)過流點(diǎn)沒有設(shè)置好

過流點(diǎn)沒設(shè)置好意思是這個(gè)點(diǎn)太高了嗎？但這個(gè)OPP點(diǎn)是有個(gè)標(biāo)準(zhǔn)范圍的。請(qǐng)指教。

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2013-11-14 09:38
@龍騰郭工
用示波器錄到波形，就知道了。
請(qǐng)問測(cè)試哪個(gè)部位的波形才可以判定不是MOS的問題呢？請(qǐng)郭工指教。
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2013-11-14 13:44
@超越幻想
請(qǐng)問測(cè)試哪個(gè)部位的波形才可以判定不是MOS的問題呢？請(qǐng)郭工指教。

最好捉取VDS,VGS，IDS信號(hào)波形分析，重點(diǎn)是電流波形。

你用什么型號(hào)的MOSFET，有沒有規(guī)格書，核對(duì)一下規(guī)格書中的 SOA，如果在SOA內(nèi)，MOSFET失效，就要懷疑MOSFET品質(zhì)，如果不在SOA內(nèi)，就要檢查你的過流保護(hù)電路。  

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