1.調整RCD吸收回路,加大吸收電容,可以吸收尖峰,但是會影響效率
2.調整變壓器的結構,降低變壓器的漏感
3.PCB的layout也會影響VDS的電壓
4.輸出二極管選擇反向恢復時間較短的肖特基,這個可能會引起開關管導通時會產生一個尖峰
FET驅動電阻或者二極管/三極管(驅動線路)(決定on/off)對VDS影響大嗎?
up!
FET本身的Cgs,Cgd影響FET的VDS么,有多大影響呢