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正向壓降0.15V的是什么二極管

正向壓降0.15V的是什么二極管,是SOD-123封裝,上面印字是B2V,請(qǐng)各位幫忙,它的具體型號(hào)是什么?
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msz181818
LV.9
2
2007-03-08 13:57
應(yīng)該是肖特基吧,15v耐壓的肖特基壓降大約是0.2v
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2007-03-08 14:31
@msz181818
應(yīng)該是肖特基吧,15v耐壓的肖特基壓降大約是0.2v
肖特基
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lhl08
LV.5
4
2007-03-08 14:56
@遺失的-★夢想★
肖特基
現(xiàn)在主要能實(shí)用到那些地方?
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2007-03-08 15:21
@lhl08
現(xiàn)在主要能實(shí)用到那些地方?
小功率的用于嵌位,大功率主要用于低壓大電流的高頻電源整流
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lhl08
LV.5
6
2007-03-08 15:49
@遺失的-★夢想★
小功率的用于嵌位,大功率主要用于低壓大電流的高頻電源整流
相對(duì)于同步整流,綜合性能怎樣?
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lhl08
LV.5
7
2007-03-08 15:52
@遺失的-★夢想★
小功率的用于嵌位,大功率主要用于低壓大電流的高頻電源整流
與同步整流相比,綜合性能怎樣?
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2007-03-08 16:11
@lhl08
與同步整流相比,綜合性能怎樣?
用MOS管同步整流我沒用過,用來通大電流實(shí)驗(yàn)MOS管壓降很低,效率比肖特基高許多倍,個(gè)人看法用在大電流輸出線路,工藝的復(fù)雜了,這位朋友你做過嗎?可靠性不知道如何呀?我想過用這種方案,一直沒底,如果可行散熱器和整機(jī)體積重量應(yīng)該可以縮小一部分.
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lhl08
LV.5
9
2007-03-08 16:47
@遺失的-★夢想★
用MOS管同步整流我沒用過,用來通大電流實(shí)驗(yàn)MOS管壓降很低,效率比肖特基高許多倍,個(gè)人看法用在大電流輸出線路,工藝的復(fù)雜了,這位朋友你做過嗎?可靠性不知道如何呀?我想過用這種方案,一直沒底,如果可行散熱器和整機(jī)體積重量應(yīng)該可以縮小一部分.
0.2v 左右比一般二極管電壓低幾倍了,也許可代替散熱片的二極管整流電路,簡單,體積小.具體成本不知道怎么樣,電流太大可能不合適
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2007-03-08 22:22
@lhl08
0.2v左右比一般二極管電壓低幾倍了,也許可代替散熱片的二極管整流電路,簡單,體積小.具體成本不知道怎么樣,電流太大可能不合適
那耐壓怎么樣啊?還有反向恢復(fù)時(shí)間
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洪七公
LV.9
11
2007-03-09 12:02
@遺失的-★夢想★
用MOS管同步整流我沒用過,用來通大電流實(shí)驗(yàn)MOS管壓降很低,效率比肖特基高許多倍,個(gè)人看法用在大電流輸出線路,工藝的復(fù)雜了,這位朋友你做過嗎?可靠性不知道如何呀?我想過用這種方案,一直沒底,如果可行散熱器和整機(jī)體積重量應(yīng)該可以縮小一部分.
我們就是做同步整流方案的.客戶已經(jīng)再用了.
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ytsgj
LV.5
12
2007-03-09 16:10
@鷹擊長空
那耐壓怎么樣啊?還有反向恢復(fù)時(shí)間
肖特基的耐壓不高,現(xiàn)在高的也就一兩百v吧
但是反向恢復(fù)時(shí)間快,正向?qū)妷旱?這是最大的優(yōu)點(diǎn).
也正因?yàn)檫@個(gè),耐壓才做不高.
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2007-03-09 16:19
@洪七公
我們就是做同步整流方案的.客戶已經(jīng)再用了.
有好的資料可以上傳點(diǎn)學(xué)習(xí)下?
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洪七公
LV.9
14
2007-03-09 18:18
@遺失的-★夢想★
有好的資料可以上傳點(diǎn)學(xué)習(xí)下?
1173435378.pdf1173435424.pdf

一個(gè)用于正激電路,一個(gè)用于反激電路里的同步整流.要樣品測試可找我.
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lhl08
LV.5
15
2007-03-09 20:28
@ytsgj
肖特基的耐壓不高,現(xiàn)在高的也就一兩百v吧但是反向恢復(fù)時(shí)間快,正向?qū)妷旱?這是最大的優(yōu)點(diǎn).也正因?yàn)檫@個(gè),耐壓才做不高.
消耗能量就是關(guān)斷時(shí)占大部份,從表面看起來是可以的,但還是要經(jīng)過實(shí)驗(yàn)具體比較才能有比較可靠的綜合性能啊,耐壓只要過了60V低壓整流就基本可以了,不過串聯(lián)可以提高電壓了,可能得加電路均衡,耐壓慢慢會(huì)高起來,只要有市場.畢竟2極管損耗不小,功率大了還須散熱片,以后電路還是會(huì)走低損耗的路,多做點(diǎn)實(shí)驗(yàn),適應(yīng)下是沒有壞處的.
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2007-03-09 22:13
@ytsgj
肖特基的耐壓不高,現(xiàn)在高的也就一兩百v吧但是反向恢復(fù)時(shí)間快,正向?qū)妷旱?這是最大的優(yōu)點(diǎn).也正因?yàn)檫@個(gè),耐壓才做不高.
呵呵,肖特基大家都用,可是這種壓降0.2v的沒有用過,才想了解了解
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2007-03-09 22:16
@lhl08
與同步整流相比,綜合性能怎樣?
如果,電壓電流都可以的話,顯然比同步整流要簡單容易的多,不過恐怕這種管子容量不會(huì)太大,電壓電流可能都上不去
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洪七公
LV.9
18
2007-03-09 23:04
@鷹擊長空
如果,電壓電流都可以的話,顯然比同步整流要簡單容易的多,不過恐怕這種管子容量不會(huì)太大,電壓電流可能都上不去
蕭特基二極管當(dāng)然簡單,但效率絕對(duì)比不上同步整流有優(yōu)勢,特別是大電流的應(yīng)用(大電流的時(shí)候Vf=0.2V的蕭特基沒見過),也只有低壓,大電流才會(huì)考慮用同步整流.

0.2V的蕭特基沒見過,估計(jì)是SiC二極管差不多.不過SiC二極管用于次級(jí)整流價(jià)格可比同步整流還要貴,效率還是回比同步整流低,只是比普通的蕭特基要好而已.
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lhl08
LV.5
19
2007-03-09 23:08
@洪七公
蕭特基二極管當(dāng)然簡單,但效率絕對(duì)比不上同步整流有優(yōu)勢,特別是大電流的應(yīng)用(大電流的時(shí)候Vf=0.2V的蕭特基沒見過),也只有低壓,大電流才會(huì)考慮用同步整流.0.2V的蕭特基沒見過,估計(jì)是SiC二極管差不多.不過SiC二極管用于次級(jí)整流價(jià)格可比同步整流還要貴,效率還是回比同步整流低,只是比普通的蕭特基要好而已.
....結(jié)果就在這?
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洪七公
LV.9
20
2007-03-09 23:16
@lhl08
....結(jié)果就在這?
什么結(jié)果?
LZ的“正向壓降0.15V的是什么二極管,是SOD-123”應(yīng)該不是用用于電源次級(jí)整流的,也應(yīng)該不會(huì)是SiC二極管,因?yàn)镾iC二極管現(xiàn)在目前主要用與初級(jí)PFC哪里替換傳統(tǒng)的二極管,價(jià)格超貴,聽說要RMB10左右,不是一般產(chǎn)品能用的.SiC二極管用與初級(jí)的好象沒聽說SOD-123封裝的.

LZ那估計(jì)還是蕭特級(jí),不過是低耐壓的那種小信號(hào)用途的產(chǎn)品.
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2007-03-09 23:26
@洪七公
什么結(jié)果?LZ的“正向壓降0.15V的是什么二極管,是SOD-123”應(yīng)該不是用用于電源次級(jí)整流的,也應(yīng)該不會(huì)是SiC二極管,因?yàn)镾iC二極管現(xiàn)在目前主要用與初級(jí)PFC哪里替換傳統(tǒng)的二極管,價(jià)格超貴,聽說要RMB10左右,不是一般產(chǎn)品能用的.SiC二極管用與初級(jí)的好象沒聽說SOD-123封裝的.LZ那估計(jì)還是蕭特級(jí),不過是低耐壓的那種小信號(hào)用途的產(chǎn)品.
要是這樣就沒什么好說的了,又不是功率管,否則真是同步整流的末日到了(如果價(jià)格也夠便宜),但應(yīng)該制造工藝還沒達(dá)到這個(gè)水平啊
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洪七公
LV.9
22
2007-03-09 23:53
@鷹擊長空
要是這樣就沒什么好說的了,又不是功率管,否則真是同步整流的末日到了(如果價(jià)格也夠便宜),但應(yīng)該制造工藝還沒達(dá)到這個(gè)水平啊
暈.等整流用的二極管都進(jìn)步到性能和價(jià)格都到現(xiàn)在的同步整流的末日了的話,那估計(jì)Mosfet的性能都獲得更大的提升了,只要Mosfet的性能在不斷提升,同步整流就是從效率上最高效的方案(針對(duì)次級(jí)).

SiC 原來是軍品上才用得起的,你想等他能大規(guī)模的普及到民間那原來民間的東西也會(huì)更上層樓了.

第一次聽說SiC二極管我當(dāng)時(shí)也以為是同步整流的競爭方案,雖然提升效率比同步整流要低些,但確實(shí)也有些效果.但后來專門去了解,才發(fā)現(xiàn)大家是可以互相幫助的,一個(gè)在初級(jí)降低功耗,一個(gè)在次級(jí)降低功耗,可以共同推動(dòng)效率的提升.
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lhl08
LV.5
23
2007-03-10 20:46
@洪七公
暈.等整流用的二極管都進(jìn)步到性能和價(jià)格都到現(xiàn)在的同步整流的末日了的話,那估計(jì)Mosfet的性能都獲得更大的提升了,只要Mosfet的性能在不斷提升,同步整流就是從效率上最高效的方案(針對(duì)次級(jí)).SiC原來是軍品上才用得起的,你想等他能大規(guī)模的普及到民間那原來民間的東西也會(huì)更上層樓了.第一次聽說SiC二極管我當(dāng)時(shí)也以為是同步整流的競爭方案,雖然提升效率比同步整流要低些,但確實(shí)也有些效果.但后來專門去了解,才發(fā)現(xiàn)大家是可以互相幫助的,一個(gè)在初級(jí)降低功耗,一個(gè)在次級(jí)降低功耗,可以共同推動(dòng)效率的提升.
炭化硅穩(wěn)定性要強(qiáng)于純硅,這大概是為什么軍品用這個(gè)的原因,極端環(huán)境下可能炭化硅是更可靠的選擇,
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2007-04-02 06:21
SOD-123封裝,上面印字是B2V的是型號(hào)MBR0520的肖特基
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yangzj
LV.3
25
2007-04-05 18:07
@衛(wèi)漢
SOD-123封裝,上面印字是B2V的是型號(hào)MBR0520的肖特基
太感謝你了
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yangzj
LV.3
26
2007-04-05 18:12
@衛(wèi)漢
SOD-123封裝,上面印字是B2V的是型號(hào)MBR0520的肖特基
還有兩個(gè)MOS管SOT-23封裝,印記是N2M1各N12H根據(jù)電路分析是兩個(gè)MOS管N2M1是P溝道,N12H是P溝道,請(qǐng)幫忙找一找具體型號(hào).
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2007-05-17 19:32
@yangzj
還有兩個(gè)MOS管SOT-23封裝,印記是N2M1各N12H根據(jù)電路分析是兩個(gè)MOS管N2M1是P溝道,N12H是P溝道,請(qǐng)幫忙找一找具體型號(hào).
SOT-23封裝的MGSF1N02LT1(印記是N2M1)
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洪七公
LV.9
28
2007-05-17 21:33
@yangzj
還有兩個(gè)MOS管SOT-23封裝,印記是N2M1各N12H根據(jù)電路分析是兩個(gè)MOS管N2M1是P溝道,N12H是P溝道,請(qǐng)幫忙找一找具體型號(hào).
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s70008
LV.5
29
2017-05-21 08:41
用萬用表二極管測量正向壓降0.15V左右的都是肖特基二極管,實(shí)際在額定電流通過時(shí),在線測量壓降都會(huì)超過0.3-0.5V以上,甚至有的也達(dá)到0.7V。肖特基工作在高頻中不易發(fā)熱,有時(shí)候?yàn)樽柚闺娏鞣戳?,也用在小信?hào)輸出端串聯(lián)。
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