那是開關(guān)管在開關(guān)過程中引起的震蕩    正常

開關(guān)管 Cds 與 電感產(chǎn)生的震蕩，正常情況

如果很大呢？如那兩圖 一個(gè)是空載 一個(gè)是滿載

不能沉啊

沒有前輩遇到這樣的問題嗎

這種大的波形，是因?yàn)槟愫蠹?jí)整流管恢復(fù)時(shí)間太長(zhǎng)了

12V3A用20100肖特基對(duì)管整流啊 我懷疑感量會(huì)影響 EF25磁芯 0.8mH 這感量是不是大了？

這個(gè)圖形是，原邊的開關(guān)管與副邊的整流管共通了

前輩  你遇到過這類問題嗎  影響大不  輸出整流已經(jīng)用肖特基了，反相恢復(fù)時(shí)間還不夠那該如何解決呢

加速你前級(jí) MOS 的打開速度吧

這兩個(gè)尖峰沒有多大影響的，MOS導(dǎo)通前的尖峰在IC內(nèi)部都有LEB功能的，你可參考各IC的參考資料。后面的尖峰其實(shí)是因?yàn)槁└杏捌鸬?，從而?dǎo)致MOS內(nèi)部的寄生容在不停的充放電。

 

  

 

前沿消隱？？？這尖峰影響大不？會(huì)影響到什么呢？正在更改變壓器參數(shù)，搞定將會(huì)公布結(jié)果。

LEB就是前沿隱，現(xiàn)在IC都有此功能，你可看IC內(nèi)部框圖就清楚了。這個(gè)尖峰的大小其實(shí)完全是你ST設(shè)計(jì)的而產(chǎn)生的，我有設(shè)計(jì)過一款12V2.5A的POWER，Rsense電阻導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的電流尖峰比你的大多了，也沒問題，這個(gè)尖峰已被IC過濾掉了，所以你應(yīng)該看一下IC的資料，資料內(nèi)有詳細(xì)說明的。

沒有說帶有那功能啊 內(nèi)部框圖晚輩又看不懂，前輩幫看下 帶那功能嗎

后面兩圖的結(jié)果出來了，果然是感量太大了。但好像不會(huì)產(chǎn)生什么大的影響，我來這里前，已經(jīng)量產(chǎn)過了，這變壓器是前面的工程師設(shè)計(jì)的。但前輩們有沒有發(fā)現(xiàn)，下降時(shí)的紋波并不平滑？是不是磁芯接近

飽和了？？？還有就是周期好像不一樣，第二個(gè)周期好像抖動(dòng)的厲害，這是什么情況

1.貌似沒有飽和的特征，把波形再展開一個(gè)等級(jí)看，如果飽和或輕度飽和，上升那個(gè)波形會(huì)是弧形，現(xiàn)在看起來是直的斜線，應(yīng)該沒有飽和。

2.抖動(dòng)應(yīng)該是IC帶抖頻功能，這個(gè)可以降低EMI單頻點(diǎn)峰值，分散到附近頻段，這樣EMI會(huì)好處理很多。

 

LEB就是前沿消影，框圖里有提到，你也可通過IC的功能描述欄找到答案。

該圖說明ST沒有飽和，此圖你是放在最高操作溫度里量測(cè)的嗎？驗(yàn)證ST飽和的最佳方法就是在電源的外殼上鉆一個(gè)小孔，從Rsense上引出一根線，用示波器抓Rsense的電壓波形，在滿載條件下燒機(jī)，看電壓波形就可識(shí)別了。你若要確認(rèn)系統(tǒng)的穩(wěn)定性能好不好，可將此波形再壓縮一下，只要在長(zhǎng)時(shí)間燒機(jī)下沒有出現(xiàn)大小波你的系統(tǒng)應(yīng)該是穩(wěn)定的，

這個(gè)是在常溫下測(cè)的。

常溫當(dāng)然不行，若常溫就能看出問題那電源真的問題太大了。放入最高操作溫度里再驗(yàn)證看看...

更正一下上面的說法，今天早上又裝回原來的變壓器來測(cè)試，空載尖峰還是不變，但滿載時(shí)尖峰卻正常了。郁悶

這沒那條件，長(zhǎng)時(shí)間低壓老化應(yīng)該也可以吧

MOS準(zhǔn)備關(guān)斷了但又推遲了一下,這個(gè)問題主要是由兩個(gè)原因引起的 -

1. PCB走線不合理。MOS管驅(qū)動(dòng)部分的走線要盡量短一些，不要太細(xì)。最好貼近到MOS管S極之間的地線，使驅(qū)動(dòng)線路與地線回路之間圍住的面積盡量小。（請(qǐng)參看下圖）

2. MOS管S極到地之間的電阻，要用無感電阻。

幫哥 圖呢？