正處于本科三年級的我,在黑龍江的一所學(xué)校里,眼看明年就要畢業(yè)了。更加緊張的氣氛和心情由之而來。2013年7月到現(xiàn)在,已經(jīng)有半年了,這半年里,接觸最多的就是開關(guān)電源了,暑期參加了一個老師的培訓(xùn)班,對開關(guān)電源有了些了解,同時,也在老師的指導(dǎo)下,我們也做過BUCK,BOOST,BUCK-BOOST,FLYBACK,正激,推挽,半橋,APFC(當(dāng)然圖紙都是老師給好的,一個一個元件給我們講,分析各個元件的作用)。當(dāng)時的我,做出來的實驗效果后,是那么的欣喜。我們沒有EMI,也沒有過熱保護,沒有一些產(chǎn)品該有的東西,我們在老師的培訓(xùn)班里,更多的是這個圖中的R,L,C以及二極管,MOS,變壓器的計算與選擇。我知道每一個開關(guān)電源的設(shè)計者都有著不同的思路與方法,裕量這方面就取得完全不同。首先,我要感謝我的老師,是他讓我了解了開關(guān)電源,沒有他的20多天的授課,我不可能接觸到這么多的知識。但是,我要青出于藍(lán)而勝于藍(lán),不能辜負(fù)老師對我的培養(yǎng)。其次,對于學(xué)電氣工程及其自動化的我,大一就忙人際關(guān)系,學(xué)生會到是玩的挺開心,大二的時候,學(xué)了單片機,AT89S52,STM8,挺好玩的,包括智能循跡遙控小車,搖搖棒一些電子制作。大二的暑期,我決定了,我要給自己定一個方向,沿著這個方向走下去!于是我選擇了開關(guān)電源。最后,我應(yīng)該需要大家的幫助,在這里提前感謝大家。因為我覺得我的理論知識還不夠扎實,閱讀與自學(xué)的能力應(yīng)該提高。于是我選擇了做一個事情:學(xué)習(xí)這本《精通開關(guān)電源設(shè)計》王志強等譯。因為我才疏學(xué)淺,所以,每天我都會去學(xué),每天不懂得問題,我都會發(fā)出來,希望大家可以一起討論去解決。也希望我自學(xué)的這個過程,也可以給許多剛開始入門開關(guān)電源的朋友帶來些經(jīng)驗與啟發(fā)。
精通開關(guān)電源設(shè)計 自學(xué)筆記與探討
1.2.2 線性調(diào)整器
低壓降調(diào)整器,英文縮寫LDO,一般認(rèn)為最小壓降約為200mV或者更低才能稱為LDO。而傳統(tǒng)線性調(diào)整器的壓降通常約為2V,還有一種中間類型稱為準(zhǔn)LDO,其壓降介于兩者之間,約為1V。
線性調(diào)整器的優(yōu)點在于非常安靜,沒有噪聲,也沒有電磁干擾(EMI)。
通常,開關(guān)調(diào)整器在輸入和輸出端都需要接濾波器來減小噪聲,因為這些噪聲與鄰近設(shè)備相互干擾,并可能引起故障。開關(guān)變換器仍需要接入電感和定容組合的濾波器,有時甚至需要更多級濾波器來進一步衰減噪聲。
1.2.4 半導(dǎo)體開關(guān)器件基本類型
NPN型晶體管比PNP型晶體管使用廣泛的原因是價格低廉。
MOSFET為電壓型控制
BJT為電流型控制
現(xiàn)代MOSFET在其導(dǎo)通和關(guān)斷的轉(zhuǎn)換過程中也需要有一定的門極電流。
BJT通常更適合于大電流裝置,因為其導(dǎo)通壓降是一常數(shù),甚至在電流很大時也不變。這很大程度上降低了開關(guān)損耗,特別是開關(guān)頻率不太高時效果更明顯。MOSFET的導(dǎo)通壓降與通過的電流成比例,當(dāng)負(fù)載很大時其導(dǎo)通損耗就很大。
IGBT適合于較低頻率,大電流裝置,其驅(qū)動比BJT的要簡單的很多。
1.2.6通過電抗元件獲得高效率
現(xiàn)代開關(guān)電源效率高的根本原因是電容和電感的有效共同使用。
電容和電感被歸類為電抗元件,因為他們具有獨特的儲能作用,該功能使其不發(fā)生功耗(本身不消耗能量),僅將所獲得的能量儲存起來。
電容儲存的能量成為靜電能量。
電感儲存的能量成為磁能。