我做實驗,當(dāng)開關(guān)頻率升高到800kHz后,MOS管的開關(guān)損耗大發(fā)熱嚴(yán)重,當(dāng)開關(guān)頻率降低到100kHz-200kHz范圍,MOS管發(fā)熱可以接受。
我想問現(xiàn)階段,開關(guān)電源的頻率選擇多少kHz的較多,按照頻率越高器件可以選擇小的理論,如何去妥協(xié)發(fā)熱和體積?
我做實驗,當(dāng)開關(guān)頻率升高到800kHz后,MOS管的開關(guān)損耗大發(fā)熱嚴(yán)重,當(dāng)開關(guān)頻率降低到100kHz-200kHz范圍,MOS管發(fā)熱可以接受。
我想問現(xiàn)階段,開關(guān)電源的頻率選擇多少kHz的較多,按照頻率越高器件可以選擇小的理論,如何去妥協(xié)發(fā)熱和體積?