這個不像是過熱保護。

16A時長時間帶載都可以，一到17A就這樣了。

而且冷態(tài)18度環(huán)境下，突然帶載17A也會這樣，突然帶載25A也不會擊穿，還是這樣。

如果是過熱導(dǎo)致的，16A長時間帶載也應(yīng)該會過熱，但不會出現(xiàn)這個情況，

而且過熱在短時間內(nèi)反復(fù)測試時因為有熱積累不應(yīng)該總是17A出現(xiàn)這個情況。

另外，過熱一般的表現(xiàn)會是擊穿不可恢復(fù)，而這個是可以反復(fù)測試不擊穿，

仔細一點看最后那個波形的后部分，MOS的VGS和輸出波形是有尖峰的，說明MOS試圖恢復(fù)正常工作的狀態(tài)，

但因為輸出電流一直維持著，所以一直處于保護狀態(tài)，類似于開關(guān)電源的過流打嗝保護。

這個是IPW60R190C6 datasheet上面的截圖，也許從這個圖片上能找到答案

我也感覺像是驅(qū)動的問題，可能是驅(qū)動能力不足造成的

RDS無窮大看起來是對的，相對于電子負載的帶載模式下的內(nèi)阻是非常大，

所以輸入電壓分壓后MOS的VDS接近輸入電壓，那為什么輸出電流還有？

而且我測量的電流是MOS的S級與輸出電容之間的，不是輸出電容與電子負載之間的。

既然MOSFET的內(nèi)阻非常大，那么從理論上來說其本身肯定基本沒有什么電流流過了，即使是流過電流都是MOSFET的Cds電容形成的漏電流，應(yīng)該很小才對

而且MOSFET的S到輸出電容基本沒有壓降了，電流是怎么形成的？是不是測量錯誤，還是拾取的干擾信號？請再次確認。

電流的確是很大，17A左右，這個我反復(fù)驗證過，同時也用鉗表確認過。

明天發(fā)一張放大后的波形，

在進入“保護”模式后，輸出的電壓和驅(qū)動的電壓對應(yīng)的尖峰縱坐標上電流也是有一個很小的下尖峰的，

但下尖峰低谷也有16A以上（示波器是100M全開帶寬的）。之前我沒測電流波形時也是很認同MOS保護使DS開路了，但測了電流以后發(fā)現(xiàn)不應(yīng)該是這樣的，

所以也對電流進行過反復(fù)驗證。

驅(qū)動不足時不會是這樣的，驅(qū)動不足應(yīng)該是VGS會被拉低，而這個VGS是不低反而更高。

同時線性調(diào)整也不存在驅(qū)動不足。

輸入電流源限流了輸入的電壓會降低，這里是沒有降的。

而且輸入電源是40A的線性電源。

是的，線性調(diào)整，不存在驅(qū)動不足的問題

而且MOSFET不像三極管驅(qū)動需要較大電流，MOSFET是電壓型驅(qū)動器件

再看了一遍這個圖，的確在6V時RDS變得很大了，此時的ID也剛好就在17A左右，

但是，同時此時的驅(qū)動也因為內(nèi)阻變大而使得環(huán)路控制加大VGS，

所以看到的波形此時的VGS是上升的，

這樣就有2個問題了：

1. 為什么環(huán)路讓VGS加大，根據(jù)曲線中的來看，VGS加大后，ID可以再大些（超過17A），為什么此時不會ID不會再大，而且輸出也為0了？

2. 環(huán)路控制導(dǎo)致VGS電壓上升，說明環(huán)路檢測到了輸出電壓降低了，為什么輸出的電流仍有那么大，輸出電壓還會降低？

補圖：