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分享做LED研發(fā)4年經(jīng)驗(yàn)

本人做LED也有些年頭了，比較慶幸，剛畢業(yè)出來實(shí)習(xí)，第一家就是做LED的，然后從此就沒離開過這個(gè)行業(yè)，從LED成品，到LED電源?，F(xiàn)在證明我那時(shí)并沒有選錯(cuò)，雖說LED現(xiàn)在競爭激烈，沒多少利潤，但是做LED的工程很吃香，開此貼是為了和大家分享下這幾年的經(jīng)驗(yàn)，從電源研發(fā)到EMI整改認(rèn)證到做成品燈。說是分享，大家可以發(fā)表不同的意見，畢竟比起做了十幾、二十年的工程來說，我只是班門弄斧。由于剛開年，有很多方案要做，只能抽空寫下。我也要學(xué)學(xué)源源，靜靜兩位美女的想法，后面跟著幾貼我在繼續(xù)，我要求不高，大家給個(gè)面子跟個(gè)幾貼就行，先說下EMI整改吧，畢竟對剛接觸整改的年輕工程來說，最頭痛的就是輻射整改。先上圖

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2014-02-20 15:33
這圖已經(jīng)明顯超標(biāo)了，后面慢慢把整改過程和整改方法寫上，最終整改是過了
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2014-02-20 16:05
@wangchuangwccc
這圖已經(jīng)明顯超標(biāo)了，后面慢慢把整改過程和整改方法寫上，最終整改是過了
快寫，快寫，等著看呢
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tanik
LV.5
4
2014-02-20 16:06
等下文
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2014-02-20 16:06
支持，加油！
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2014-02-20 16:09
完全無經(jīng)驗(yàn)，等下文。
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2014-02-20 16:22
@wangchuangwccc
這圖已經(jīng)明顯超標(biāo)了，后面慢慢把整改過程和整改方法寫上，最終整改是過了

上PCB，對于emi來說，走線就是靈魂，所以為什么有的人用一級濾波就能過，并且輻射余量很大，有些人加了二級濾波都過不了。由于板子要內(nèi)置，有尺寸要求，并且還要有可控硅調(diào)光功能，所以很頭痛，這就是為什么會超那么多，因?yàn)槲沂×撕芏郋MI元件，說實(shí)話，這版PCB我不是很滿意

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2014-02-20 16:25
后續(xù)會慢慢更新，所以想學(xué)習(xí)的親們，要收藏哦
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2014-02-21 11:25
@wangchuangwccc
后續(xù)會慢慢更新，所以想學(xué)習(xí)的親們，要收藏哦

已收藏， 坐等！

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2014-02-21 11:28
小伙伴加油~
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2014-02-21 11:31
加油~
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2014-02-21 11:38
@余音裊裊
加油~
看著小伙伴們的熱情，我今天繼續(xù)寫帖，大家看到超標(biāo)的圖沒，垂直30M的地方超，很多工程都卡在30M-50M的地方，絕招來了。MOS管S極串入磁珠，可以有效減少30M位置。親們試試哦，很有效！
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2014-02-21 11:43
@wangchuangwccc
看著小伙伴們的熱情，我今天繼續(xù)寫帖，大家看到超標(biāo)的圖沒，垂直30M的地方超，很多工程都卡在30M-50M的地方，絕招來了。MOS管S極串入磁珠，可以有效減少30M位置。親們試試哦，很有效！
MOS管DS加入吸收，很多人都知道，能有效減少輻射。所以我趕緊加入47PF/1KV電容（實(shí)際47PF-100PF都行，在能過輻射的條件下，盡量小，因?yàn)檫@個(gè)吸收電容有損耗，會使MOS管發(fā)熱嚴(yán)重，并降低效率，不太建議用100PF，想效果明顯的，最好用RC吸收）
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2014-02-21 11:47
@wangchuangwccc
MOS管DS加入吸收，很多人都知道，能有效減少輻射。所以我趕緊加入47PF/1KV電容（實(shí)際47PF-100PF都行，在能過輻射的條件下，盡量小，因?yàn)檫@個(gè)吸收電容有損耗，會使MOS管發(fā)熱嚴(yán)重，并降低效率，不太建議用100PF，想效果明顯的，最好用RC吸收）
經(jīng)過兩個(gè)步驟的處理之后，輻射圖為下

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2014-02-21 11:48
@wangchuangwccc
經(jīng)過兩個(gè)步驟的處理之后，輻射圖為下[圖片][圖片]
伙伴們，看到效果沒，當(dāng)然整改還沒完，因?yàn)槲覀兊哪繕?biāo)是，余量3DB！熱烈跟帖，后續(xù)跟進(jìn)！
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2014-02-21 11:54
頂一哈子！
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明月光
LV.6
17
2014-02-21 15:25
標(biāo)記
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2014-02-21 16:28
王工，可以先講一下，EMI形成的原因以及改善的思路。 授人魚不如授人以漁！
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2014-02-21 16:37
支持，實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)??！
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2014-02-21 16:41
@weile8574551
王工，可以先講一下，EMI形成的原因以及改善的思路。授人魚不如授人以漁！[圖片]
實(shí)在抱歉，我不是理論型的，只能以一些實(shí)例來陳述一些整改思路。EMI純粹靠經(jīng)驗(yàn)，整改多了，自然知道這個(gè)點(diǎn)超了，怎么整改。
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牧羊人_0
LV.2
21
2014-02-21 17:13

找個(gè)凳子坐下來學(xué)習(xí)

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hkr02
LV.4
22
2014-02-21 17:57
@牧羊人_0
找個(gè)凳子坐下來學(xué)習(xí)
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lmxx0205
LV.2
23
2014-02-21 18:16
@wangchuangwccc
伙伴們，看到效果沒，當(dāng)然整改還沒完，因?yàn)槲覀兊哪繕?biāo)是，余量3DB！熱烈跟帖，后續(xù)跟進(jìn)！

目標(biāo)才3個(gè)DB余量啊，小了

 

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rener
LV.6
24
2014-02-21 18:35
@wangchuangwccc
實(shí)在抱歉，我不是理論型的，只能以一些實(shí)例來陳述一些整改思路。EMI純粹靠經(jīng)驗(yàn)，整改多了，自然知道這個(gè)點(diǎn)超了，怎么整改。
謝謝樓主分享整改經(jīng)驗(yàn)
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frank12280
LV.4
25
2014-02-21 20:50
@wangchuangwccc
看著小伙伴們的熱情，我今天繼續(xù)寫帖，大家看到超標(biāo)的圖沒，垂直30M的地方超，很多工程都卡在30M-50M的地方，絕招來了。MOS管S極串入磁珠，可以有效減少30M位置。親們試試哦，很有效！

樓主說的沒錯(cuò)，加糍珠對50Mhz改善很明顯，我現(xiàn)在在搞一個(gè)PSR的案子，輻射剛剛解好。

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frank12280
LV.4
26
2014-02-21 20:53
@wangchuangwccc
看著小伙伴們的熱情，我今天繼續(xù)寫帖，大家看到超標(biāo)的圖沒，垂直30M的地方超，很多工程都卡在30M-50M的地方，絕招來了。MOS管S極串入磁珠，可以有效減少30M位置。親們試試哦，很有效！

DS并電容的方法，是對輻射有幫助，但對效率影響嚴(yán)重;可以等同的在變壓器上來實(shí)現(xiàn)：使變壓器的原邊繞組Drain-GAN電容增加，一樣達(dá)到相當(dāng)于在DS上并電容的效果。

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frank12280
LV.4
27
2014-02-21 20:56

王工大公無私，一定頂起來！工程師最怕一愁莫展了，多個(gè)方法，多個(gè)思路

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2014-02-21 23:17
@frank12280
DS并電容的方法，是對輻射有幫助，但對效率影響嚴(yán)重;可以等同的在變壓器上來實(shí)現(xiàn)：使變壓器的原邊繞組Drain-GAN電容增加，一樣達(dá)到相當(dāng)于在DS上并電容的效果。
Drain-GAN具體是什么的縮寫
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2014-02-21 23:19
@wangchuangwccc
上PCB，對于emi來說，走線就是靈魂，所以為什么有的人用一級濾波就能過，并且輻射余量很大，有些人加了二級濾波都過不了。由于板子要內(nèi)置，有尺寸要求，并且還要有可控硅調(diào)光功能，所以很頭痛，這就是為什么會超那么多，因?yàn)槲沂×撕芏郋MI元件，說實(shí)話，這版PCB我不是很滿意[圖片][圖片]
能說一下右邊那款小電源的帶載參數(shù)嗎？可以做多少W
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ott361
LV.5
30
2014-02-22 08:13
這個(gè)波圖是用示波器測出來的嗎?本人菜鳥一枚.
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enthusistic
LV.2
31
2014-02-22 08:56
@wangchuangwccc
經(jīng)過兩個(gè)步驟的處理之后，輻射圖為下[圖片][圖片]
坐著小板凳   接著學(xué)習(xí)
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