怎么沒(méi)有回答呢？

目前 套件 包括成品機(jī)大多都沒(méi)有偏磁保護(hù)措施。

好的變壓器繞制工藝pcb布局 mos選型 都可以有效的防止偏磁。論壇上的逆變器都為開(kāi)環(huán)系統(tǒng)，進(jìn)一步削弱偏磁問(wèn)題。在實(shí)驗(yàn)或者普通使用可以忽略。

從硬件電路上可以實(shí)現(xiàn)，使用逐周期限流IC不從在偏磁?；蛘呖梢詸z測(cè)管壓降來(lái)實(shí)現(xiàn)保護(hù)。

推挽正激變換器對(duì)偏磁情況的處理:箝位電容C上的電壓是浮動(dòng)的,電容C電壓的浮動(dòng)特性,保證了變壓器磁通在同一周期的兩個(gè)半周期,仍有相等的“伏秒”,抑制了直流偏磁.

我也一直在想怎么能便宜的解決偏磁問(wèn)題，解決偏磁最好的辦法就是用霍爾檢測(cè)每次的脈沖電流（包括直流分量），然后用芯片控制占空比！但是這個(gè)貌似成本會(huì)高！其他諸如硬件加上一些改善啊，PCB布局改善啊，對(duì)偏磁是有好處的，但是卻不能從根本上解決問(wèn)題！也期待對(duì)這方面有研究的高手出來(lái)給大家一些指點(diǎn)！

能否詳細(xì)敘述  箝位電容和磁芯伏秒有什么關(guān)系？

在全橋或半橋中有隔直電容可以理解。

電流反饋是必須的，而且必須要控制直流分量，至于檢測(cè)方法，我個(gè)人還是認(rèn)為霍爾比管壓降可靠！當(dāng)然具體的檢測(cè)人云亦云，呵呵！

目前 沒(méi)用過(guò)霍爾電流傳感器。不過(guò)前同事在做一個(gè)項(xiàng)目是用到過(guò)，據(jù)說(shuō)霍爾響應(yīng)速度 電流精度受到較大的工藝影響

性能高的價(jià)格太高。mos管壓降檢測(cè) 受到mos選型換型 不同批次問(wèn)題影響。

目前推挽結(jié)構(gòu)都是硬開(kāi)關(guān) ，都做開(kāi)環(huán)控制是為了提高效率 如果要電流反饋 倒不是成本問(wèn)題 而是勢(shì)必需要閉環(huán)反饋那么效率問(wèn)題就是一個(gè)坎。沒(méi)有軟開(kāi)關(guān)的支持，閉環(huán)推挽效率將會(huì)大打折扣 或者新的高效方案。

例如uc3524就可以做逐周期電流反饋

推挽變換器電路拓?fù)涞奶攸c(diǎn)是結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)，應(yīng)用方便。推挽電路一般用在輸入電壓較低的中小功率場(chǎng)合。但是這種變換器中的變壓器存在偏磁現(xiàn)象。

偏磁嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致變壓器磁芯單向飽和，致使初級(jí)繞組瞬時(shí)過(guò)流，損毀功率器件。

變壓器偏磁抑制方法，可從主電路和控制電路兩方面考慮.

①實(shí)驗(yàn)中常用的辦法是挑選兩個(gè)開(kāi)關(guān)管特性較一致的配對(duì)，并適當(dāng)增加變壓器磁路中的氣隙，使之在電路不平衡的狀態(tài)下，磁通不至于飽和；

②從控制電路上采用電流型控制芯片，利用其自動(dòng)平衡伏秒積的特點(diǎn)。

若采用電壓型控制芯片ＳＧ３５２５，其優(yōu)點(diǎn)是只有電壓環(huán)，波形振幅坡度大，因而噪聲小，工作穩(wěn)定。多模塊輸出時(shí)，低阻抗輸出能提供很好的交互控制。缺點(diǎn)是擾動(dòng)必須轉(zhuǎn)化為輸出擾動(dòng)，才能被電壓環(huán)反饋，因此系統(tǒng)響應(yīng)慢。

要想抑制變壓器運(yùn)行過(guò)程中的偏磁現(xiàn)象，主要是從主電路考慮：

①選擇ＭＯＳＦＥＴ作為功率開(kāi)關(guān)器件。ＶＭ１，ＶＭ２。盡量選擇同一批次的功率管。要留有足夠的電流裕量，防止電流過(guò)大。