司坦森集成電路是一家臺系、專業(yè)場效應MOSFET設計開發(fā)生產商
全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封裝MOSFET.
原廠供應。性價比優(yōu)厚。
主推料號：
ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…
ST3400,ST3401，3402….ST3413…
STP9435,STP4953，STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…
STC4606,STN4828(專用inverter)
STP6635,STN454,STN442D，STN413,ST16N10,ST13P10，ST36N10
STP3052。。。(TO-252/251)
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原廠現(xiàn)貨，誠招代理、分銷商。歡迎來電垂詢!
司坦森集成電路
Tel:15889558007 賀 生
QQ:595639271
第一步：選用N溝道還是P溝道
為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOSFET，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅動的考慮。
要選擇適合應用的器件，必須確定驅動器件所需的電壓，以及在設計中最簡易執(zhí)行的方法。下一步是確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據實踐經驗，額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設計人員必須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍，確保電路不會失效。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。
要選擇適合應用的器件，必須確定驅動器件所需的電壓，以及在設計中最簡易執(zhí)行的方法。下一步是確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據實踐經驗，額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設計人員必須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍，確保電路不會失效。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。
司坦森集成電路(STANSON TECHNOLOGY)是一家開發(fā)設計在美國，投片在臺灣的專業(yè)開發(fā)生產MOSFET的半導體企業(yè)。產品廣泛應用于LCD TV/Monitor,網絡設備，手機,數碼相機,對講機，數碼相框,GPS,便攜式DVD,STB,INVERTER，電動馬達等消費類電子領域.目前公司與中聯(lián)數源(CEC)，銳臻，康冠（KTC），深圳遠峰,松奧科技，旭格科技，數字印數碼科技，廈門蒙發(fā)利，惠州九聯(lián),惠科，香港毅力集團等客戶都有很好的合作關系。
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為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOSFET，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅動的考慮。
選好額定電流后，還必須計算導通損耗。在實際情況下，MOSFET并不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOSFET在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高，RDS(ON)就會越小；反之RDS(ON)就會越高。對系統(tǒng)設計人員來說，這就是取決于系統(tǒng)電壓而需要折中權衡的地方。對便攜式設計來說，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對于工業(yè)設計，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關于RDS(ON)電阻的各種電氣參數變化可在制造商提供的技術資料表中查到。
技術對器件的特性有著重大影響，因為有些技術在提高最大VDS時往往會使RDS(ON)增大。對于這樣的技術，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，從而增加與之配套的封裝尺寸及相關的開發(fā)成本。業(yè)界現(xiàn)有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術，其中最主要的是溝道和電荷平衡技術。
在溝道技術中，晶片中嵌入了一個深溝，通常是為低電壓預留的，用于降低導通電阻RDS(ON)。為了減少最大VDS對RDS(ON)的影響，開發(fā)過程中采用了外延生長柱/蝕刻柱工藝。例如，飛兆半導體開發(fā)了稱為SuperFET的技術，針對RDS(ON)的降低而增加了額外的制造步驟。這種對RDS(ON)的關注十分重要，因為當標準MOSFET的擊穿電壓升高時，RDS(ON)會隨之呈指數級增加，并且導致晶片尺寸增大。SuperFET工藝將RDS(ON)與晶片尺寸間的指數關系變成了線性關系。這樣，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在擊穿電壓達到600V的情況下，實現(xiàn)理想的低RDS(ON)。結果是晶片尺寸可減小達35%。而對于最終用戶來說，這意味著封裝尺寸的大幅減小。
ST2300 替換 SI2312 AO3416 AO3420 AP2302AGN ST2300SRG替換 WNM2016 ST2301 替換 Si2301 AO3423 FDN302P FDN342P FDN338P APM2301 APM2313 APM2323 STM2309 ST2302 替換 Si2302 TN0200T FDN339AN FDN371N FDN335N APM2314 APM2324 SSM3K102TU ST2303SRG替換 Si2303 Si2307 Si2323 AO3405 AO3409 AO3421 FDN360P FDN358P FDN352AP APM2307 羅姆RRF015P03 ST2304 替換 Si2304 Si2306 AO3406 NDS355AN APM2306 ST2305 替換 Si2305 FDN304P ST2305A 替換 FDN306P ST2341S23RG替換 AO3415 ST2342 替換 AO3416 AO3420 ST3400 替換 AO3400 AP2305AGN ST3401 替換 AO3401 CES2307 ST3406 替換 AO3404 ST3407 替換 AO3407 IRLML5203 ST3413 替換 Si2321 AO3413 AO3419 FDN302P ST3414 替換 Si2412 Si3418 AO3414 APM2300 APM2312 ST3422A 替換 AO3422A ZXMN6A07F ST3403 替換 Si2341 Si2307 AO3403 ST3402 替換 Si2316 AO3402 AO3418 FDV303N FDN359AN FDN361AN ST7407 替換 Si1869 AO7407 AO7413 APM1403 ST7402 替換 AO7402 APM1404 ST7401 替換 AO7401 ST7400 替換 AO7400 AO7410 ST1413 替換 Si1303 Si1307 APM1401 STN423 替換 APM1402 ST1433 替換 ST1443 替換 Si1304 Si1302 ST1413A 替換 Si1413DH AO7411 AO7415 FDG326P ST1423A 替換 Si1410DH AO7408 FDG329N ST1433A 替換 Si1433DH AO7405 FDG316P ST1443A 替換 Si1402DH AO7412 FGD315N ST1013 替換 Si1013 ST1012 替換 Si1012 ST1026 替換 Si1026 ST1016 替換 Si1016 SPP2095 替換 APM2095 SPN2054 替換 AOD400 APM2054 SPP3095 替換 APM3095 SPN3055 替換 AO3055 APM3054NU SPP3052 替換 AOD405 SPN8878 替換 AOD434 STN8882D替換 SUD50N024 AOD452 FDD7030BL LR3103 IRFR3707 ST13P10 替換 SFR9120 IRF9530 ST16N10STN484DSTN454DSTP413DSTN4189DSTN4186DSTP6635GHSTP3052DSTP601DSTP607DSTN4130STN4110STN410DSTN4110STN4102ST12N10DST36N10D STN442D 替換 IRFR020 SPN9971 替換 SUD15N 06 AOD444 FD24AN06AL0 FDD5680 HUF76429D3S ST9435 替換 Si9435 Si4431 AO4405 FDS9435 STP9437 替換 AO4403 STP4435 替換 Si4431 Si4435 Si4425 AO4411 AO4415 FDS8435 FDS4435 FDS6675 AO4419 STP9547 替換 STN4488L替換 AO4728L IRF7832 STP4407 替換 AO4407 APM4315K STP9527 替換 STN4488L替換 SI7898DPAO4410 STN4412 替換 Si4412 Si4416 Si9410 AO4412 AO4414 STN4426 替換 STN4346 替換 Si4362 Si7442 Si4404 Si4888 AO4404 STN4392 替換 Si4346 AO4430 AO4392 /AO4468 FDS6680AS STN4402 替換 Si4420 Si4882 Si4820 Si4894 AO4420 /4404B AO4422 AO4446 FDS6630A FDS6614A FDS6680 FDS6924 APM4820 IRF7413/AP4800AGM STN4546 替換 STN4488L替換 AO4494L IRF7832 STN4526 替換 STN4436 替換 STN4438 替換 ME4436 STN4850 替換 STN4440 替換 AO4440 STP4953 替換 Si4953 AO4803 FDS8958 APM4953 STP4803 替換 STN4920 替換 Si4920 AO4812 STN4822 替換 STS8DNH3 STN6303 替換 Si1912 AO7800 FDC6335 FDG6303N STN6561 替換 AO6802 FDC6561 STN6562 替換 AO6800 FDC6561 STP6308 替換 Si1913 AO7801 FDC6308 STP6506 替換 Si4447 AO4443 FDC6506 STP6507 替換 AO6801 FDC6506 STC4539 替換 Si4539 APM4542 STC4614 替換 Si4567 AOS4614 STC4527 替換 STC6601 替換 Si3590 AO6601 FDC6432 STC6602 替換 Si3552 AO6602 FDC6333 STC6604 替換 Si3586 Si3588 AO6604 FDC6420 FDC6327 APM2701C STC6332 替換 Si1563 AO7600 FDG6332 STC4606 替換 SI5504 AO4606 TSOP-6 /SOT-23-6L STP3467 替換 STN3446 替換 STN3456 替換 AP2604 STN8205D替換 STC6601 替換 STC6602 替換 STC6604 替換 STP3481 替換 AO6405 AP2605 CEH2305 STN3456 替換 AP2604 ST8835 替換 OB2263
