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小弟初學(xué),(逆變)求教IGBT關(guān)斷時(shí)的放電回路問題

IGBT附屬器件導(dǎo)通

1HG,1LG,2HG,2LG分別為4路驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

問題是:

1  連接在Q29上的一些器件,比如1N4148,什么時(shí)候才導(dǎo)通?Q30上連接的1N4148呢?師兄說是吸收反向尖峰時(shí)導(dǎo)通,反向尖峰的回路是?

2  Q29的柵極和源級(jí)的放電通路是:柵極-----R108-----源級(jí)么 ?

放電通路,我參考下面的圖:(這個(gè)圖,講的是IR2110自舉原理)

IR2110自舉原理

高端側(cè)懸浮驅(qū)動(dòng)的自舉原理: IR2110驅(qū)動(dòng)半橋的電路如圖所示,其中C1,VD1分別為自舉電容和自舉二極管,C2為VCC的濾波電容。假定在S1關(guān)斷期間C1已經(jīng)充到足夠的電壓(VC1 VCC)。 當(dāng)HIN為高電平時(shí)如圖4.19 :VM1開通,VM2關(guān)斷,VC1加到S1的柵極和源極之間,C1通過VM1,Rg1和柵極和源極形成回路放電,這時(shí)C1就相當(dāng)于一個(gè)電壓源,從而使S1導(dǎo)通。由于LIN與HIN是一對(duì)互補(bǔ)輸入信號(hào),所以此時(shí)LIN為低電平,VM3關(guān)斷,VM4導(dǎo)通,這時(shí)聚集在S2柵極和源極的電荷在芯片內(nèi)部通過Rg2迅速對(duì)地放電,由于死區(qū)時(shí)間影響使S2在S1開通之前迅速關(guān)斷。 

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2014-04-16 14:58

請(qǐng)知道的工程師們,幫新手指導(dǎo)一下,先搶個(gè)沙發(fā)。

http://www.15119.cn/bbs/nibian/?do=community_topic_search&searchtype=1&fid=13&title=IGBT看看這里的帖子有沒有能幫到樓主的。

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