外接圖騰，心有多高功率就有多大

用的是光耦隔離，然后用驅(qū)動芯片73711驅(qū)動，MOS管很熱（120℃以上）！

您看，這樣能做嗎？MOS管就用了一個，很大的散熱片，但是散熱片本身不熱，MOS管發(fā)熱太快，散不去

給出具體條件和電路，大家才能分析原因啊。。。

能上網(wǎng)的電腦上傳不了電路圖，我畫了一個示意圖，大概就是這個樣子

測試GS和DS波形，放上來看看。

MOS的導(dǎo)通電阻有多大？

Rds=0.7mΩ

您的意思是驅(qū)動能力不夠?qū)е陆辉綋p耗太大嗎？可是這種驅(qū)動芯片的驅(qū)動能力是固定的，怎么加強呢？

如果MOS足夠好，那就是驅(qū)動的問題。

這個只有通過波形測試才好分析。

可能是MOS的Rdson方面的功耗大。

哥們你還真敢玩。這么小的占空比，這么大的輸出電流。個人覺得這樣很難做的理想。

那您的意思只能是換MOS了？

請問：如果輸出電感設(shè)計不合理，比如在高負載的時候接近飽和了，會不會導(dǎo)致MOS管很熱？

討論的前提當然是電感不飽和啊，波形還沒上呢，那MOS什么型號的？

mos是IRRFP4668

續(xù)流二極管壓力山大，你只有20%占空比，續(xù)流二極管要承擔(dān)80%的時間，然后二極管發(fā)熱，mos也發(fā)熱，建議你還是做成同步降壓拓撲吧。

同意，心有多高，就可以有多大

3843可以做1200W我就知道。1300就不知道了。

我也想用這種結(jié)構(gòu)設(shè)計個輸入DC350V,輸出200V，20A的 DC/DC 降壓電路，請問這種結(jié)構(gòu)合適嗎？

MOS管在前端的，一般都浮地。你把芯片做成實地，然后用光耦隔離，不知道你是幾個意思，既然你已經(jīng)芯片實地了，干嘛不把MOS管放在后端。

IRFP4668的Rds=8mΩ，不是0.7mΩ。而且在管芯溫度120℃時，Rds=17.6mΩ。

如此算來，MOS管的導(dǎo)通損耗約13W

再加上開關(guān)損耗，MOS管的總損耗一定大于15W，一個247封裝的管子，大于15W的發(fā)熱，如果散熱器與管子之間墊有絕緣物，絕緣片的導(dǎo)熱不良好的話，管子與散熱器的溫差就會很大。

普通絕緣軟墊片的導(dǎo)熱是很不好的，此處必須用陶瓷片做絕緣墊片。

還有，續(xù)流二極管應(yīng)該用肖特基，如果用超快二極管，也會對MOS管的發(fā)熱產(chǎn)生不良影響。

做多大功率，與芯片的型號沒有直接的關(guān)系，不用說1300W沒有問題，13000W也絕對沒有問題。

輸入72V輸出12v50A怎么樣呢