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請大俠推薦幾只可以做D類功放的高速場效應(yīng)管（載波頻率為300K)，要求電壓為500V,電流為10-50A

請大俠推薦幾只可以做D類功放的高速場效應(yīng)管（載波頻率為300K)，要求電壓為500V,電流為10-50A

因?yàn)殡娫措妷簽椋?10V，本來使用的是IGBT（載波頻率為30K),但是電感特別大.現(xiàn)在要求小型化。

查了一下高速場效應(yīng)管：IRFB4229,它的參數(shù)如下：

QQ圖片20140417085124

QQ圖片20140417085305

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2014-04-17 09:01
專用于D類功放的MOSFET很少有這么高電壓的
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zengyony
LV.4
3
2014-04-17 09:08
@rj44444
專用于D類功放的MOSFET很少有這么高電壓的
是呀，查到的IRFB4229好像是最好的管子了，如果不行就只能用它了，大不了體積做大點(diǎn)，前面加一個開關(guān)電源
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2014-04-17 10:42
@zengyony
是呀，查到的IRFB4229好像是最好的管子了，如果不行就只能用它了，大不了體積做大點(diǎn)，前面加一個開關(guān)電源
前面有降壓電源的話，管子就好選了。
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zengyony
LV.4
5
2014-04-18 15:19
@ymyangyong
前面有降壓電源的話，管子就好選了。

IPD60R600P6

IPP60R600P6

找到了兩顆高速管，可惜只有18A

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zengyony
LV.4
6
2015-01-31 13:49
@ymyangyong
前面有降壓電源的話，管子就好選了。
因?yàn)楣β蚀螅w積要求小，所以只能是使用高壓功放了，這樣發(fā)熱小
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2015-01-31 14:03
@zengyony
因?yàn)楣β蚀?，體積要求小，所以只能是使用高壓功放了，這樣發(fā)熱小
氮化鎵管子有幾家做出來了，比較適合你
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st.you
LV.10
8
2015-01-31 15:25
英飛凌或者羅姆的碳化硅MOS也可以啊
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