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LLC電路中的死區(qū)如何去控制？

TI的芯片中用控制LLC電路的嘛？

LLC電路中的死區(qū)如何去控制？

是做成固定的還是做成可變的呢？

為什么？

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2014-05-19 13:59

可以設(shè)置成固定的， 產(chǎn)品工作在50%互補(bǔ)性占空比下，插入一個(gè)固定的死區(qū)時(shí)間，以確保軟開(kāi)關(guān)操作。支持高頻開(kāi)關(guān)(最高500kHz)，能效高，電磁干擾(EMI)輻射低。

可以參考下面的帖子http://www.15119.cn/bbs/610144.html

也可以看看資料LLC原理.pdf

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mandy2
LV.7
3
2014-05-19 22:40

TI是有針對(duì)LLC控制的芯片的，貌似是UCC24610；

LLC的死區(qū)可以做成固定的，但是為了實(shí)現(xiàn)全范圍的軟開(kāi)關(guān)，建議還是做成死區(qū)可調(diào)；

因?yàn)椴煌呢?fù)載下抽干結(jié)電容的電流是不一樣的，所以要用不同的死區(qū)去控制！

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飛翔2004
LV.10
4
2014-06-15 14:50
@mandy2
TI是有針對(duì)LLC控制的芯片的，貌似是UCC24610；LLC的死區(qū)可以做成固定的，但是為了實(shí)現(xiàn)全范圍的軟開(kāi)關(guān)，建議還是做成死區(qū)可調(diào)；因?yàn)椴煌呢?fù)載下抽干結(jié)電容的電流是不一樣的，所以要用不同的死區(qū)去控制！

有，德州儀器的 UCC25600  8腳就是控制LLC電路的，供參考。

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buer1209
LV.7
5
2014-06-21 19:11
TI有針對(duì)這個(gè)問(wèn)題的芯片   最好不要把占空比設(shè)置成固定的   改變占空比可以調(diào)節(jié)系統(tǒng)參數(shù)
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mandy2
LV.7
6
2014-06-22 12:13
@buer1209
TI有針對(duì)這個(gè)問(wèn)題的芯片 最好不要把占空比設(shè)置成固定的 改變占空比可以調(diào)節(jié)系統(tǒng)參數(shù)
一般的PWM控制的電路之中，死區(qū)可以做成固定不變的，但是對(duì)于LLC來(lái)說(shuō)，死區(qū)一般是可以變化的！
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tabing_dt
LV.10
7
2014-06-22 12:55
死區(qū)時(shí)間不宜太小或者太大，太小不能把MOS上電容的電荷抽完，太大了會(huì)導(dǎo)致抽MOS上電容的能量耗干。
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mandy2
LV.7
8
2014-06-22 13:10
@tabing_dt
死區(qū)時(shí)間不宜太小或者太大，太小不能把MOS上電容的電荷抽完，太大了會(huì)導(dǎo)致抽MOS上電容的能量耗干。

的確是這樣的，太小了電抽不干，還是硬開(kāi)關(guān)；

太大了電抽干了又反過(guò)來(lái)充電了，還是硬開(kāi)關(guān)！

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