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電感飽和問題

反激變壓器,電感量大的容易飽和還是電感量小的容易飽和?  判斷的依據(jù)是?  其他條件都一樣的情況下。麻煩哪位大師幫忙解答下,謝謝。
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隱星魂
LV.4
2
2014-07-14 15:18

應該是電感量大容易飽和

dB=(L*dI)/(Ae*N)

式中,dB是磁通密度的變化量,L是電感,dI是電流變化量,Ae是有效橫截面積,N是匝數(shù)

在其他量固定時,顯然是L越大,dB越大

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yhtfeel
LV.7
3
2014-07-15 10:34

首先反激變壓器是有氣隙的,氣隙大的自然不容易飽和,氣隙大了,電感量會變??!

其次如果兩個變壓器氣隙相同,根據(jù)公式N=V*D/(Ae*B),這個公式可知,B越小,N越大,進而電感量越大。所以得到電感量越大,B越小,越不容易飽和。這個分析是建立在B值沒有直流分量的時候!如果B值有了直流分量,即進入了CCM模式,那么這個公式分析的只是B值得交流分量!這個時候與飽和度有關的參數(shù)比較多,比如磁芯對抗直流的能力等,就很難說電感量的大小對磁芯飽和程度的影響了!

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2014-07-15 19:08
@yhtfeel
首先反激變壓器是有氣隙的,氣隙大的自然不容易飽和,氣隙大了,電感量會變?。∑浯稳绻麅蓚€變壓器氣隙相同,根據(jù)公式N=V*D/(Ae*B),這個公式可知,B越小,N越大,進而電感量越大。所以得到電感量越大,B越小,越不容易飽和。這個分析是建立在B值沒有直流分量的時候!如果B值有了直流分量,即進入了CCM模式,那么這個公式分析的只是B值得交流分量!這個時候與飽和度有關的參數(shù)比較多,比如磁芯對抗直流的能力等,就很難說電感量的大小對磁芯飽和程度的影響了!

寫的好,能再具體的就更好

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2014-07-15 20:59
@li297890758
寫的好,能再具體的就更好

其實2樓的那個公式已經(jīng)能夠說明問題了。3樓的回答相當于對2樓回答增加了具體的約束條件。單就電感飽和而言,就用2樓的計算公式。這個是一個基本量。考慮全面,就是電感線圈中是否有直流分量。如果有直流分量,那依2樓公式計算合適的參數(shù),在這種情況下就可能飽和。而且直流分量越大,越易飽和。

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yhtfeel
LV.7
6
2014-07-16 16:40
@工程-隨風
其實2樓的那個公式已經(jīng)能夠說明問題了。3樓的回答相當于對2樓回答增加了具體的約束條件。單就電感飽和而言,就用2樓的計算公式。這個是一個基本量??紤]全面,就是電感線圈中是否有直流分量。如果有直流分量,那依2樓公式計算合適的參數(shù),在這種情況下就可能飽和。而且直流分量越大,越易飽和。
仔細看看,二樓和三樓的公式是一樣的,只是變形了而已!我回答,是因為二樓的論述和結論都是不對的!
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隱星魂
LV.4
7
2014-07-17 10:09
@yhtfeel
仔細看看,二樓和三樓的公式是一樣的,只是變形了而已!我回答,是因為二樓的論述和結論都是不對的!

你能指出是哪里不對嗎?

人家樓主都說其他條件不變,我自然是固定其他三個量來討論dB和L的函數(shù)關系,這是數(shù)學上最最最基本的分析方法,不知道有什么不對。

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2014-07-17 14:19
@yhtfeel
仔細看看,二樓和三樓的公式是一樣的,只是變形了而已!我回答,是因為二樓的論述和結論都是不對的!
這位兄臺,不帶這么賣關子的。即然指出人家有不合適的地方,就拿出自己的論點來進行說明。不要只給出你自己的結論,但沒有論證過程。
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隱星魂
LV.4
9
2014-07-17 14:45
@工程-隨風
這位兄臺,不帶這么賣關子的。即然指出人家有不合適的地方,就拿出自己的論點來進行說明。不要只給出你自己的結論,但沒有論證過程。[圖片]

我列舉了一個公式來說明樓主的問題,不知道還需要什么論證過程,論證這個公式怎么來的嗎?

這個公式是通過安培環(huán)路定律,法拉第電磁感應定律,電感定義式推導出來的,我記得趙修科老師的書上有推導。

而且他的回答中,N是變化的,我的回答中,N是固定的,這根本不是一回事。

N若固定,那么L怎么樣才能變化,顯然是氣隙長度變化,再列舉一個公式

L1/L2=(le/u)/(la+le/u)

其中L1是有氣隙時的電感量,L2是沒氣隙時的電感量,le是磁芯的磁路長度,la是氣隙長度,u是相對磁導率

舉個例子,PC40材質,u取2300,le取9.7cm,加了la=4mil(0.0102cm)的氣隙,可以算出

L1/L2=0.29

有4mil氣隙時電感量只有沒氣隙時的0.29了。

那么是L1時容易飽和呢,還是L2時容易飽和呢

顯然是沒開氣隙的,量很大的L2容易飽和。

這個就是我從上面那個公式定三議二派生出來的東西。

要說錯誤,他列的公式倒是錯誤的,應該是N=V*D/(Ae*B*f),f是開關頻率

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yhtfeel
LV.7
10
2014-07-17 15:11
@隱星魂
你能指出是哪里不對嗎?人家樓主都說其他條件不變,我自然是固定其他三個量來討論dB和L的函數(shù)關系,這是數(shù)學上最最最基本的分析方法,不知道有什么不對。
我之所以不用2樓的公式論證,是因為L變化的時候,dI也會跟著變化,這個可不是樓主說一聲其他變量不變,然后都不變了,呵呵,由于有三個變量,沒辦法論證! 換公式后,我們能控制V不變,D不變,Ae不變,只是N和dB兩個變量,所以能夠說明問題!  
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yhtfeel
LV.7
11
2014-07-17 15:16
@隱星魂
我列舉了一個公式來說明樓主的問題,不知道還需要什么論證過程,論證這個公式怎么來的嗎?這個公式是通過安培環(huán)路定律,法拉第電磁感應定律,電感定義式推導出來的,我記得趙修科老師的書上有推導。而且他的回答中,N是變化的,我的回答中,N是固定的,這根本不是一回事。N若固定,那么L怎么樣才能變化,顯然是氣隙長度變化,再列舉一個公式L1/L2=(le/u)/(la+le/u)其中L1是有氣隙時的電感量,L2是沒氣隙時的電感量,le是磁芯的磁路長度,la是氣隙長度,u是相對磁導率舉個例子,PC40材質,u取2300,le取9.7cm,加了la=4mil(0.0102cm)的氣隙,可以算出L1/L2=0.29有4mil氣隙時電感量只有沒氣隙時的0.29了。那么是L1時容易飽和呢,還是L2時容易飽和呢顯然是沒開氣隙的,量很大的L2容易飽和。這個就是我從上面那個公式定三議二派生出來的東西。要說錯誤,他列的公式倒是錯誤的,應該是N=V*D/(Ae*B*f),f是開關頻率

你說的不錯,那個公式確實不對,應該把D換成Ton! 但是這個并不會影響論證!   

你用開氣隙的和不開氣隙的比較是無意義的!

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隱星魂
LV.4
12
2014-07-17 15:32
@yhtfeel
我之所以不用2樓的公式論證,是因為L變化的時候,dI也會跟著變化,這個可不是樓主說一聲其他變量不變,然后都不變了,呵呵,由于有三個變量,沒辦法論證!換公式后,我們能控制V不變,D不變,Ae不變,只是N和dB兩個變量,所以能夠說明問題! 

按你的邏輯,我也可以說,V不是你說不變就不變的。

這明顯很搞笑,你用一個別的限定條件下的結論論證了另一個限定條件下的結論是錯誤的。

就像你說“N越大,L越大”,這是限定了氣隙長度

我能限定N,用氣隙越大,L越小來說明你是錯誤的嗎?

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隱星魂
LV.4
13
2014-07-17 15:50
@yhtfeel
你說的不錯,那個公式確實不對,應該把D換成Ton!但是這個并不會影響論證!  你用開氣隙的和不開氣隙的比較是無意義的!

無氣隙只是氣隙小的一種極端形式而已。

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surfacemd
LV.3
14
2014-09-12 17:23

感量大容易飽和,我是做磁材出生的,對這個很了解.

你可以試一下,拿電感去加電流,感量高的加電流后感值很快掉下來了,而感量小的掉的慢(下降比).

增加GAP可以降低電感,這樣就不會那么容易飽和了.

最后推薦一顆我司的新料給樓主研究一下.

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