1.如上所示是精通開關(guān)電源里面的圖，是MOS管導(dǎo)通的過程，漏極電流Id在Vgs大于Vrh后開始上升，上升到Io。想問的是，MOS導(dǎo)通后，電感電流為三角波上升，我是否理解為導(dǎo)通過程穩(wěn)定的Id為導(dǎo)通后電感電流開始上升的初始值，但是為什么圖中Id=Io。并且按我的理解上圖應(yīng)該是指工作在CCM模式，那么BCM模式的話，電感電流初始為0,有改如何理解。

2.MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)電阻如何選取，如果為了EMI電話，其值應(yīng)該盡量大，但是上升時(shí)間會(huì)變長(zhǎng)，影響效率。對(duì)于MOS管的上升和下降時(shí)間有沒有比較好的參考，大概在多少ns合適，有時(shí)為了EMI，只好加大電阻值，但是至少影響效率嗎，太大會(huì)不會(huì)造成電路異常。

3.外置MOS的話，怎么沒判斷IC的驅(qū)動(dòng)能力是否足夠，一般IC資料會(huì)給出SINK 和source電流，如何理解。

4，碰到過在MOS管的S極竄磁珠，量產(chǎn)會(huì)有相當(dāng)比例開機(jī)炸機(jī)，將磁珠短路就OK，請(qǐng)問磁珠是怎樣影響到，測(cè)試突入電壓電流都沒有問題。

以上，學(xué)習(xí)MOS管碰到的一些問題，請(qǐng)各路高手賜教！