為何需要零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)？

對(duì)于更高效率，密度和功率處理的需求不斷增加 

需要更高的Vin/Vout轉(zhuǎn)換比例及更高的開(kāi)關(guān)頻率

功率半導(dǎo)體同行已成就下列幾項(xiàng)改進(jìn):硅集成- MOSFET 技術(shù)- 封裝技術(shù)

但這些改進(jìn)都不能滿足行業(yè)的需求- 開(kāi)關(guān)損耗繼續(xù)影響產(chǎn)品性能

Picor引入一個(gè)高性能、高度集成、軟開(kāi)關(guān)降壓穩(wěn)壓器模塊, 可高頻工作,大幅度地降低開(kāi)關(guān)損耗, 提高效率

那些因素阻礙現(xiàn)有技術(shù)發(fā)展?

1.硬開(kāi)關(guān)– 現(xiàn)今，大多數(shù)非隔離降壓穩(wěn)壓器拓?fù)涞拈_(kāi)關(guān)損耗都很大。原因是在導(dǎo)通和關(guān)斷期間，MOSFET 同時(shí)抵受高電流和高電壓應(yīng)力。當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率與輸入電壓增高時(shí)，這些損耗同時(shí)增大，局限了其可以達(dá)到的最高工作頻率、效率和功率密度。

2.柵極驅(qū)動(dòng)損耗– 由于柵極驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)的米勒電荷的功耗較高, 導(dǎo)至硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)損耗也較高。

3.體二極管傳導(dǎo)– 當(dāng)高電平端MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)閉時(shí), 高脈動(dòng)電流通過(guò)低電平端MOSFET 本身的體二極管。體二極管導(dǎo)通的時(shí)間越長(zhǎng)，反向恢復(fù)損耗和體二極管傳導(dǎo)損耗便愈高。體二極管傳導(dǎo)也會(huì)造成破壞性的過(guò)沖和振鈴

VICOR零電壓開(kāi)關(guān)ZVS-BUCK拓?fù)涞膬?yōu)點(diǎn)

1.零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）的開(kāi)關(guān)損耗很低

2.理想的整流開(kāi)關(guān)，體二極管傳導(dǎo)時(shí)間極短

3.高輸入電壓仍保持高頻率操作

4.內(nèi)部補(bǔ)償簡(jiǎn)單的，允許高帶寬，增益和相位裕度

5.由于輸出電感細(xì)小，高開(kāi)關(guān)頻率和寬帶寬反饋環(huán)路，只需細(xì)小輸出電容，瞬態(tài)響應(yīng)非?？焖?

6.導(dǎo)通時(shí)間最短20ns，支持36:1 的高比率轉(zhuǎn)換

圖：左邊為VICOR的ZVS-BUCK電路，右圖為傳統(tǒng)BUCK電路。

與傳統(tǒng)BUCK電路相比，ZVS-BUCK電路在電感兩端增加了鉗位開(kāi)關(guān)。

PI33XX降壓穩(wěn)壓器可將8V至36V的輸入電壓轉(zhuǎn)換為1V至16V的輸出電壓，輸出電流高達(dá)15A，輸出功率高達(dá)120W

采用高功率密度的LGA封裝。

體積 10*14*2.54mm

zvs最主要是降低紋波和噪音吧？

MARK，對(duì)于手工制作PCB，手工焊接貌似不太方便，不知有沒(méi)有便于焊接的封裝的ZVS的。最近就搜索相關(guān)型號(hào)。