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【救命啊】請教RCD的參數(shù)問題(有電壓波形圖)[頂?shù)絾栴}解決為止]

小弟我初接觸電源,很多不懂,在這里看了一段時間后自己搭了個電路,測試了下波形,好象不太對,請大蝦們指點下參數(shù)該怎么樣啊!!

我是想做兩個隔離電源12V轉(zhuǎn)5V和  12V轉(zhuǎn)12V,電流在 2-3A,采用ARM7的硬件PWM控制,電流在


開關(guān)部分原理圖如下:(還在搭實驗板試,暫時還沒畫正式原理圖,將就看吧).
其中RCD部分的C=22nF;R=540 ohm; 變壓器為是用鐵氧體的那種磁環(huán)繞的,磁環(huán)直徑大概15mm,環(huán)形的截面積為3x7=21平方毫米,初級線圈纏了14圈(初級和次級是一起饒的). 限流的電阻為0.5 ohm,開關(guān)頻率為115KHZ,占空比0.45.

請教以下問題,
1:在這里用這個磁環(huán)做變壓器是否合理?
2:線圈的圈數(shù)是否合理?
3:RCD電路的值該怎么改才合理?
4:我測得MOS管G極上升時間大概為300ns,這樣是否太大?
5:上面四個問題在12V轉(zhuǎn)5V的時候又該如何取值?

另外再問個弱智問題:為什么在我的電路中輸出電壓不能調(diào)節(jié)呢?無論我如何調(diào)節(jié)PWM占空比,輸出電壓還是那么高,

下面的圖中示波器顯示的電壓需要乘以10,即顯示0.5V表示實際是5V,并且后面兩個圖由于信號總有回溝測出的頻率是實際的2倍.

下圖為目前的電路

下圖為MOS的G極輸入處的波形

下圖為V1(MOS管D極)測得的電壓波形

下圖為V2(RCD的電路)處測得的電壓波形



最后再次謝謝各位大蝦





1
全部回復(fù)(9)
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xky183
LV.2
2
2007-03-22 13:16
頂上去  
高手們幫忙看看阿
0
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xky183
LV.2
3
2007-03-23 00:34
@xky183
頂上去  高手們幫忙看看阿
頂?shù)絾栴}解決
0
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xky183
LV.2
4
2007-03-23 09:28
@xky183
頂?shù)絾栴}解決
例行頂
0
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xky183
LV.2
5
2007-03-24 00:59
@xky183
例行頂
頂?shù)絾栴}解決
0
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2007-03-24 10:29
1. 你的磁環(huán)是什么材質(zhì)的鐵氧體? 錳鋅氧化物還是鎳鋅氧化物,建議用錳鋅的.
2. 你用什么拓撲? 反激? 把整個電路放上來看看.
3. RCD的目的是抑制MOSFET的Vds尖峰, 跟漏感,負載等有關(guān). 保證Vds在最壞情況下不超過MOSFET規(guī)格就可以了. 但R太小的壞處是發(fā)熱厲害損耗大.憑經(jīng)驗, R取4K7, C取4N7看看.
0
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xky183
LV.2
7
2007-03-24 13:37
@deep_thought
1.你的磁環(huán)是什么材質(zhì)的鐵氧體?錳鋅氧化物還是鎳鋅氧化物,建議用錳鋅的.2.你用什么拓撲?反激?把整個電路放上來看看.3.RCD的目的是抑制MOSFET的Vds尖峰,跟漏感,負載等有關(guān).保證Vds在最壞情況下不超過MOSFET規(guī)格就可以了.但R太小的壞處是發(fā)熱厲害損耗大.憑經(jīng)驗,R取4K7,C取4N7看看.
多謝樓上的指點,
1.磁環(huán)用的鐵氧體
2.OK  我是看到那堆公式就頭暈. 因為剛接觸,有些參數(shù)不知道怎么獲得,比如漏感等,不加RCD的時候超過MOS的額定電壓很多,加了后好了,但是確實是發(fā)熱的問題更嚴(yán)重了. 我按照你說的試下看

多謝

下面是這部分的圖
輸出什么都OK 就是RCD處的波形我看到和別人得到的不一樣,另外就是MOS的輸入上升沿300ns是否太慢了?  115K的頻率變壓器這么繞法是否合理?
0
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miaozi
LV.1
8
2007-03-25 13:31
@xky183
多謝樓上的指點,1.磁環(huán)用的鐵氧體2.OK  我是看到那堆公式就頭暈.因為剛接觸,有些參數(shù)不知道怎么獲得,比如漏感等,不加RCD的時候超過MOS的額定電壓很多,加了后好了,但是確實是發(fā)熱的問題更嚴(yán)重了.我按照你說的試下看多謝下面是這部分的圖輸出什么都OK就是RCD處的波形我看到和別人得到的不一樣,另外就是MOS的輸入上升沿300ns是否太慢了?  115K的頻率變壓器這么繞法是否合理?
問個弱弱的問題,如果不用變壓器,升壓電感的漏感需要用RCD電路處理嗎
0
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2007-03-26 18:56
@xky183
多謝樓上的指點,1.磁環(huán)用的鐵氧體2.OK  我是看到那堆公式就頭暈.因為剛接觸,有些參數(shù)不知道怎么獲得,比如漏感等,不加RCD的時候超過MOS的額定電壓很多,加了后好了,但是確實是發(fā)熱的問題更嚴(yán)重了.我按照你說的試下看多謝下面是這部分的圖輸出什么都OK就是RCD處的波形我看到和別人得到的不一樣,另外就是MOS的輸入上升沿300ns是否太慢了?  115K的頻率變壓器這么繞法是否合理?
沒看到你的圖啊!.
驅(qū)動上升時間300ns,還算正常.
變壓器的漏感可以直接量出來.短路次級線圈時,量到的初級電感就是漏感.
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me1155
LV.2
10
2008-05-26 10:50
@deep_thought
沒看到你的圖啊!.驅(qū)動上升時間300ns,還算正常.變壓器的漏感可以直接量出來.短路次級線圈時,量到的初級電感就是漏感.
正好想知道,頂一下
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