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MOS驅(qū)動負(fù)載 ，MOS發(fā)熱問題

                 大家好，我現(xiàn)在使用MOS管做的驅(qū)動負(fù)載電路，當(dāng)使用電子負(fù)載做實驗時負(fù)載電流加到3A時，MOS管工作一會就會非常熱，請問各位高手是什么原因?。侩娐啡缦聢D所示：

MOS驅(qū)動

VO_XX為12V， CPU_KZ1為CPU 3.3v控制信號，MOS管為IRF540N,FZ_1+ 為負(fù)載負(fù)極，負(fù)載正極接12V電源,當(dāng)CPU_KZ1為高時，負(fù)載開通，為低，負(fù)載關(guān)斷

先謝謝大家

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2014-08-10 12:38
要看MOS管的耗散功率，電路工作是否正常。按你的接法，一般情況下，不會出現(xiàn)短路情況，所以估計是MOS管內(nèi)阻過大導(dǎo)致的。
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chunhai
LV.2
3
2014-08-10 12:48
@wuchanghyz
要看MOS管的耗散功率，電路工作是否正常。按你的接法，一般情況下，不會出現(xiàn)短路情況，所以估計是MOS管內(nèi)阻過大導(dǎo)致的。
那請教兄弟，內(nèi)阻過大的原因可能是什么造成的呢？
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2014-08-11 14:43
電路設(shè)計不合理，R45 10K值太大。我有些便低內(nèi)阻的MOS 更能勝任這個電路。
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chunhai
LV.2
5
2014-08-11 18:10
@泥腿子混技術(shù)
電路設(shè)計不合理，R4510K值太大。我有些便低內(nèi)阻的MOS更能勝任這個電路。
兄弟可以再說詳細(xì)些么？萬分感謝了啊
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btma
LV.8
6
2014-08-11 22:00
MOS要加大散熱器，但I(xiàn)RF540N經(jīng)常有假貨，你可測量其工作時的壓降，建議更換MOS管。
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chunhai
LV.2
7
2014-08-12 07:31
@btma
MOS要加大散熱器，但I(xiàn)RF540N經(jīng)常有假貨，你可測量其工作時的壓降，建議更換MOS管。
我現(xiàn)在是沒加散熱器測的，測量哪兩端的壓降確定是否假貨啊？還有用哪個代替IRF540性價比號呢？謝謝
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btma
LV.8
8
2014-08-12 14:06
@chunhai
我現(xiàn)在是沒加散熱器測的，測量哪兩端的壓降確定是否假貨?。窟€有用哪個代替IRF540性價比號呢？謝謝

沒加散熱器是要熱，必須加。測DS壓降。替代比如75N75.

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